公开(公告)号：CN109564789B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201780048733.4

申请日：2017-07-27

Applicant: 株式会社钟化 ,  国立研究开发法人理化学研究所

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃 ,  长谷部裕雄

IPC: G21K1/14 ,  C01B32/182 ,  G21K1/00 ,  G21K5/08

Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低(56)对比文件O Kamigaito等.Present Status andFuture Plan of RIKEN RI BeamFactory.Proceedings of IPAC2016, Busan,Korea.2016,1281-1283.O. Kamigaito.PRESENT STATUS ANDFUTURE PLAN OF RIKEN RI BEAM FACTORY.《Proceedings of IPAC2016》.2016,

公开(公告)号：CN115427351A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180024708.9

申请日：2021-03-04

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村岛健介 ,  村上睦明

IPC: C01B32/205

Abstract: 本发明的课题在于，提供能够简便地制造表面粗糙度更小的石墨薄膜的方法。本发明涉及一种石墨薄膜的制造方法，其包括下述工序：将碳化温度为Ta的碳化框与芳香族聚酰亚胺膜或前述芳香族聚酰亚胺膜在碳化温度Tb下进行处理而得到的碳化膜一体化，在温度Td下进行碳化，接着进行石墨化，Ta>Tb并且Tb

公开(公告)号：CN108780670B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201780014702.7

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K3/00

Abstract: 本发明实现一种具备充分的屏蔽性、耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。衰减器(1)由石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束(X)的束轴相交的方式配置，石墨膜的厚度为1μm以上，石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。

公开(公告)号：CN110249424A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009996.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: H01L23/36 ,  C01B32/205 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04 ,  C09J201/00 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明实现即使在具有凹凸的构件间使用也显示出优异的热阻特性的使用了石墨的层间热接合构件、以及层间热接合构件的制造方法。通过制成包含柔软性或流动性物质(A)和石墨膜(B)的构成的热接合构件，并将石墨膜的厚度设为100nm～15μm的范围、将密度设为1.20～2.26g/cm3的范围、将膜面方向的热导率设为500W/mK以上、将(A)与(B)的重量比(A/B)设为0.08～25的范围，从而解决前述课题。

公开(公告)号：CN107001048A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065746.3

申请日：2015-12-03

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃

IPC: C01B32/20 ,  C23C14/34 ,  G21K5/08 ,  H05H6/00

Abstract: 本发明的目的在于提供即使在高真空条件下作为层间热接合材料也导热特性优异、且不用担心装置内部的污染、释气的材料。本发明的高真空用层间热接合性石墨片的主旨在于：其厚度为9.6μm以下且50nm以上，在25℃下的a‑b面方向的导热率为1000W/mK以上。在本发明中，优选密度为1.8g/cm3以上。本发明的前述石墨片优选为在2900℃以上的温度下对高分子薄膜进行热处理而得到的石墨片，该高分子薄膜优选为选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚喹喔啉、聚噁二唑、聚苯并咪唑等中的至少一种。

公开(公告)号：CN101166847A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014542.8

申请日：2006-04-28

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 下大迫宽司 ,  伊藤卓 ,  田中滋 ,  西中贤 ,  村上睦明

IPC: C23C18/20 ,  B32B15/088 ,  B32B27/34 ,  C09D179/08 ,  H05K1/03 ,  H05K3/18

Abstract: 一种镀覆用材料，只要其具有用于实施非电解镀覆的树脂层，且该树脂层含有特定结构的聚酰亚胺树脂，则即使该树脂层的表面粗糙度小的情况，其与形成在该树脂表面上的非电解镀覆被膜之间的粘着性优异，且焊接耐热性优异。因此，例如，能够适用于印刷电路板的制造等上。

公开(公告)号：CN1720136A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380105189.0

申请日：2003-12-05

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 西中贤 ,  伊藤卓 ,  田中滋 ,  村上睦明

IPC: B32B15/08 ,  H05K3/00 ,  H05K3/14 ,  C08J7/00

Abstract: 本发明提供一种可以形成高密度电路，具有去污等工序耐受性、优异的粘接性、以及在高温高湿环境下的粘接信赖性优异的叠层体以及印刷电路布线板。即，本发明是包含热塑性聚酰亚胺层和金属层的叠层体，或包含非热塑性聚酰亚胺薄膜层、在其一面或两面形成的热塑性聚酰亚胺层以及金属层的叠层体以及印刷电路布线板。

公开(公告)号：CN110249422B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201880009944.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: H01L23/36 ,  C01B32/205 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型层间热接合构件材料的问题，提供使用了石墨膜的低热阻且高耐热性的层间热接合方法和层间热接合构件。本发明的层间热接合方法为夹持在2个构件之间而传递热的层间热接合构件，其具有石墨膜，石墨膜的厚度T为200nm～3μm，石墨膜表面的算术平均粗糙度Ra与厚度T之比(Ra/T)为0.1～30。

公开(公告)号：CN109874344A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201680021888.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃

IPC: G21K1/14 ,  G21K1/00 ,  H05H7/08 ,  H05H13/04

Abstract: 本发明目的在于提供离子束用的电荷转换膜，所述离子束用的电荷转换膜在大强度射束使用下也不易受到损伤、放射性活化，具有高耐久性，容易控制小于10μm的膜厚。本发明为一种离子束用的电荷转换膜，其为碳成分为96原子％以上、25℃下的膜面方向的热导率为800W/mK以上的离子束用的电荷转换膜的单层体或前述离子束用的电荷转换膜的层叠体，其厚度小于10μm且为100nm以上。

公开(公告)号：CN1993498B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200580026538.9

申请日：2005-08-04

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 下大迫宽司 ,  伊藤卓 ,  西中贤 ,  田中滋 ,  村上睦明

IPC: C23C18/16 ,  C09J179/08 ,  B32B15/08 ,  H05K1/03 ,  B32B27/34 ,  H05K3/46 ,  C09J7/02 ,  H01B3/30

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种镀覆用材料和溶液，其可以优选使用在印刷布线板的制造等中，当该材料表面的表面粗糙度小时，与形成在该表面上的非电解镀覆被膜的粘接性也优异，并提供使用它而形成的印刷布线板，可以解决上述课题的镀覆用材料是至少具有用于实施非电解镀覆的表面a的非电解镀覆用材料，其特征在于，表面a的表面粗糙度在截止波长为0.002mm下测定的算术平均粗糙度计为0.5μm以下，并且表面a含有具有硅氧烷结构的聚酰亚胺树脂。