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公开(公告)号：CN107132577B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201710544009.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01V1/30
Abstract: 本发明公开了一种基于谱面积变化的地震衰减估计方法，包括步骤1：利用常相位子波来估计实际震源子波及其参数；步骤2：计算震源子波的傅里叶谱面积；步骤3：计算衰减子波的傅里叶谱面积；步骤4：计算震源子波和衰减子波的傅里叶谱面积变化量；步骤5：计算相对Q值，进行地震数据衰减估计。本发明利用常相位子波估计震源子波并得到估计参数，利用估计得到的震源子波和衰减子波之间傅里叶谱面积的变化量，计算得到相对Q值，进行地震衰减估计和衰减储层刻画。通过对无噪的和含噪的合成地震记录进行衰减估计，验证了本方法的准确性和稳定性。将该方法应用于实际资料，其衰减估计结果能够很好地刻画含气储层。
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公开(公告)号：CN104538284A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410842151.1
申请日：2014-12-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/7813
Abstract: 本发明公开了一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺，其特征在于，在衬底材料上初步加工完成化合物半导体部件后，通过在硅片上加工形成相应的金属布线方式，使该化合物半导体部件在倒置后，部件的引出端与硅片上的金属引线指定位置相键合，形成对化合物半导体器件的电性连接以及机械支撑。通过此加工方法，化合物半导体器件的衬底材料可在剥离后重复利用，大幅缩减在化合物半导体加工过程中衬底材料的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107132577A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710544009.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01V1/30
CPC classification number: G01V1/307 , G01V2210/63
Abstract: 本发明公开了一种基于谱面积变化的地震衰减估计方法，包括步骤1：利用常相位子波来估计实际震源子波及其参数；步骤2：计算震源子波的傅里叶谱面积；步骤3：计算衰减子波的傅里叶谱面积；步骤4：计算震源子波和衰减子波的傅里叶谱面积变化量；步骤5：计算相对Q值，进行地震数据衰减估计。本发明利用常相位子波估计震源子波并得到估计参数，利用估计得到的震源子波和衰减子波之间傅里叶谱面积的变化量，计算得到相对Q值，进行地震衰减估计和衰减储层刻画。通过对无噪的和含噪的合成地震记录进行衰减估计，验证了本方法的准确性和稳定性。将该方法应用于实际资料，其衰减估计结果能够很好地刻画含气储层。
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公开(公告)号：CN107390267B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710626472.1
申请日：2017-07-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01V1/28
Abstract: 一种同步挤压变换域的地震资料衰减补偿方法，该方法在同步挤压变换域中，将衰减补偿过程表示为一个带有L1范数正则化的反问题，并通过迭代重加权算法进行求解，从而实现稳定化的衰减补偿。其中，同步挤压变换能压制时频能量的扩散，得到更为稀疏和高度局域化的时频表示，从而有利于对非平稳的地震信号实现衰减的补偿。该方法利用了信号在同步挤压变换域的稀疏性质，引入了L1范数正则化方法来稳定化衰减补偿过程，从而避免噪声放大问题。利用提出的方法实现地震衰减效应的补偿，可以增强地震资料的分辨率，为后续的地震反演和储层描述带来便利。
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公开(公告)号：CN104851915B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510184598.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种槽栅型化合物半导体功率VDMOS器件及提高其击穿电压的方法，通过在沟槽型化合物半导体功率VDMOS器件的沟槽下方引入与Body区域具有相同电势的分布式同型掺杂区域，当在功率器件的源区施加一定的反向电压后，在沟槽下方形成连续的耗尽区，避免了沟槽型化合物半导体功率VDMOS器件最薄弱的绝缘介质层击穿问题，制作工艺简单，并可有效提高其耐压能力。
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公开(公告)号：CN104851915A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510184598.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0661
Abstract: 本发明提供了一种槽栅型化合物半导体功率VDMOS器件及提高其击穿电压的方法，通过在沟槽型化合物半导体功率VDMOS器件的沟槽下方引入与Body区域具有相同电势的分布式同型掺杂区域，当在功率器件的源区施加一定的反向电压后，在沟槽下方形成连续的耗尽区，避免了沟槽型化合物半导体功率VDMOS器件最薄弱的绝缘介质层击穿问题，制作工艺简单，并可有效提高其耐压能力。
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公开(公告)号：CN107390267A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710626472.1
申请日：2017-07-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01V1/28
CPC classification number: G01V1/28 , G01V2210/48
Abstract: 一种同步挤压变换域的地震资料衰减补偿方法，该方法在同步挤压变换域中，将衰减补偿过程表示为一个带有L1范数正则化的反问题，并通过迭代重加权算法进行求解，从而实现稳定化的衰减补偿。其中，同步挤压变换能压制时频能量的扩散，得到更为稀疏和高度局域化的时频表示，从而有利于对非平稳的地震信号实现衰减的补偿。该方法利用了信号在同步挤压变换域的稀疏性质，引入了L1范数正则化方法来稳定化衰减补偿过程，从而避免噪声放大问题。利用提出的方法实现地震衰减效应的补偿，可以增强地震资料的分辨率，为后续的地震反演和储层描述带来便利。
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