公开(公告)号：CN109545843A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811461254.8

申请日：2018-12-02

申请人： 仪征市坤翎铝业有限公司

发明人： 洪越

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/0661

摘要： 本发明涉及一种集成电子三极管，包括三极管本体，其特征在于，集成电阻、二极管和一个三极管，其中电阻和反向偏置的二极管依次连接在三极管的基极与发射极之间，所述三极管的集电极为集成三极管的集电极，所述三极管的发射极为集成三极管的发射极，所述反向偏置二极管的负极为集成三极管的基极，本发明的有益效果为，将保护三极管的外围元器件，如电阻和二极管，与三极管集成在一起形成集成三极管，设计人员在设计时可直接选用集成三极管，而不需为其再设计保护电路，如此在制作电路板时能够既节省焊接工序，又可减小电路板尺寸的同时也可以保护三极管。

公开(公告)号：CN104733301B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410791956.8

申请日：2014-12-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/78

摘要： 用于制造具有斜切边缘终止的半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括形成从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。沟槽具有相对于半导体主体的垂直方向斜切的至少一个侧壁。该方法还包括移除至少在沟槽的底部和与半导体主体的第一表面相对的第二表面之间的半导体主体的材料。

公开(公告)号：CN108231868A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711433835.6

申请日：2014-10-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·聪德尔 ,  K-H·巴赫 ,  A·伍德

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

摘要： 本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧，其中，半导体主体在竖直的横截面中还包括：漂移区，其至少在边缘区域中延伸至表面并且部分地安置在半导体台面之中；以及至少部分地安置在半导体台面之中的主体区，其与漂移区形成第一pn结，第一pn结在半导体台面的两个侧壁之间延伸，其中，第一pn结在水平方向上离半导体台面顶侧的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁隔开的中央区域中采用最大的值(d1)。

公开(公告)号：CN108110053A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810069975.8

申请日：2013-05-29

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·高蒂尔

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/747

摘要： 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

公开(公告)号：CN105247683B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480012210.0

申请日：2014-03-04

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN105378903B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201380078117.5

申请日：2013-07-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大月咏子 ,  贞松康史 ,  吉浦康博

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/12036

摘要： n‑型半导体衬底(1)具有有源区域和终端区域，该终端区域与有源区域相比配置在外侧。在有源区域，在n‑型半导体衬底(1)的上表面的一部分形成有p+型阳极层(2)。在终端区域，在n‑型半导体衬底(1)的上表面形成有多个p+型保护环层(3)。在n‑型半导体衬底(1)的下表面形成有n+型阴极层(5)。阳极电极(6)与p+型阳极层(2)连接。金属制的阴极电极(7)与n+型阴极层(5)连接。在终端区域，n+型阴极层(5)被挖除而形成凹部(8)。阴极电极(7)也形成在凹部(8)内。

公开(公告)号：CN104282685B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410459730.8

申请日：2012-06-04

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 格哈德·施密特

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/0626 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/167 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明提供了功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括：半导体衬底；有源器件区，其置于所述半导体衬底中；边缘终端区，其置于所述有源器件区与所述半导体衬底的横向边缘之间的所述半导体衬底中；以及硫族元素掺杂原子区，其置于邻近所述半导体衬底的所述横向边缘的所述边缘终端区中。

公开(公告)号：CN107507859A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710774025.0

申请日：2017-08-31

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 田晓丽 ,  白云 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  陈宏 ,  刘新宇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明提供一种碳化硅器件终端的制作方法，包括：步骤一、在N+-SiC衬底上生长N--SiC外延层；步骤二、在N--SiC外延层中制备P--SiC JTE区和N型截止环，其中P--SiC JTE区刻蚀有淀积第一钝化层的浅凹槽，N型截止环位于器件终端外缘；步骤三：在N--SiC外延层表面制备叠层结构，包括叠放顺序从下依次向上的第二钝化层、多晶硅场板、第三钝化层和金属场板，多晶硅场板和金属场板覆盖P--SiC JTE区以及P--SiC JTE区与N型截止环之间的部分区域，金属场板在远离N型截止环一侧的部分区域直接位于多晶硅场板上，在靠近N型截止环一侧向器件终端外缘方向伸出多晶硅场板。本发明还提供一种碳化硅器件终端。本发明能够提高器件耐电荷性和可靠性。

公开(公告)号：CN104620366B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201380047535.8

申请日：2013-07-02

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 梅田英和 ,  海原一裕 ,  田村聪之

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786

摘要： 减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。

公开(公告)号：CN107078156A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680002719.6

申请日：2016-01-05

申请人： 马克斯半导体股份有限公司

发明人： 曾军 ,  穆罕默德·达维希

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/0465 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

摘要： 反向导通IGBT，其中集电极侧包括二极管端区，并且半导体材料穿过二极管端区比穿过集电极区厚得多。这利用由二极管端区占据的面积分数来对晶圆提供增加的刚性，从而避免翘曲。