公开(公告)号：CN104470892A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380035400.X

申请日：2013-10-21

申请人： 株式会社艾迪科

发明人： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  斋藤昭夫 ,  吉野智晴

IPC分类号： C07C251/08 ,  C23C16/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06

CPC分类号： C07F15/065 ,  C07C251/04 ,  C07C251/08 ,  C07F1/08 ,  C07F7/28 ,  C07F15/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/406 ,  C23C16/408

摘要： 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。

公开(公告)号：CN102272349A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004145.9

申请日：2010-02-15

申请人： 株式会社艾迪科

发明人： 白鸟翼 ,  渡边刚 ,  榎本圭司

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28194 ,  H01L28/55

摘要： 本发明的残存水分子除去工艺是应用于在基板上形成含金属薄膜的含金属薄膜的制造方法中的除去残存水分子的工艺，其通过使用使清洗溶剂气化而得到的气体来除去残存的水分子。作为所述清洗溶剂，优选由共沸组成中的水含量为20质量％以上的有机溶剂或有机溶剂组合物组成。根据本发明的残存水分子除去工艺，由于在通过ALD法等制造含金属薄膜时能够有效地除去体系内的残存水分子，所以能够缩短成膜时间，从而有效地造含金属薄膜。

公开(公告)号：CN104470892B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380035400.X

申请日：2013-10-21

申请人： 株式会社艾迪科

发明人： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  斋藤昭夫 ,  吉野智晴

IPC分类号： C07C251/08 ,  C23C16/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06

CPC分类号： C07F15/065 ,  C07C251/04 ,  C07C251/08 ,  C07F1/08 ,  C07F7/28 ,  C07F15/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/406 ,  C23C16/408

摘要： 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。

公开(公告)号：CN104755485A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380052746.0

申请日：2013-11-26

申请人： 株式会社艾迪科

发明人： 吉野智晴 ,  樱井淳 ,  白鸟翼 ,  畑濑雅子 ,  内生蔵广幸 ,  西田章浩

IPC分类号： C07F5/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F5/069 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44 ,  C23C16/12 ,  H01L21/28556

摘要： 本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外，本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中，R1及R2各自独立地表示碳数为2～5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点，显示充分的挥发性且具有高的热稳定性，适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN104755485B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380052746.0

申请日：2013-11-26

申请人： 株式会社艾迪科

发明人： 吉野智晴 ,  樱井淳 ,  白鸟翼 ,  畑濑雅子 ,  内生蔵广幸 ,  西田章浩

IPC分类号： C07F5/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F5/069 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44

摘要： 本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外，本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中，R1及R2各自独立地表示碳数为2～5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点，显示充分的挥发性且具有高的热稳定性，适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。