公开(公告)号：CN113506838A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110672189.9

申请日：2021-06-17

申请人： 西北工业大学深圳研究院 ,  西北工业大学 ,  西北工业大学青岛研究院

发明人： 谭婷婷 ,  徐云海 ,  孟庆岱 ,  魏登科 ,  查钢强 ,  李颖锐 ,  吴森

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及一种基于SnO2缓冲层Sb2Se3太阳能电池的制备方法，选用磁控溅射法沉积SnO2薄膜，近空间升华法CSS沉积Sb2Se3薄膜，并对SnO2薄膜和Sb2Se3薄膜分别进行退火改性，最后制备出了FTO/SnO2/Sb2Se3/Au顶衬结构的薄膜太阳能电池器件。磁控溅射法与喷雾热解法、低温热解法相比，制备的SnO2薄膜更加致密，纯度更高，重复性更好，厚度可控，在高真空腔室下溅射有效的避免了杂质的引入，制备的薄膜均匀性更好且不会产生废液和任何有害气体；CSS是一种将源材料加热使其快速升华并且在衬底上沉积薄膜的一种制备方法，CSS源的利用率高、工艺简单、重复性好、膜层纯度高，因此CSS制备的Sb2Se3薄膜更加适合商业化生产。

公开(公告)号：CN113013286A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110112201.0

申请日：2021-01-27

申请人： 西北工业大学深圳研究院 ,  西北工业大学

发明人： 孟庆岱 ,  魏登科 ,  李颖锐 ,  查钢强 ,  谭婷婷

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/072 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明提供一种高(hk1)晶面丰度的硒化锑薄膜、硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，解决现有硒化锑薄膜太阳能电池存在效率较低，稳定性较差的问题。本发明采用无毒缓冲层，制备顶衬结构的FTO/SnO2/Sb2Se3/Au薄膜太阳能电池或ITO/SnO2/Sb2Se3/Au薄膜太阳能电池，并采用热处理工艺，使硒化锑薄膜[221]和[211]择优生长取向增强，提高了(hk1)晶面丰度，促进了载流子的传输效率，使器件效率得到提高。该无毒太阳能电池可大面积制备，且在整个制备过程中无污染，适于工业化生产与应用。

公开(公告)号：CN110534591A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910771412.8

申请日：2019-08-21

申请人： 西北工业大学

发明人： 谭婷婷 ,  张华 ,  孙娅玲 ,  查钢强 ,  胡瑞琪 ,  孟庆岱 ,  陶润民

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池及制备方法，包括从上至下依次排列的电极、硒化锑吸光层、N型缓冲层、透明导电金属氧化物层、玻璃基底；其中N型缓冲层为ZnO薄膜。制备方法采用磁控溅射法沉积ZnO薄膜，近空间升华法沉积Sb2Se3薄膜，并进行热处理，利于减少界面处的缺陷，实现光生载流子的分离，并减少了太阳能电池中有毒元素的使用，利于提高光电转换效率，其制备工艺简单，适于工业化生产与应用。有益效果是：该方法实现了无毒N型缓冲层的制备与硒化锑层的大规模生产，具有广阔的光伏应用前景。