一种放射性物质空间分布信息的显示方法

    公开(公告)号:CN108469630A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201810088462.1

    申请日:2018-01-30

    发明人: 张岚 顾铁 刘柱 王伟

    IPC分类号: G01T1/36

    CPC分类号: G01T1/366

    摘要: 本发明提供一种放射性物质空间分布信息的显示方法,所述显示方法包括:获取待测环境的彩色图像,并对所述彩色图像进行显示;对所述待测环境进行测试,以获取所述待测环境中放射性物质的空间分布信息;以及对所述彩色图像进行背景弱化处理或局部突显处理,并于处理后的彩色图像中放射性物质所在位置处显示所述空间分布信息,以降低所述彩色图像中本底色彩及本底影像对所述空间分布信息读取的干扰。通过本发明提供的一种放射性物质空间分布信息的显示方法,解决了现有环境彩色图片中放射性物质的空间分布信息显示存在颜色繁多、重点不突出,使得系统使用方无法在第一时间内从显示界面中读取放射性物质的空间分布信息的问题。

    光子计数检测器以及光子计数和检测方法

    公开(公告)号:CN103083029B

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201210427967.9

    申请日:2012-10-31

    IPC分类号: A61B6/00

    摘要: 提供一种光子计数检测器以及光子计数和检测方法。所述光子计数检测器包括:读出电路,被构造为对入射到传感器的多能辐射中的光子计数,其中,针对多能辐射的多个能带中的每个能带对光子计数,读出电路分别与多能辐射照射到的区域的像素对应,每个读出电路被构造为对多能辐射的多个能带中的一个预定能带中的光子计数,一部分读出电路被构造为对多能辐射的除了多个能带中的一个预定能带以外的至少一个能带中的光子计数。

    基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置

    公开(公告)号:CN106950591A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201611223877.2

    申请日:2016-12-27

    IPC分类号: G01T1/36

    CPC分类号: G01T1/366

    摘要: 本发明属于测氡仪技术领域,具体涉及一种基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置。包括滤膜、采样泵、半导体致冷片的热面、半导体制冷片的冷面、收集腔、半导体探测器、放大电路、隔热层和能谱分析系统;样品气体通过滤膜和采样泵进入收集腔,收集腔贴装在半导体制冷片的冷面,半导体探测器位于收集腔内部,放大电路位于收集腔外,半导体致冷片的冷面、收集腔和放大电路被隔热层包裹,半导体致冷片的热面贴装有散热器,能谱分析系统与放大电路连接。本发明能够解决样品气体温湿度对静电收集法测氡仪的影响问题;同时解决半导体探测器和放大电路的温漂问题,降低对半导体探测器和放大电路的性能要求,大幅降低仪器成本。

    一种基于平晶衍射成像的X射线能谱测量方法

    公开(公告)号:CN105759304A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610255170.3

    申请日:2016-04-22

    IPC分类号: G01T1/36

    CPC分类号: G01T1/366

    摘要: 本发明涉及一种基于平晶衍射成像的X射线能谱测量方法,以解决现有方法能谱分辨率差、测量效率低的缺点。本发明适用于100keV以下、多能量X射线连续能谱的测量。该方法包括步骤:1.估计待测X射线能谱范围,确定衍射晶体参数和测量系统参数;2.对衍射角度范围中所有衍射角度分别进行成像,记录衍射图像和透射图像;3.对步骤1中确定的晶体,利用直流X射线源和能量分辨探测器,测量待测能谱范围内各能量X射线对衍射晶体的摇摆曲线,计算积分衍射系数:4.根据步骤2中的透射图像,计算步骤2中衍射图像各像素对应的衍射能量,得到X射线衍射能谱;再结合步骤3中各待测能量的积分衍射系数计算入射X射线能谱。

    一种半导体探测器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105759303A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610188180.X

    申请日:2013-04-26

    IPC分类号: G01T1/36

    CPC分类号: G01T1/366

    摘要: 本发明提供一种半导体探测器,该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极;所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面;所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜;所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上,所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上,所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上;所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比,所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

    一种基于Si-PIN探测器阵列的高分辨率X射线能谱仪

    公开(公告)号:CN105549064A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610006293.3

    申请日:2016-01-05

    IPC分类号: G01T1/36

    CPC分类号: G01T1/366

    摘要: 本发明公开了一种基于Si-PIN探测器阵列的高分辨率X射线能谱仪,能谱仪的探测器选用m行×n列的Si-PIN探测器阵列,每一行探测器共用一个电荷灵敏放大器,共有n列,探测器检测到的X射线经放大器放大后分别被送入时间甄别单元与信号滤波加权单元,形成n路时间信号和单路能量信号。在数字多道脉冲幅度分析器的内部,时间信号与能量信号经离线校正模块和梯形成形模块的处理,提取到精确的脉冲幅值,最终输出X射线的能谱。本发明的有益效果是增大了探测器检测X射线尤其是高能X射线时的探测效率,解决了常规情况下使用探测器阵列时引入较大噪声的问题,提高了信噪比,有效提高了X射线能谱仪的能量分辨率。

    一种消除温度对Si-PIN探测器ɑ能谱峰漂移影响的方法及装置

    公开(公告)号:CN107490585A

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201710919700.4

    申请日:2017-09-30

    发明人: 李志强 肖德涛

    IPC分类号: G01N23/00 G01T1/36

    CPC分类号: G01N23/00 G01T1/366

    摘要: 一种消除温度对Si-PIN探测器ɑ能谱峰漂移影响的方法及装置,涉及氡浓度测量技术领域,所述消除温度对Si-PIN探测器ɑ能谱峰漂移影响的方法包括信号放大、能谱峰跟随、信号幅度甄别及氡浓度确定四个步骤。本发明以温湿度传感器测量的温度作为探测器实际温度的参考依据,结合峰保持电路和ADC转换电路采集探测器输出的能谱峰幅度来精确判断探测器实际温度,进而实现了能谱峰跟随、消除温度对Si-PIN探测器ɑ能谱峰漂移的影响,最大程度地降低了因探测器与温湿度传感器测量的温度存在差异所导致的测量结果偏差,保证了测量结果的准确和可靠性,能够适应核设施现场的连续监测要求。

    X射线检测器复位控制电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107238619A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201710051018.8

    申请日:2017-01-20

    发明人: M·巴特亚尼

    IPC分类号: G01N23/223

    摘要: 本发明涉及一种X射线检测器复位控制电路。公开了用于对具有来自X射线检测器的输入和至ADC的输出的电荷灵敏前置放大器的电压进行复位的电子系统。增大前置放大器增益,以使得RMS ADC噪声小于代表性的数字X射线信号的1%。复位逻辑被配置为避免X射线计数丢失,并防止前置放大器输出超出ADC的允许输入范围。在前置放大器输出上升超过比ADC的最大允许输入低的高电平的情况下,开始复位。也可在检测到堆叠事件的情况下开始复位,只要这种复位不会导致前置放大器输出下降到低于ADC的最小允许输入即可。在每次复位时,从前置放大器移除已知的电荷量,且复位时间被连续调节以确保该电荷量不会漂移。