-
公开(公告)号：CN112201725A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011005558.0
申请日：2020-09-22
申请人： 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445
摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体；升华源准备步骤，对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源；衬底处理步骤，对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥；窗口层形成步骤，在FTO衬底上形成硫化镉窗口层；吸收层形成步骤，在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层；退火步骤，吸收层生长结束后，对样品进行退火；背电极制备步骤，在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点，可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易衰退等问题，有助于太阳能电池的商业化推广和应用。
-
公开(公告)号：CN112458543B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202011281223.1
申请日：2020-11-16
摘要： 本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法，配置专用的粗抛液和细抛液，对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面，配置专用的腐蚀液，按照腐蚀30s后取出，然后用甲醇超声清洗30s，再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min，最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀；再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理，使得CZT多晶膜表面度提高，大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
-
公开(公告)号：CN112458543A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011281223.1
申请日：2020-11-16
摘要： 本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法，配置专用的粗抛液和细抛液，对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面，配置专用的腐蚀液，按照腐蚀30s后取出，然后用甲醇超声清洗30s，再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min，最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀；再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理，使得CZT多晶膜表面度提高，大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
-
公开(公告)号：CN112289711A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011145437.6
申请日：2020-10-23
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制造方法，该衬底加热台的结构包括加热部分、水冷部分、热电偶和掩膜板。加热部分位于加热台下部四周，可插红外灯管，实现对衬底的直接加热；水冷部分位于加热台内部腔体，腔体内部设有三个水路挡板用于实现内部水流的“S”型走位，提高水流的速度，提高对衬底的散热效率；热电偶位于加热台的中部，其底部与加热台底部平齐，可实现对衬底的精确测温；掩膜板位于加热台的下部，与加热台是两个独立的部件，可通过加热台下部的螺纹洞，用螺丝将掩膜板栓在加热台上，使衬底背部与加热台底部平齐。本发明设计的这款低温型衬底加热台可实现衬底温度在25℃到300℃的范围内温度可调。
-
公开(公告)号：CN110473771A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910696261.4
申请日：2019-07-30
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法，用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1-xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室，通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离，关闭炉门，先开启机械泵抽真空，使腔室内真空度小于10pa，开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统，缓慢升温到设定温度，低温形核，采取重复生长方式，防止TFT衬底损坏，生长结束后，缓慢降温到一定温度然后自然冷却，由于采用了低温形核和重复生长方式，解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。
-
公开(公告)号：CN112289711B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202011145437.6
申请日：2020-10-23
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制造方法，该衬底加热台的结构包括加热部分、水冷部分、热电偶和掩膜板。加热部分位于加热台下部四周，可插红外灯管，实现对衬底的直接加热；水冷部分位于加热台内部腔体，腔体内部设有三个水路挡板用于实现内部水流的“S”型走位，提高水流的速度，提高对衬底的散热效率；热电偶位于加热台的中部，其底部与加热台底部平齐，可实现对衬底的精确测温；掩膜板位于加热台的下部，与加热台是两个独立的部件，可通过加热台下部的螺纹洞，用螺丝将掩膜板栓在加热台上，使衬底背部与加热台底部平齐。本发明设计的这款低温型衬底加热台可实现衬底温度在25℃到300℃的范围内温度可调。
-
公开(公告)号：CN110473771B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910696261.4
申请日：2019-07-30
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法，用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1‑xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室，通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离，关闭炉门，先开启机械泵抽真空，使腔室内真空度小于10pa，开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统，缓慢升温到设定温度，低温形核，采取重复生长方式，防止TFT衬底损坏，生长结束后，缓慢降温到一定温度然后自然冷却，由于采用了低温形核和重复生长方式，解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.053 秒)
