公开(公告)号：CN108899401A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810689886.3

申请日：2018-06-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宁静 ,  张弛 ,  王东 ,  张进成 ,  沈雪 ,  陈智斌 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/12

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法。其方案是：在蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜得到基板；在金属衬底上生长石墨烯，将石墨烯转移到基板上，得到覆盖石墨烯的基板，并对其进行热处理；在热处理后的覆盖石墨烯基板上生长N型GaN，得到N型GaN基板；在N型GaN基板上生长多量子阱层；在多量子阱层上生长P型GaN层；在P型氮化镓上旋涂得到透明导电层；对P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层进行干法刻蚀；生长SiO2保护层；干法刻蚀出电极区并生长电极，完成器件制备。本发明提高了石墨烯插入层和GaN外延层的质量，从而提升了LED的发光效率，可用于制作GaN基半导体器件。

公开(公告)号：CN103152844A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310047202.7

申请日：2013-01-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任佟 ,  杨超 ,  马建峰 ,  何云华 ,  侯婉婷 ,  张弛 ,  黄为 ,  王照羽

IPC分类号： H04W88/10

摘要： 本发明公开的一种无线路由器功能查询显示系统，包括无线路由器、模式查询模块、功能查询模块、文件模块、字模表、显示模块，无线路由器通过模式查询模块和功能查询模块对功能文件模块的查询，利用显示模块将字模显示出来。本发明公开的一种无线路由器功能查询显示方法，包括七个主要步骤：查询无线路由器的工作模式；确定无线路由器当前的工作模式；选取当前模式下的无线路由器功能状态；查询当前模式的无线路由器功能；定位字模；在显示模块中输入获得的字模；显示字模。本发明实现了支持与具备3G模式、WIFI模式、有线宽带模式、网络禁用模式下无线路由器功能信息的精确匹配，提高了设备模式切换的准确性，增强了产品的可靠性。

公开(公告)号：CN117872298B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410286061.2

申请日：2024-03-13

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郭亮 ,  王志豪 ,  张弛 ,  荆丹 ,  许晴 ,  韩亮 ,  白剑 ,  赵杨 ,  汤恒仁 ,  邢孟道

IPC分类号： G01S7/40 ,  G01S7/00

摘要： 本发明公开了一种基于Qt的雷达系统的上位机系统及控制方法，该系统包括：线程管理模块，用于根据用户命令生成针对n个第一配置模块中的第一目标模块或m个第二配置模块中的第二目标模块的控制信息；第一目标模块或第二目标模块，用于根据控制信息生成配置参数；通信模块，采用预设接口和预设网口中的至少一种与构成雷达系统的多个不同的下位机系统连接，用于将配置参数发送至对应的下位机系统，从下位机系统处接收针对第一目标模块所生成的配置参数的反馈数据；可视化模块，用于将反馈数据转换为图片显示，当接收到用户存储命令时，将图片发送至存储模块；存储模块，用于将反馈数据和图片发送至对应的下位机系统存储。

公开(公告)号：CN116152307B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310347479.5

申请日：2023-04-04

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郭亮 ,  张弛 ,  李亚超 ,  荆丹 ,  许晴 ,  郭交 ,  陈帅霖 ,  王根 ,  苗昊春 ,  黎海青 ,  邢孟道

IPC分类号： G06T7/30 ,  G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  G06F16/174 ,  G06F17/14

摘要： 本发明涉及一种基于FPGA的SAR图像配准预处理装置，利用FPGA对输入的SAR图像数据进行卷积运算和小波变换运算的并行处理，得到SAR图像增强结果和SAR图像压缩结果，基于FPGA的SAR图像配准预处理装置，包括：数据缓存器、地址计数器、图像卷积运算模块、小波变换运算模块、延时寄存器组和数据传输状态机。本发明的基于FPGA的SAR图像配准预处理装置，基于FPGA实现SAR成像的景象匹配预处理，通过FPGA实现对小波变换运算（图像压缩）和卷积运算（图像增强）的简单、快速、实时、流水及并行的运算方式，降低FPGA资源利用率，从而降低该装置成本，减少SAR成像实时图像预处理时间。

公开(公告)号：CN111208515B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202010055280.1

申请日：2020-01-17

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 唐世阳 ,  张弛 ,  张林让 ,  任义 ,  张娟

IPC分类号： G01S13/90 ,  G01S7/40

摘要： 本发明涉及一种基于二维非线性映射的SAR运动补偿方法，包括步骤：接收飞机姿态信息、瞬时速度信息和天线角度信息；对飞机姿态信息、天线角度信息和瞬时速度信息进行预处理，得到载机到参考点的斜距历程；对SAR成像系统接收的回波信号依次进行下变频、距离脉压处理，得到距离脉压后的距离频率域回波信号；根据斜距历程对距离脉压后的距离频率域回波信号进行一致相位补偿，得到一致相位补偿后的距离频率域回波信号；对一致相位补偿后的距离频率域回波信号进行二维插值，得到基于二维非线性映射关系插值空间的信号；对基于二维非线性映射插值空间的信号进行二维逆傅里叶变换，得到SAR聚焦图像。该补偿方法解决了现有技术中运动补偿效果不佳的问题。

