-
公开(公告)号:CN101227188A
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200710159604.0
申请日:2007-08-08
申请人: 三星SDI株式会社
IPC分类号: H03K19/0944 , G09G3/32
CPC分类号: H03K19/09441 , G09G3/3266 , G09G2310/06
摘要: 公开了逻辑门、扫描驱动器以及使用其的有机发光二极管显示器。逻辑门包括:第一驱动器,接收输入信号,并且与输入信号对应地控制在第一电源和第一节点之间的连接;第二驱动器,耦合到第一节点和第二电源,并且控制第一节点的电压;第三驱动器,与第一节点的电压对应地控制在输出端子和该第一电源之间的连接;控制晶体管,控制第三驱动器与第二电源之间的连接;第四驱动器,控制控制晶体管的栅极电极和第二电源之间的连接;以及第二电容器,在控制晶体管的第一电极和控制晶体管的栅极电极之间,其中该晶体管是同一类型的MOS晶体管。
-
公开(公告)号:CN108141216A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680061019.4
申请日:2016-10-24
申请人: 阿里·帕西欧
发明人: 阿里·帕西欧
IPC分类号: H03K19/0944 , H03K19/00 , G05F3/20
CPC分类号: H03K19/0013 , G05F3/20 , H03K19/0027 , H03K19/01707 , H03K19/09441
摘要: 根据本发明,仅需使用一种增强类型的MOS晶体管来实现硬件中的典型布尔函数。较佳地,MOS晶体管类型允许反向偏置控制以调整和补偿操作条件。当在仅PMOS晶体管中实现时,下拉功能由具有连接到输出端上的门和源极的单个晶体管来执行。这种类型的连接确保下拉功能由下拉晶体管的泄漏电流执行。当所有上拉路径关闭时,所有上拉晶体管的漏电流需要小于该下拉电流。这些截止电流的比值可以通过晶体管的纵横比来调整。该逻辑类型在低电压下提供极低的电流消耗,并且可以避免在超低功耗设计中经常使用的更复杂的关断电路的可能性。与现有的解决方案相比,该逻辑类型提供了更高的运行速度。
-
公开(公告)号:CN105378822B
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201480038317.2
申请日:2014-06-20
申请人: 追踪有限公司
发明人: I·帕帕斯
IPC分类号: G09G3/34 , G11C19/28 , H03K19/00 , H03K19/0944
CPC分类号: H01L27/1225 , G09G3/3433 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2330/021 , G11C19/28 , H01L27/1255 , H03K19/01714 , H03K19/09441 , H03K19/20
摘要: 本发明提供用于全n型晶体管反相器电路的系统、方法和设备。电路可包含输入薄膜晶体管TFT、下拉TFT、放电TFT、第一上拉TFT、第二上拉TFT及浮动电容器。所述电路还可包含第一和第二低电压电压源及第一和第二高电压电压源。所述TFT、所述电容器及所述电压源可耦合使得所述电路的输出与所述电路的输入逻辑相反。在一些实施方案中,所述电路可展现处于两个逻辑状态的零DC电流且可输出实质上等于由所述第一低电压电压源和所述第二高电压电压源输出的电压的电压。在一些实施方案中,所述电路可用于构建用于有源矩阵电子显示器的D触发器、缓冲器及控制器。
-
公开(公告)号:CN105378822A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201480038317.2
申请日:2014-06-20
申请人: 皮克斯特隆尼斯有限公司
发明人: I·帕帕斯
IPC分类号: G09G3/34 , G11C19/28 , H03K19/00 , H03K19/0944
CPC分类号: H01L27/1225 , G09G3/3433 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2330/021 , G11C19/28 , H01L27/1255 , H03K19/01714 , H03K19/09441 , H03K19/20
摘要: 本发明提供用于全n型晶体管反相器电路的系统、方法和设备。电路可包含输入薄膜晶体管TFT、下拉TFT、放电TFT、第一上拉TFT、第二上拉TFT及浮动电容器。所述电路还可包含第一和第二低电压电压源及第一和第二高电压电压源。所述TFT、所述电容器及所述电压源可耦合使得所述电路的输出与所述电路的输入逻辑相反。在一些实施方案中,所述电路可展现处于两个逻辑状态的零DC电流且可输出实质上等于由所述第一低电压电压源和所述第二高电压电压源输出的电压的电压。在一些实施方案中,所述电路可用于构建用于有源矩阵电子显示器的D触发器、缓冲器及控制器。
-
公开(公告)号:CN101868919B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200880116731.5
申请日:2008-08-19
申请人: 夏普株式会社
IPC分类号: H03K19/0175 , G09G3/20 , G09G3/36 , H03F1/02 , H03F1/56 , H03K17/687 , H03K19/0185 , H03K19/094
CPC分类号: G09G3/3677 , G09G2310/0291 , G09G2330/021 , H03K19/0013 , H03K19/01714 , H03K19/018507 , H03K19/09441
摘要: 具备:缓冲器部(32),其具有包括相互串联连接的n沟道型的2个晶体管(4、6)的第1串联电路、包括相互串联连接的n沟道型的2个晶体管(5、7)的第2串联电路以及电容(101);和反转信号生成部(31),其仅采用n沟道型的沟道极性的晶体管(1~3)构成,生成输入信号的反转信号,输入信号输入到晶体管(6)的栅极和晶体管(7)的栅极,由反转信号生成部(31)生成的反转信号输入到晶体管(4)的栅极,从第2串联电路的2个晶体管彼此的连接点(OUT)输出输出信号,由此实现包括单极性沟道晶体管、能够抑制消耗电流并且加大负载的驱动能力的单相输入的缓冲器。
