公开(公告)号：CN102280422A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110224384.1

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的名称是“包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片”。本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN101208798A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022867.0

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN102280422B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110224384.1

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的名称是“包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片”。本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN101208798B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680022867.0

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。