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公开(公告)号：CN118713706A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410770973.7
申请日：2024-06-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H04B7/0413 , H04B7/06
摘要： 本发明公开了一种基于辅助通道的全连接mMIMO发射机及干扰抑制方法，所述发射机包括波束成型模块、辅助通道模块、系数计算模块和信号发射模块。本发明在不破坏波束成形架构的条件下，有效地抑制非线性引起的高功率波束；通过将系数矩阵分解有效降低实现成本；在波束方向发生变化时能通过迭代算法更新系数，达到抑制效果。
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公开(公告)号：CN113612453B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202110919769.3
申请日：2021-08-11
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03F1/32
摘要： 本发明公开了一种低采样率反馈的数字预失真校正方法与装置，所述方法包括以下步骤：S1.基带信源产生信源信号x＝[x(1),(2),...,x(N)]T，将x信源信号进行数模转换、上变频后送入功放中进行放大；S2.将功放放大后的信号输入带通滤波器进行滤波处理，使得滤波处理后的信号中仅保存期望抑制的带外失真频段范围；S3.将滤波处理后的信号下变频到基带，并进行模数转换后得到带外失真的数字信号，记为y＝[y(1),y(2)，...，y(N)]T；S4.构建具有频率选择特性的预失真模型，并计算预失真系数向量c；S5.将预失真系数向量c应用到具有频率选择特性的数字预失真模型中，对信源信号进行预失真处理。本发明带通滤波后的信号只会保存期望抑制频段范围的带外失真，减低了对采样率的要求。
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公开(公告)号：CN113541847B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110766818.4
申请日：2021-07-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H04J11/00 , H04B17/345
摘要： 本发明公开了一种通过智能反射面抑制同频干扰的通信方法，包括以下步骤：S1.构建基于智能反射面的通信系统；构建的通信系统包括一个发射机、一个接收机、一个或者多个干扰机和一个智能反射面；发射机发射期望信号给接收机，与此同时，干扰机发射出了干扰信号阻碍期望信号的接收；智能反射面用于反射通信环境中的干扰信号和期望信号，增强接收机收到的期望信号同时抑制干扰信；S2.建立反射系数的最优化问题来最大化通信场景容量；S3.对最优反射系数进行求解。本发明能够获取智能反射面的反射系数，并通过智能反射面抑制同频干扰，有效增强了期望信号。
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公开(公告)号：CN112464602B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011410609.8
申请日：2020-12-03
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/27 , G06N3/00 , G06F111/06
摘要： 本发明公开一种多谐振点电阻及电感的高频SPICE模型建立方法，应用于电子元器件建模仿真领域，针对现有技术中存在的不能精确地建立实际的多谐振点电感、多谐振点电阻的高频模型的问题；本发明首先通过阻抗分析仪测试，获得所需要建立模型的电阻或电感的阻抗曲线的幅频数据、相频数据；然后根据得到的幅频数据、相频数据，建立等效电路模型；根据建立的等效电路模型，得到阻抗的幅频表达式；根据幅频数据、相频数据以及幅频表达式，基于最小二乘法和粒子群智能优化算法的非线性拟合；计算等效电路模型的电路参数；最后将电路参数与对应的等效电路模型封装为SPICE模型。
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公开(公告)号：CN114551574A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210189091.2
申请日：2022-02-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。
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公开(公告)号：CN112615632B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011223311.6
申请日：2020-11-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H04B1/04
摘要： 本发明涉及一种数字辅助的模拟域失真抑制装置及方法，包括非理想器件用于根据输入信号输出失真的输出信号，并在装置对输入信号进行失真抑制后输出校正信号；失真分量提取部用于提取非理想器件的输入信号和输出信号，并对齐输入信号和输出信号之间存在的延时进行功率归一化后提取出输出信号的失真分量；反馈系数调整部用于调整所述失真分量大小到非理想器件引入的失真大小，输出反馈信号到输入端得到调整后的输入信号。本发明有效抑制了非理想射频器件产生的非线性和噪声导致的信号失真，通过在模拟域完成失真抑制减少了数字信号处理器件的使用，不需要额外复杂的计算来确定非理想器件的相关模型系数。
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公开(公告)号：CN113594256A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110951397.2
申请日：2021-08-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/552
摘要： 本发明提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明提出的结构，在不降低传统LDMOS击穿电压的情况下，通过局部SOI结构，制作出了Si‑SiO2的复合中心，可以减小电子空穴对的碰撞电离，能够让粒子束轨迹上的非平衡载流子快速复合，从而减小了瞬态电流的脉宽，提高了抗单粒子瞬态效应的能力。
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公开(公告)号：CN112615632A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011223311.6
申请日：2020-11-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H04B1/04
摘要： 本发明涉及一种数字辅助的模拟域失真抑制装置及方法，包括非理想器件用于根据输入信号输出失真的输出信号，并在装置对输入信号进行失真抑制后输出校正信号；失真分量提取部用于提取非理想器件的输入信号和输出信号，并对齐输入信号和输出信号之间存在的延时进行功率归一化后提取出输出信号的失真分量；反馈系数调整部用于调整所述失真分量大小到非理想器件引入的失真大小，输出反馈信号到输入端得到调整后的输入信号。本发明有效抑制了非理想射频器件产生的非线性和噪声导致的信号失真，通过在模拟域完成失真抑制减少了数字信号处理器件的使用，不需要额外复杂的计算来确定非理想器件的相关模型系数。
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公开(公告)号：CN110784237B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201911045070.8
申请日：2019-10-30
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种提高接收机无杂散动态范围的装置与方法，所述装置包括训练信号产生单元、控制单元、数模转换器、信号接收天线、单刀双掷开关、模数转换器和SFDR校正单元；所述训练信号产生单元的输出端与控制单元连接，所述控制单元的输出端分别与数模转换器和SFDR校正单元连接；所述模数转换器的输入端通过单刀双掷开关与信号接收天线或数模转换器连接；所述SFDR校正单元，用于构建模数转换器的逆非线性特征模型，并对逆非线性特征模型进行训练，得到成熟的逆非线性特征模型，利用成熟的逆非线性特征模型对通信接收信号进行校正。本发明有效了抑制非线性杂散，从而提高了接收机的SFDR值。
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公开(公告)号：CN108134583B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201711457319.7
申请日：2017-12-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种误差负反馈式线性化功率放大装置及方法,包括功分器、驱动放大器、合成器一、功率放大器、耦合器、分路信号调节组件、合成器二、反馈信号调节组件和反馈放大器；功分器的输出端分别与驱动放大器和分路信号调节组件连接，驱动放大器的输出端与合成器一的第一输入端连接，合成器一的输出端通过功率放大器与耦合器连接，耦合器的直通输出端进行信号输出，耦合器的耦合输出端连接到合成器二的第一输入端，所述合成器二的第二输入端与分路信号调节组件连接，合成器二的输出端依次通过反馈信号调节组件、反馈放大器与合成器一的第二输入端连接。本发明提供了一种误差负反馈式线性化功率放大装置及方法，具有线性度良好、效率高的优势。
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