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公开(公告)号：CN116631960A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310540438.8
申请日：2023-05-15
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaN HEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。
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公开(公告)号：CN116457921A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202380007926.0
申请日：2023-02-23
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及半导体领域，公开了一种氮化镓器件制备方法及氮化镓HEMT，所述氮化镓器件制备方法包括以下步骤：在衬底上通过化学气相沉积方式外延生长多个层，所述层间包括有源器件通道区域；对所述衬底的全局背面进行研磨；在研磨后的衬底背面的局部区域加工孔结构和/或沟槽结构，所述局部区域与所述有源器件通道区域在所述衬底的上下两侧相对；将所述衬底背面通过导电焊膏附接到封装芯片。本发明能够进一步提高氮化镓器件的散热性能，同时能够保证器件的强度，避免发生器件翘曲和破裂等问题。
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公开(公告)号：CN110021661B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910342961.3
申请日：2019-04-26
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，基于P型半导体层的表面并结合原位生长的方式在该半导体器件中的栅极与P型半导体层之间制作形成N型半导体层，使得P型半导体层与N型半导体层可共同构成反向偏置的n/p结，从而大幅降低栅极漏电流，提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112614777A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011500532.3
申请日：2020-12-18
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , G03F7/42 , G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，包括成型导体/半导体层、沉积电介质层，在电介质层上形成第一光刻胶层、第二光刻胶层，第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层，蚀刻形成栅极沟道开口，调整第二光刻胶层的厚度、开口形状，沉积金属导体，剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。一种器件，其包括由T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法形成的栅极结构。本发明方法形成的栅极导体在电介质上悬垂/延伸，实现了最终栅极导体相对于电介质开口的自对准，降低了栅极电阻（Rg）的同时也降低了寄生电容（Cgs/Cgd）。
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公开(公告)号：CN111945128A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828900.0
申请日：2020-08-18
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种提高铂与衬底黏附性的方法，包括在衬底上沉积黏附材料并形成黏附层，在所述的黏附层上通过剥离或者蚀刻方式形成铂层（Pt）。通过在所述的衬底和铂层（Pt）之间增加黏附层可以改善铂层（Pt）脱落问题，但铂层（Pt）退火后薄膜方阻极易受到黏附层材料的影响，造成方阻增大。一种产品，由所述的提高铂与衬底黏附性的方法制备的产品。通过本发明的方法制备后，产品在金属化后和放置一段时间均没有金属脱落问题，大大提高了金属黏附性；方阻小、粗糙度低，光滑。
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公开(公告)号：CN107301953B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710406579.5
申请日：2017-06-02
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括在衬底上涂负性光刻胶，对负性光刻胶光刻显影，形成栅/源/漏极区；在负性光刻胶上、栅/源/漏极区内形成第一金属层；在第一金属层上涂正性光刻胶，对正性光刻胶光刻显影，在栅极区内、两侧的第一金属层上形成正性光刻胶填充；去除暴露的第一金属层；在负/正性光刻胶填充上、源/漏极区内形成第二金属层；去除位于负/正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的负/正性光刻胶填充，栅极区内第一金属层为栅极金属层，源极、漏极内第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了小型几何器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。
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公开(公告)号：CN107301953A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710406579.5
申请日：2017-06-02
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括在衬底上涂负性光刻胶，对负性光刻胶光刻显影，形成栅/源/漏极区；在负性光刻胶上、栅/源/漏极区内形成第一金属层；在第一金属层上涂正性光刻胶，对正性光刻胶光刻显影，在栅极区内、两侧的第一金属层上形成正性光刻胶填充；去除暴露的第一金属层；在负/正性光刻胶填充上、源/漏极区内形成第二金属层；去除位于负/正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的负/正性光刻胶填充，栅极区内第一金属层为栅极金属层，源极、漏极内第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了小型几何器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。
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公开(公告)号：CN116631960B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310540438.8
申请日：2023-05-15
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaN HEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。
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公开(公告)号：CN118380466A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410830939.4
申请日：2024-06-26
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明属于高电子迁移率晶体管器件技术领域，具体涉及一种常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明提供的常关型高电子迁移率晶体管中，势垒层注入有非电活性物质离子，非电活性物质离子的注入区域与所述栅极在所述势垒层上的正投影区域重合，所述非电活性物质离子包括氮离子和/或惰性气体离子。本发明的势垒层和沟道层之间具有更稳定的Vth以及原始未蚀刻和未损坏的2DEG层。本发明通过向势垒层中注入非电活性物质离子，将势垒层转变成绝缘体，从而使自然形成的2DEG层失效，而相较于引入电活性元素（如氯或氟原子），本发明不存在由于电荷散射导致的迁移率下降和由于氯或氟离子在栅极偏压下移动导致的Vth不稳定的缺陷。
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公开(公告)号：CN117894836B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410294613.4
申请日：2024-03-15
申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管及其封装方法。本发明在高电子迁移率晶体管钝化层与源极连接场板或栅极连接场板接触的区域设置有通孔，包括设置在所述钝化层表面且通过钝化层的通孔与源极连接场板或栅极连接场板接触的热传递器件。本发明提供的顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管能够实现对高电子迁移率晶体管的有效散热，同时不会对器件的电气参数（Vth、BV和Rdson）产生不利的电气影响。
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