-
公开(公告)号:CN103560782A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310573352.1
申请日:2013-11-15
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H03K19/018507 , H03K19/09441 , H03K19/09445 , H03K19/20
摘要: 本发明提供了一种与非门电路、显示器背板和显示器。所述与非门电路包括至少两输入晶体管、至少两个上拉模块和至少两输入控制晶体管;每一输入晶体管的第一极通过该上拉模块与第二电平输出端连接;输入控制晶体管用于当其栅极接入的输入信号为第二电平时,控制使得与该输入晶体管的第一极连接的上拉模块的控制端的电位为第一电平;至少两个上拉模块,用于当所有的输入信号都为第二电平时,断开第二电平输出端与与非门输出端之间的连接,并用于当所有的输入信号不都为第二电平时,导通第二电平输出端与与非门输出端之间的连接。本发明使得当采用耗尽型TFT晶体管时,与非门输出能无损传输,实现与非门输出轨到轨。
-
公开(公告)号:CN102667909A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080056850.3
申请日:2010-10-14
申请人: 夏普株式会社
IPC分类号: G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20 , H03K19/0175
CPC分类号: G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2310/0286 , G11C19/28 , H03K19/01728 , H03K19/09441
摘要: 目的在于实现在各行的充电期间的结束后能够快速地使扫描信号下降的栅极驱动器。栅极驱动器包括2个移位寄存器,移位寄存器整体(410)中的第n级双稳态电路(SR(n)),从输出节点(51、52)输出状态信号(Q)作为扫描信号。与用于使输出节点(51、52)的电平基于第一时钟(CKA)变化的薄膜晶体管(T1、T11)的栅极端子连接的第一节点(netA),通过输入从第(n-2)级双稳态电路(SR(n-2))输出的状态信号(Q)作为置位信号(S)而成为导通电平,输出节点(51、52),通过输入从第(n+2)级双稳态电路(SR(n+2))输出的状态信号(Q)作为第一复位信号(R1)而成为断开电平,第一节点(netA)通过输入从第(n+3)级双稳态电路(SR(n+3))输出的状态信号(Q)作为第二复位信号(R2)而成为断开电平。
-
公开(公告)号:CN101283506B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200680037040.7
申请日:2006-10-04
申请人: NXP股份有限公司
发明人: 维克多·M·G·范阿赫特 , 尼古拉斯·兰贝特 , 安德烈·米希里特斯基 , 皮埃尔·H·武尔莱
IPC分类号: H03K17/06 , H03K19/0944
CPC分类号: H03K19/01721 , H03K19/09441
摘要: 一种由单阈值和单传导类型的电路元件组成的放大器/缓冲器,所述放大器/缓冲器包括用以接收用于缓冲/放大的一个或多个输入并提供一种中间信号来控制放大器/缓冲器的输出的输入级。将所述中间信号提供给升压电路,所述升压电路被配置成在所述信号已超过预定值时对所述信号进行升压。所述放大器/缓冲器还具有用以接收至少所述信号并提供放大后的/缓冲后输出的输出级。
-
公开(公告)号:CN104575425B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201510013180.1
申请日:2015-01-09
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
发明人: 戴超
IPC分类号: G09G3/36
CPC分类号: H01L27/124 , G02F1/1368 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2310/0291 , H01L27/1225 , H03K19/0944 , H03K19/09441 , H03K19/20
摘要: 本发明公开了一种采用氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路及其与非门逻辑运算电路,包括应用于GOA电路下拉维持电路中的第一反相器和第二反相器,以及多个晶体管,利用NTFT与反相器的结合替代原有的PMOS元件的功能,实现类似原来的CMOS NAND运算电路的特性,从而解决了IGZO TFT单型器件逻辑运算电路的设计问题,更适合大型的数字集成电路集成在液晶显示器。
-
公开(公告)号:CN104575425A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510013180.1
申请日:2015-01-09
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
发明人: 戴超
IPC分类号: G09G3/36
CPC分类号: H01L27/124 , G02F1/1368 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2310/0291 , H01L27/1225 , H03K19/0944 , H03K19/09441 , H03K19/20
摘要: 本发明公开了一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路及其与非门逻辑运算电路,包括应用于GOA电路下拉维持电路中的第一反相器和第二反相器,以及多个晶体管,利用NTFT与反相器的结合替代原有的PMOS元件的功能,实现类似原来的CMOS NAND运算电路的特性,从而解决了IGZO TFT单型器件逻辑运算电路的设计问题,更适合大型的数字集成电路集成在液晶显示器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-