公开(公告)号：CN115483225A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210944952.3

申请日：2022-08-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宁静 ,  张弛 ,  张进成 ,  王东 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种横向同质异质结存储器器件及制备方法，存储器器件包括：衬底栅层、第一介质层、第二介质层、二维半导体沟道层和欧姆电极，其中，第一介质层和第二介质层均位于衬底栅层上，且第一介质层和第二介质层相接触；二维半导体沟道层位于第一介质层和第二介质层上；欧姆电极位于二维半导体沟道层的两端。该存储器器件通过复合介质层对二维半导体沟道层进行介质调控和静电栅调控，使得同质材料中形成横向异质结，形成的横向异质结截面处于第一介质层和第二介质层的交界处，且形成的横向异质结界面只有一条线，减少了界面处的缺陷，并且由于是采用同种材料形成的异质结，所以不存在不同材料间的晶格失配问题，提高了存储器电学性能。

公开(公告)号：CN103152844B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310047202.7

申请日：2013-01-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任佟 ,  杨超 ,  马建峰 ,  何云华 ,  侯婉婷 ,  张弛 ,  黄为 ,  王照羽

IPC分类号： H04W88/10

摘要： 本发明公开的一种无线路由器功能查询显示系统，包括无线路由器、模式查询模块、功能查询模块、文件模块、字模表、显示模块，无线路由器通过模式查询模块和功能查询模块对功能文件模块的查询，利用显示模块将字模显示出来。本发明公开的一种无线路由器功能查询显示方法，包括七个主要步骤：查询无线路由器的工作模式；确定无线路由器当前的工作模式；选取当前模式下的无线路由器功能状态；查询当前模式的无线路由器功能；定位字模；在显示模块中输入获得的字模；显示字模。本发明实现了支持与具备3G模式、WIFI模式、有线宽带模式、网络禁用模式下无线路由器功能信息的精确匹配，提高了设备模式切换的准确性，增强了产品的可靠性。

公开(公告)号：CN102170412B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110071591.8

申请日：2011-03-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张海林 ,  赵力强 ,  王强 ,  李勇朝 ,  刘毅 ,  刘龙伟 ,  陈会亮 ,  张弛 ,  黄维博 ,  王晓元

IPC分类号： H04L25/02 ,  H04L25/03

摘要： 本发明公开了一种基于多点多用户协作下行的干扰松弛对齐方法，其具体步骤包括：(1)根据通信系统对性能需求的不同和传输方式的不同，发送端采用相 应的信道估计技术完成信道估计，得到信道矩阵参数；(2)建立由松弛因子λ松弛干扰对齐约束条件后形成的约束条件和目标函数组成的优化方程；(3)求解优化方程；(4)各发送端分别用求解出的波束成形矩阵左乘发送信号完成预处理；(5)各接收端分别用求解出的干扰消除矩阵的共轭转置左乘接收到的信号完成后处理。本发明具有可以快速求解出用于抑制多用户干扰所需的波束成形矩阵集合和干扰消除矩阵集合，并通过发送端和接收端分别进行预处理和后处理抑制多用户干扰的优点。

公开(公告)号：CN102170412A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110071591.8

申请日：2011-03-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张海林 ,  赵力强 ,  王强 ,  李勇朝 ,  刘毅 ,  刘龙伟 ,  陈会亮 ,  张弛 ,  黄维博 ,  王晓元

IPC分类号： H04L25/02 ,  H04L25/03

摘要： 本发明公开了一种基于多点多用户协作下行的干扰松弛对齐方法，其具体步骤包括：(1)根据通信系统对性能需求的不同和传输方式的不同，发送端采用相 应的信道估计技术完成信道估计，得到信道矩阵参数；(2)建立由松弛因子λ松弛干扰对齐约束条件后形成的约束条件和目标函数组成的优化方程；(3)求解优化方程；(4)各发送端分别用求解出的波束成形矩阵左乘发送信号完成预处理；(5)各接收端分别用求解出的干扰消除矩阵的共轭转置左乘接收到的信号完成后处理。本发明具有可以快速求解出用于抑制多用户干扰所需的波束成形矩阵集合和干扰消除矩阵集合，并通过发送端和接收端分别进行预处理和后处理抑制多用户干扰的优点。

公开(公告)号：CN115084260A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210645314.1

申请日：2022-06-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宁静 ,  吴晶晶 ,  王东 ,  张进成 ,  赵江林 ,  张弛 ,  曾瑜 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件，主要解决了现有GaN‑HEMT器件击穿电压低的问题。其包括：衬底、本征GaN缓冲层、电流孔径、GaN沟道层、AlN层、AlGaN势垒层、P‑GaN帽层、源栅电极及钝化层；该本征GaN缓冲层与电流孔径之间，垂直设有两种不同掺杂浓度的第一P型GaN层和第二P型GaN层，以分别与本征GaN缓冲层形成PN结；该衬底与本征GaN缓冲层之间，垂直设有二维材料层、第一AlN层、第二AlN层和掺铁的GaN层；该二维材料层、第一AlN层、第二AlN层及衬底的中间开有通孔，孔内蒸镀有金属形成漏极。本发明减小了导通电阻，提高了击穿电压，可用于电力电子系统。