公开(公告)号：CN102208512A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110075612.3

申请日：2011-03-23

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/918 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管，克服了因大电流引起的各种问题，实现高亮度化或高输出化，且改善线路体系或电极等结构而提高光取出效率。每个LED元件(21)从下层开始依次形成分开设置的第1晶片接合用电极(10a)和第2晶片接合用电极(10b)、透明绝缘层(7)、第1半导体层(4)、活性层(3)和第2半导体层(2)，同时，具有设置成贯通透明绝缘层(7)且将第1半导体层(4)和第1晶片接合用电极(10a)电连接的第1接触部(5)、设置成在电绝缘状态下贯通透明绝缘层(7)和第1半导体层(4)以及活性层(3)且将第2半导体层(2)和第2晶片接合用电极(10b)电连接的第2接触部(6)，第1晶片接合用电极(10a)和第2晶片接合用电极(10b)分别与衬底(14)上的芯片接合用电极(12)相连。

公开(公告)号：CN102386293A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110250979.4

申请日：2011-08-23

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 水谷友哉 ,  海野恒弘

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光二极管，其包括布线层和设置在所述布线层上的发光元件，所述发光元件进一步包括半导体发光层、透明导电层、金属反射层、透明绝缘膜以及第一电极部和第二电极部，所述第一电极部和第二电极部设置于所述透明绝缘膜的布线层侧并与所述布线层电连接，所述第一电极部和第二电极部之间插入有隔离区，其中，所述第一电极部通过第一接触部与第一半导体层电连接，并且所述第二电极部通过第二接触部与第二半导体层电连接，所述第二接触部被设置为贯穿所述透明绝缘膜、透明导电层、第一半导体层和活性层。

公开(公告)号：CN101740684A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910207646.6

申请日：2009-10-28

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种高亮度的发光元件。本发明中涉及的发光元件(1)包括半导体层叠结构(10)、多个凸状部和埋入部(150)，其中，所述半导体层叠结构(10)具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层和夹在第1半导体层和第2半导体层之间的活性层(105)，所述多个凸状部设置在半导体层叠结构(10)的一个面上，所述埋入部(150)设置在多个凸状部中的一个凸状部和与该一个凸状部邻接的其它凸状部之间，且透过活性层(105)发出的光，降低在多个凸状部中产生的应力。

公开(公告)号：CN101295760A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810092648.0

申请日：2008-04-22

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明提供一种高效率且能大电流通电的发光二极管。在由活性层(14)和从两侧夹住该活性层(14)的下部包覆层(13)及上部包覆层(15)构成的AlGaInP系化合物半导体层的上侧，设置圆形状的引线接合用电极(19)和与其连接的十字形的电流分散用枝状电极(18)，在电流分散用枝状电极(18)上连接有电流注入用接触电极(17)，在AlGaInP系化合物半导体层的下侧设置电流注入用界面接触电极(12)，在电流注入用界面用接触电极(12)的下面设有光反射镜层(10)。电流注入用界面接触电极(12)设置在引线接合用电极(19)的正下方的外周部或其附近区域。

公开(公告)号：CN102569332A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110418590.6

申请日：2011-12-14

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其包括支撑衬底(20)，设置在支撑衬底(20)上的第一导电型的第一导电型层，设置在第一导电型层上的发射光的活性层(16)，设置在活性层(16)上的与第一导电型不同的第二导电型的第二导电型层，与第一导电型层的部分表面接触的第一电极，以及与第二导电型层的部分表面接触的第二电极。第一电极与第一导电型层的表面接触，该表面不同于位于活性层(16)的正上方或正下方的区域所对应的第一导电型层的表面，第二电极与第二导电型层的表面接触，该表面不同于位于活性层(16)的正上方或正下方的区域所对应的第二导电型层的表面。

公开(公告)号：CN101399308B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200810174337.9

申请日：2006-10-25

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘 ,  秋元克弥 ,  新井优洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/14

Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。

公开(公告)号：CN101399308A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810174337.9

申请日：2006-10-25

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘 ,  秋元克弥 ,  新井优洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/14

Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。

公开(公告)号：CN101673794B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200910151713.7

申请日：2009-07-06

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明提供一种发光元件，高辉度且能对应于大电流。本发明中涉及的发光元件(1)包括半导体层叠结构(10)、细线电极(116)和表面中心电极部(110)。半导体层叠结构(10)具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层和夹在第1半导体层和第2半导体层之间的活性层；细线电极(116)具有设置在第1半导体层上方一部分区域内且将来自外部的电流供给到所述半导体层叠结构(10)的电流供给部(116a)，和与电流供给部(116a)邻接设置的且反射活性层(105)发出的光的光反射部(116b)；表面中心电极部(110)与细线电极116电连接且设置在介入有透过光的绝缘性的透过层(142)的第1半导体层上方。

公开(公告)号：CN101393956B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810127244.0

申请日：2008-06-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘 ,  新井优洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其可以提高光取出效率、使活性层发光区域的亮度和发热均一、抑制元件间驱动电压和寿命的参差不齐。本发明的发光装置具备：含有发光层的半导体层叠结构；在半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；在中心与上部电极的中心对应、除了上部电极正下方区域的半导体层叠结构的另一表面的区域上，形成至少一部分具有与上部电极的外周相似形状的部分的界面电极；在除了形成界面电极的半导体层叠结构的其他表面上的区域上形成的、可透过发光层发出的光的电流阻止层；与界面电极电连接，使透过电流阻止层的光反射至半导体层叠结构的一个表面侧的反射层；在反射层的半导体层叠结构的相反侧，与半导体层叠结构电连接的导电性支撑基板。

公开(公告)号：CN1103512A

公开(公告)日：1995-06-07

申请号：CN94107697.0

申请日：1994-06-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 海野恒弘 ,  今野泰一郎

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/10

Abstract: 一种发光二极管，具有限定为发光部分的双杂结构的外延层，该层通过一台面部分与基片相连，在基片与相邻的一外延层之间设置台面部分而形成一空腔层，空腔层中可灌入树脂。还提供了一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：生长出具有高混合晶体比例的-AlGaAs层作为辅助层；在辅助层上生长出以台面部分相连的外延层；溶解除去辅助层以形成空腔层，于是光在一覆盖层与空腔层或灌有树脂的空腔层间的界面上反射，从而提高了光输出。