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公开(公告)号:CN102222690A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110097172.1
申请日:2011-04-15
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor: 土屋忠严
IPC: H01L29/778 , H01L29/00
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: 本发明的课题在于稳定地提供具有有着高的绝缘性的氮化物系半导体层的氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置。本发明的课题的解决方案为,在绝缘性基板上,具有电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.1μm以上1.5μm以下的半绝缘性氮化物系半导体层。
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公开(公告)号:CN102208512A
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN201110075612.3
申请日:2011-03-23
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor: 海野恒弘
IPC: H01L33/38 , H01L33/62 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , Y10S257/918 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管,克服了因大电流引起的各种问题,实现高亮度化或高输出化,且改善线路体系或电极等结构而提高光取出效率。每个LED元件(21)从下层开始依次形成分开设置的第1晶片接合用电极(10a)和第2晶片接合用电极(10b)、透明绝缘层(7)、第1半导体层(4)、活性层(3)和第2半导体层(2),同时,具有设置成贯通透明绝缘层(7)且将第1半导体层(4)和第1晶片接合用电极(10a)电连接的第1接触部(5)、设置成在电绝缘状态下贯通透明绝缘层(7)和第1半导体层(4)以及活性层(3)且将第2半导体层(2)和第2晶片接合用电极(10b)电连接的第2接触部(6),第1晶片接合用电极(10a)和第2晶片接合用电极(10b)分别与衬底(14)上的芯片接合用电极(12)相连。
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公开(公告)号:CN1862881B
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200610076184.5
申请日:2006-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01Q21/00
CPC classification number: H01Q1/243 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01Q9/0414 , H01Q9/0428
Abstract: 本发明的目的在于实现体积小、厚度薄的圆偏振波天线。本发明的分布相位型圆偏振波天线, 在一个平面上形成一个供电点(4)和二维分布的具有大致一维的电流分布的由多个宽度窄的导体(101)构成的宽度窄的导体组(1、2),在该宽度窄的导体(101)上感生的电流分布相对于在该平面上所规定的相互正交的两个方向的各自的复数矢量和在振幅上大致相等,在相位上呈大致90度的相位差。
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公开(公告)号:CN102195136A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201010124064.4
申请日:2010-03-01
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线以及具备该天线的电气设备,该天线以更简单的构造能够以单体高效地收发由不同的两个频带中的特定的极化波形成的电波。该天线收发多个频带的电波,并具备:导体;与所述导体相对形成的、互相在相反侧形成各自的开放端的两个缝隙;以及仅在所述两个缝隙的一方上形成的供电点。
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公开(公告)号:CN102194544A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110062510.8
申请日:2011-03-11
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01B7/0009 , H01B7/04 , H01B13/0271
Abstract: 本发明提供一种抗弯曲电缆,可将子绞线之间的磨耗抑制在最小限,并能够得到充分的抗弯曲性和拉伸强度。将由多根单线(2)绞合形成的子绞线(3a)和(3b)在圆周方向上并排多根并将其绞合而形成绞线(4),在绞线(4)的外周依次覆盖绝缘体层(5)、增强编织层(6)、护套(7)从而形成抗弯曲电缆(1),其中,使在圆周方向上相邻的子绞线(3a)和(3b)的单线的捻向相互不同。
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公开(公告)号:CN102190763A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110026322.X
申请日:2011-01-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C08F290/06 , C08F232/06 , C08F220/18 , C08F226/10 , C08J9/28 , C09D4/02 , H01B7/02 , H01B13/16 , H01B3/44
CPC classification number: C08G18/672 , C08L75/16 , H01B3/447 , C08G18/42
Abstract: 本发明提供一种紫外线固化型树脂组合物及使用其的电线电缆和制作方法,该树脂组合物中分散有含水吸水性聚合物。将预先经过水合和溶胀的含水吸水性聚合物分散在紫外线固化型树脂组合物中。所述树脂组合物包括分子量为5000以下的氨基甲酸酯低聚物、至少一种脂环族单体、亲水性单体和光聚合引发剂,氨基甲酸酯低聚物由下式表示,包含分子量为500~3000的聚(己二酸乙二醇酯)二醇,并在两端具有间隔着脂环族异氰酸酯而通过氨基甲酸酯键连接的丙烯酰基或甲基丙烯酰基作为官能团X,X-Y-O(CH2CH2)nOCO(CH2)4COO(CH2CH2)mO-Y-X,其中,X是CH2=CRCOO(CH2)aO,R是H或CH3,Y是脂环族异氰酸酯。
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公开(公告)号:CN102161863A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110037742.8
申请日:2011-02-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C09D179/08 , C09D5/25 , H01B7/02 , H01B13/00 , H01B13/16
CPC classification number: C09D179/08 , C08G18/346 , C08G18/3823 , C08G18/7671 , C08G73/1035 , C08G73/14 , C09D7/20 , H01B3/305 , H01B3/306 , Y10T428/31551 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明提供绝缘涂料、其制造方法和使用其的绝缘电线和其制造方法。该绝缘涂料可形成与以往同等的局部放电起始电压并具有在轧制加工时或线圈成型时等不产生裂缝等机械强度的绝缘覆膜。该绝缘涂料为含有具有由下述化学式(1)表示的重复单元的聚酰胺酰亚胺树脂,该树脂通过使树脂成分(X)与二异氰酸酯成分(Y)进行合成反应而获得,该成分(X)是在共沸溶剂的存在下、使包含含有带3个以上芳香环的2价芳香族基(R)的芳香族二胺类的二胺成分与酸成分进行合成反应而获得;该成分(Y)包含2,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯(Y1)和4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯(Y2)。式(1)中,R表示前述的带3个以上芳香环的2价芳香族基,m、n表示1~99的整数。
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公开(公告)号:CN102153799A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201010226858.1
申请日:2010-07-08
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C08J9/0061 , B29C44/0461 , B29C44/3453 , C08J2201/03 , C08J2203/06 , C08J2207/06 , C08J2323/06 , C08J2423/00 , C08J2467/00 , C08L23/06 , C08L23/20 , C08L67/04 , C08L2207/062 , C08L2207/066
Abstract: 本发明提供一种发泡树脂组合物及使用它的发泡树脂体和发泡绝缘电线,该发泡树脂组合物能够制造气泡直径小、发泡度高、发泡度均匀的低介电常数发泡绝缘体。该发泡树脂组合物是对基体树脂混炼种类不同的高分子材料而形成的,种类不同的高分子材料的熔点处于基体树脂的熔点和发泡树脂组合物的加工温度的范围内。
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公开(公告)号:CN1734247B
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN200510064396.7
申请日:2005-04-15
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor: 柴田真佐知
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
Abstract: 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法,以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I),进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II),通过积累位错以减少全体的位错密度,进一步在平坦化的状态进行晶体生长,使位错在晶体中均匀分散的同时,形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。
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公开(公告)号:CN102110727A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN201010548413.5
申请日:2010-11-12
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/05 , H05K1/02
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳电池模块,以及太阳电池模块用布线电路板。本发明提供了一种结构简单,具有超过以往的太阳电池模块的长期可靠性,适应薄型化的太阳电池模块,以及太阳电池模块用布线电路板。本发明的太阳电池模块(3)具备:具有受光面(14a),与受光面(14a)相反的面,设置在该相反的面上的电极布线的太阳电池元件(1);与电极布线电连接,并具有18μm以上75μm以下的厚度,表面、背面和侧面用包覆材料(26b)包覆的导体布线图案;以及密封太阳电池元件(1)和导体布线图案的密封部(36)。
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