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公开(公告)号：CN118329137A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410505534.3
申请日：2024-04-25
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
发明人： 吴春龙
IPC分类号： G01F1/50
摘要： 本发明涉及一种用于半导体设备的质量流量检测装置，包括：腔体，所述腔体设置有温度检测器和压力检测器；第一上游管路和第二上游管路，所述第一上游管路和第二上游管路并联设置在所述腔体的上游，所述第一上游管路设置有第一临界流喷嘴和第一阀，所述第二上游管路设置有第二阀；第一下游管路；至少一个第二下游管路，所述第一下游管路设置有第三阀，每个所述第二下游管路上均设置有第二临界流喷嘴和第四阀；其中，在第一阶段，气体经过所述第一临界流喷嘴，通过上升速率法获取第一阶段的流量值；第二阶段，气体经过至少一第二临界流喷嘴，通过第一阶段获取的流量值获取气体函数，根据所述气体函数获取不同流量下的校准流量值。本发明仅需一个压力检测器即可完成所需的压力数据采集，具有宽量程、小体积和高精度的优点。
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公开(公告)号：CN117810130A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311862625.4
申请日：2023-12-29
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
发明人： 包祺
摘要： 本发明涉及一种测量气体流量的方法，包含以下步骤：S1、提供一具有固定体积的用于处理晶圆的腔室，提供至少一测量准确的第一流量控制器，以及至少一第二流量控制器，所述第一流量控制器与所述第二流量控制器并联；S2、仅利用一所述第一流量控制器向所述腔室提供已知流量的第一气体，获得校准因子；S3、仅利用一所述第二流量控制器向所述腔室提供第二气体，根据所述腔室的压力随时间的变化和所述校准因子获得所述第二流量控制器的流量。本发明提供的测量气体流量的方法可适用于大流量的流量控制器的校准，且可在高温环境下进行流量校准。
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公开(公告)号：CN117457518A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311288742.4
申请日：2023-10-07
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种测试晶圆掺杂浓度的方法，包含以下步骤：S1、提供一晶圆，在所述晶圆上形成掺杂的外延层；S2、测量所述外延层的厚度和薄层电阻，获得厚度值和薄层电阻值；S3、将所述厚度值和薄层电阻值代入掺杂浓度预测模型，获得所述外延层的预测掺杂浓度；其中，所述掺杂浓度预测模型是通过掺杂物浓度与所述厚度、所述薄层电阻之间的关系建立的数学模型。本方法可以减少测试周期、降低测试成本。
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公开(公告)号：CN116819946A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310664086.7
申请日：2023-06-06
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
发明人： 陈佳伟
IPC分类号： G05B11/42
摘要： 本申请提供一种半导体设备的实时控压系统，包括：压力传感器，用于接收实时气压值和目标气压值的上位机，输入端和输出端分别电连接于上位机的PID模块，自学习控制模块电连接于PID模块并根据目标气压值获得第一控制信号；调节阀与上位机的另一端连接；调节阀包括驱动部件，用于接收上位机发送的第一控制信号以驱动调节阀阀板。本申请的半导体设备的实时控压系统、半导体设备和控制方法，通过在实时控压系统中设置压力传感器、上位机、PID模块、自学习控制模块和调节阀，自学习控制模块根据不同目标压力调整调节阀的开度，提高调节阀的调节效率。
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公开(公告)号：CN114420526B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210053490.6
申请日：2022-01-18
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于晶圆预处理装置的衬套，包括：环形侧壁，所述环形侧壁包括上环部和下环部；所述上环部设置有至少两组通气孔组，所述通气孔组由贯穿衬套内表面和外表面的若干个通气孔构成，每一组通气孔组沿着衬套的周向分布一圈。通过在衬套上设置多组通气孔组，加大了气流排出的流量，从而可以减小气流在腔体内淤积导致的分布不均匀，且多组通气孔组之间是上下排布的，避免了仅在某一平面抽气带来的气流湍急。
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公开(公告)号：CN116480777A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210037773.1
