一种紫外LED芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN108336196A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810080422.2

    申请日:2018-01-27

    摘要: 本发明公开了一种紫外LED芯片的制备方法,该方法采用特殊工艺清洗的硅衬底;本发明的方法不需要大面积刻蚀去除GaN层,降低了工艺的难度,进一步的提高了GaN层的光萃取效率;本发明的外延结构的生长过程中,制备组分均匀、缺陷密度低的高质量四元AlInGaN材料,形成InGaN/AlxInyGa1-x-yN多量子阱结构层,使量子阱结构的势垒和势阱层材料的晶格常数达到完全匹配;本发明用紫外光激发红、蓝、绿三色荧光胶体作为LED芯片的保护层,所用胶体不易被紫外光和臭氧所分解,无双键存在,在高温下分子的化学键不断裂,胶体固化后呈无色透明胶状体,对PPA及金属有一定的粘附和密封性良好,具有优异的电气绝缘性能和良好的密封性。

    一种纳米纤维素氧化铈传感器材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108226227A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711494706.8

    申请日:2017-12-31

    IPC分类号: G01N27/00

    CPC分类号: G01N27/00

    摘要: 本发明公开了一种纳米纤维素氧化铈传感器材料的制备方法,本发明将纳米纤维素与氧化铈结合,有助于改善氧化铈的表面形态,获得高比表面积,进而调控其表面活性空位,提高气体响应率,克服金属氧化物半导体NO2气体传感器的灵敏度低、响应速度慢、稳定性差等问题,增强了传感器检测的灵敏度;该方法制备工艺简单,通过提高材料比表面积和表面活性空位提高了响应效率,降低了响应温度。

    一种防腐锰铋铝永磁材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107833724A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711047339.7

    申请日:2017-10-31

    IPC分类号: H01F1/047 H01F41/02

    CPC分类号: H01F1/047 H01F41/0266

    摘要: 本发明公开了一种防腐锰铋铝永磁材料的制备方法,该方法制得的永磁材料具有优异、稳定的永磁性能,并且可以通过简单易行的制备方法获得;本发明将化学固化和光固化相结合,缩短固化时间,提高磁性材料的固化速度,从而提高制件的成形率,提升磁材的制备效率;本发明还对锰铋铝永磁材料进行表面处理,可以使锰铋铝永磁材料具备优良的耐腐蚀性、超低减磁性以及抗冲击等优点。