公开(公告)号：CN105676264A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610187826.2

申请日：2013-04-26

申请人： 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

发明人： 李元景 ,  张岚 ,  李玉兰 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  邓智 ,  薛涛 ,  张韡 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

CPC分类号： G01T1/366

摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

公开(公告)号：CN103913763B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310004796.3

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。

公开(公告)号：CN103972323A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310038954.7

申请日：2013-01-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 张岚 ,  李玉兰 ,  李元景 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： H01L31/115 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/115 ,  G01T1/241

摘要： 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。

公开(公告)号：CN103235332A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310149397.6

申请日：2013-04-26

申请人： 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

发明人： 李元景 ,  张岚 ,  李玉兰 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  邓智 ,  薛涛 ,  张韡 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

公开(公告)号：CN105759303A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610188180.X

申请日：2013-04-26

申请人： 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

发明人： 李元景 ,  张岚 ,  李玉兰 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  邓智 ,  薛涛 ,  张韡 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

CPC分类号： G01T1/366

摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

公开(公告)号：CN105759303B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610188180.X

申请日：2013-04-26

申请人： 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

发明人： 李元景 ,  张岚 ,  李玉兰 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  邓智 ,  薛涛 ,  张韡 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

公开(公告)号：CN103913763A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310004796.3

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。

公开(公告)号：CN103972323B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310038954.7

申请日：2013-01-31

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 张岚 ,  李玉兰 ,  李元景 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： H01L31/115 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/115 ,  G01T1/241

摘要： 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。

公开(公告)号：CN203204163U

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201320218487.1

申请日：2013-04-26

申请人： 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

发明人： 李元景 ,  张岚 ,  李玉兰 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  邓智 ,  薛涛 ,  张韡 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 本实用新型提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

公开(公告)号：CN203037860U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320005909.7

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。