一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112201725A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011005558.0

    申请日:2020-09-22

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0445

    摘要: 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法,在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体;升华源准备步骤,对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源;衬底处理步骤,对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥;窗口层形成步骤,在FTO衬底上形成硫化镉窗口层;吸收层形成步骤,在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层;退火步骤,吸收层生长结束后,对样品进行退火;背电极制备步骤,在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点,可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易衰退等问题,有助于太阳能电池的商业化推广和应用。

    一种硒化锑薄膜太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN110534591A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910771412.8

    申请日:2019-08-21

    摘要: 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池及制备方法,包括从上至下依次排列的电极、硒化锑吸光层、N型缓冲层、透明导电金属氧化物层、玻璃基底;其中N型缓冲层为ZnO薄膜。制备方法采用磁控溅射法沉积ZnO薄膜,近空间升华法沉积Sb2Se3薄膜,并进行热处理,利于减少界面处的缺陷,实现光生载流子的分离,并减少了太阳能电池中有毒元素的使用,利于提高光电转换效率,其制备工艺简单,适于工业化生产与应用。有益效果是:该方法实现了无毒N型缓冲层的制备与硒化锑层的大规模生产,具有广阔的光伏应用前景。