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公开(公告)号:CN100557813C
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200580035611.9
申请日:2005-10-12
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L27/28 , G06K19/07 , G06K19/077 , G06K19/10 , H01L51/05
CPC分类号: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
摘要: 本发明提供了一种半导体器件,其包括:存储器,该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制该存储器的控制电路;和天线,其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线,该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号:CN101044623A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200580035611.9
申请日:2005-10-12
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L27/28 , G06K19/07 , G06K19/077 , G06K19/10 , H01L51/05
CPC分类号: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
摘要: 本发明提供了一种半导体器件,其包括:存储器,该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制该存储器的控制电路;和天线,其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线,该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号:CN101676931B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910173652.4
申请日:2005-10-12
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC分类号: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
摘要: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括:存储器,该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制该存储器的控制电路;和天线,其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线,该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号:CN101676931A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200910173652.4
申请日:2005-10-12
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC分类号: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
摘要: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括:存储器,该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制该存储器的控制电路;和天线,其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线,该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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