公开(公告)号：CN117457528A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311287601.0

申请日：2023-10-07

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  谢冬 ,  高标 ,  刘俊哲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开实施例提供了一种晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，晶边处理设备包括：基台，基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，喷液装置位于待处理晶圆的上方，且喷液装置用于向待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，吸液装置至少包括吸液组件，吸液组件位于喷液装置和待处理晶圆的一侧，且与待处理晶圆之间具有预设距离，吸液装置用于吸收多余的处理液。

公开(公告)号：CN117373941A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311422622.9

申请日：2023-10-27

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  谢冬 ,  陈珍 ,  汪松

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了一种半导体结构中孔结构尺寸的量测方法，其中，半导体结构包括衬底，孔结构从衬底的上表面延伸至内部；量测方法包括：执行模塑溶液注入工艺，使模塑溶液完全填充孔结构并覆盖衬底的上表面；使模塑溶液固化以形成模塑结构，模塑结构包括位于孔结构内的柱状结构；执行剥离工艺，以使模塑结构和衬底分离；量测柱状结构的尺寸，并根据柱状结构的尺寸确定出孔结构的尺寸。

公开(公告)号：CN116072607A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310210873.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  王逸群 ,  谢冬 ,  汪松

IPC: H01L21/768 ,  H01L25/065

Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法、电子设备。所述形成方法，包括：提供第一晶圆，具有相对的第一面和第二面；在所述第一晶圆中形成第一导电盲孔结构，从所述第一面显露；在所述第一面键合包括第二晶圆在内的至少一个晶圆，所述第二晶圆具有朝向所述第一面的第三面和与所述第三面相对的第四面、且包括第二导电盲孔结构；对所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别进行刻蚀，以形成第一导电通孔结构、和第二导电通孔结构；所述第一导电通孔结构与所述第二导电通孔结构构成贯穿所述第一晶圆和所述第二晶圆的母通孔结构；在所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别形成导电走线层，用于电连接所述母通孔结构。

公开(公告)号：CN117316763A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311175038.8

申请日：2023-09-12

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  谢冬 ,  汪松 ,  任小宁

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的侧壁和上表面，第二图案化掩膜层上形成有开口，开口暴露第一沟槽的部分底面；以第二图案化掩膜层为掩膜，从开口刻蚀衬底，以在第一沟槽的下方形成第二沟槽。