申请日：2022-01-13
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种密封结构，用于衬底处理设备的法兰、上顶和腔体之间的密封，包括：法兰‑上顶密封隔离组件，用于法兰与上顶之间的密封，以及上顶的垂直方向的防接触破裂保护；上顶‑腔体密封隔离组件，用于上顶与腔体之间的密封，以及上顶的垂直方向的防接触破裂保护；法兰‑腔体密封组件，用于法兰与腔体之间的密封；上顶水平方向隔离组件，用于上顶的水平方向的防接触破裂保护。本发明还涉及一种应用该密封结构的衬底处理设备。本发明可在实现高温状态下的衬底处理设备真空密封及上顶对中的基础上，在安装及工艺处理过程中完全隔绝石英与金属的直接接触，解决石英上顶存在碎裂风险的技术问题。
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公开(公告)号：CN116343960A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310219410.4
申请日：2023-03-08
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法，所述方法包含以下步骤：S1、提供具有腔体的外延设备；S2、设定工艺参数，向所述腔体内通入工艺气体，在衬底上生长锗硅外延层；S3、获得该工艺参数对应的锗硅外延层的生长速率；S4、改变所述工艺参数，并重复S2至S3步骤，获得改变后的工艺参数下的锗硅外延层的生长速率；S5、根据每一个工艺参数和该工艺参数对应的生长速率，获得关于工艺参数的所述锗硅生长速率拟合模型；本发明提出的拟合模型能够准确推算锗硅外延层的生长速率，且适用工艺范围更广泛。
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公开(公告)号：CN115928048A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211505649.X
申请日：2022-11-28
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
发明人： 尹宁
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了半导体设备及其气体管路、工艺气体的加热方法，所述气体管路包括：由气体供应源到半导体处理设备的反应腔的方向上依次连接的第一区段、第二区段和第三区段，所述第二区段上设置有流量控制器件；所述第一区段与第三区段上分别设置有可独立控温的第一加热单元、第二加热单元，用于分别加热第一区段及第三区段，从而分区加热气体管路内工艺气体。本发明通过分区加热气体管路进而分区加热气体管路内的工艺气体，一方面可以提高工艺气体温度，以避免其凝结在气体管路中造成气体管路压力变化以及薄膜沉积质量低问题，另一方面可以避免流入到流量控制器件内的工艺气体的温度过高而损坏所述流量控制器件。
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公开(公告)号：CN115527838A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211295546.5
申请日：2022-10-21
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , C30B25/18 , C30B23/02
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理工艺，包括步骤：a)将基片放置于基座上；b)向反应腔通入预处理气体，基座的温度为100℃‑140℃，反应腔的压力为0.01Torr‑10Torr，去除基片的氧化层；c)去除基片的氧化层结束，停止通入预处理气体；其中，所述预处理气体包括含氢等离子体和含氟等离子体。本发明提供了合适的工艺窗口，使工艺气体与氧化层结合形成氨基络合物和氨基络合物的升华能够同步在同一个腔室内进行，提高了工艺效率，缩短了工艺时间。
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公开(公告)号：CN115404470A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211018511.7
申请日：2022-08-24
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
IPC分类号： C23C18/52 , C23C16/44 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种密封内衬、半导体设备平台及维护方法。所述半导体设备平台包括相互连接的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体包括连通第一腔体内外的第一端口，所述第二腔体包括连通第二腔体内外的第二端口；所述密封内衬包括：内衬本体，所述内衬本体与第一端口和第二端口分别连接；密封装置，所述密封装置设置于内衬本体，用于内衬本体与第一端口的密封、及内衬本体与第二端口的密封；所述内衬本体可以在所述第一腔体的内部进行安装或拆卸。本发明解决了现有技术的更换腔体间密封圈操作不便、费时费力的技术问题，缩短了维修周期，降低了生产成本，同时具有理想的密封效果，且能避免密封圈污染工艺处理环境。
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