公开(公告)号：CN101794787B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201010102359.1

申请日：2010-01-28

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵 ,  张雄

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  G11C7/10

摘要： 本发明提出一种共享字线的无触点分栅式闪存，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于源极区域和漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于源极区域和漏极区域；第一浮栅和第二浮栅，分别设置于沟道区和源极区域或漏极区域上方，第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于第一浮栅和第二浮栅上方；字线，位于沟道区上方并位于第一浮栅和第二浮栅之间，字线两侧具有弧形结构延伸至第一位线和第二位线上方，并通过绝缘层与第一位线和第二位线顶部相连接。本发明提出一种共享字线的无触点分栅式闪存，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。

公开(公告)号：CN102364675B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110335194.7

申请日：2011-10-28

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵

IPC分类号： H01L21/8247

摘要： 一种闪速存储器形成方法，包括：形成存储单元和外围电路，所述外围电路包括电阻器，所述存储单元和电阻器同步形成。本发明的实施例在形成存储单元时，同步形成电阻器，从而减小了工艺难度，提高了工艺效率。

公开(公告)号：CN101866928B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201010172658.2

申请日：2010-05-12

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵

IPC分类号： H01L27/115

摘要： 本发明提出的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。同时采用无触点的设计，使得闪存器件具有尺寸小，工艺与CMOS传统工艺兼容的特点，有利于器件尺寸进一步缩小。

公开(公告)号：CN118450707A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410533748.1

申请日：2024-04-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 杨辉 ,  张连宝 ,  王卉 ,  黄冲 ,  曹子贵

IPC分类号： H10B41/30 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供了一种分栅闪存器件的形成方法，包括：衬底上形成有栅极氧化物层、浮栅层、层间介质层、控制栅层、硬掩膜层，硬掩膜层上形成有露出控制栅层的第一开口；在第一开口内形成第一介质层，第一介质层形成第二开口；在第二开口内形成第一侧墙，第一侧墙形成第三开口，第三开口露出第一介质层；去除第三开口露出的第一介质层、控制栅层和层间介质层，以形成第四开口；在第四开口内形成第二侧墙，第二侧墙覆盖第一侧墙、第一介质层的侧壁、控制栅层的侧壁和层间介质层的侧壁，第二侧墙形成第五开口，第五开口露出浮栅层的表面；去除第五开口露出的浮栅层和栅极氧化物层，以形成第六开口；在第六开口内依次形成隧穿氧化物层和字线。

公开(公告)号：CN117979701A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410084729.5

申请日：2024-01-19

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 付博 ,  曹子贵

IPC分类号： H10B41/47

摘要： 本发明提出了一种闪存器件的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其可在所述凹槽内形成沿垂直方向依次覆盖在凹槽侧壁上的第一牺牲层(如氧化物)、第一侧墙(如氮化物)和第二牺牲层(如氧化物)，以在后续对基底进行刻蚀去除硬掩膜层的过程中，通过所述第一牺牲层的隔离作用，让刻蚀工艺的酸性溶液不与所述第一侧墙直接接触，防止第一侧墙捕获电荷，并在后续进一步进行清洗工艺的过程中，通过对作为阻挡的所述第一牺牲层和第一侧墙的精确控制，避免第一侧墙沿垂直方向发生过多的回推效应所造成的形成的浮栅结构的浮栅尖端过高或过低，进而达到稳定具有浮栅尖端的浮栅结构的稳定性和提高闪存器件性能稳定性的目的。

公开(公告)号：CN113192931B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110466484.9

申请日：2021-04-27

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 汤志林 ,  王卉 ,  曹子贵 ,  付永琴

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件，其将位于第二有源区上的金属条设置成条形，并使条形金属条横跨第一有源区。如此能够大大缩短金属条的边缘和残留多晶硅之间的距离。则在给条形金属条和多晶硅条施加电压时，金属条和多晶硅之间的侧墙更容易被击穿，二者间的电流更容易被检测到。以提高位于多晶硅条侧边的侧墙内的残留多晶硅的检出率，进而提升残留多晶硅监测结构的监测效果。

公开(公告)号：CN112909079B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202110258183.7

申请日：2021-03-09

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 孙访策 ,  黄冲 ,  曹子贵

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明提供的一种半导体器件及其形成方法中，半导体器件的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阻挡层；形成浅沟槽结构；通过DSTI CMP工艺平坦化处理所述浅沟槽结构；以及去除所述阻挡层。本发明通过DSTI CMP工艺平坦化效果较现有技术中的STI CMP工艺平坦化效果好，并没有在DSTI CMP工艺中没有出现在研磨表面出现CMP dishing现象，使得STI凹陷的深度也较小，从而解决了由于STI凹陷区域的尖端电场集中引起的MOSFET器件较早开启的问题，即降低了MOSFET器件漏电电流。

公开(公告)号：CN116390489A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310470906.9

申请日：2023-04-27

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵 ,  王卉

IPC分类号： H10B41/30 ,  H10B41/27

摘要： 本发明提供了一种新型的闪存存储器及其制备方法，由于其选择栅极和擦除栅极沿垂直于半导体衬底表面的方向构成上下位结构，从而实现了在确保分栅闪存器件既能具有低操作电压、高可靠性的性能，同时还可以减小存储单元占用晶圆的面积，即适应尺寸逐渐缩小的小尺寸集成电路的应用。并且，由于本发明实施例中的分栅闪存器件中，其在位于半导体衬底内的选择栅的两侧所对应的半导体衬底内还分别形成一与所述半导体衬底的导电类型相反的第一离子注入区，进而实现了可以利用所述第一离子注入区与半导体衬底所组成的PN结减少从选择栅极沟道至浮栅沟道之间的电阻，进一步屏蔽EG栅极高电压擦除操作导致的EG和衬底间绝缘层退化而引起的沟道电流退化问题，降低分栅闪存器件的擦除电压、操作电压的目的。

公开(公告)号：CN116313763A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310321562.5

申请日：2023-03-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H10B41/30

摘要： 本发明提供的NORD闪存器件的制备方法，在形成有栅极结构的两侧的半导体衬底上依次堆叠第一氧化层、第一氮化层和第二氧化层构成所述栅极结构的ONO侧墙结构，并在形成所述第一氧化层之后，增加了一步退火工艺，在所述退火工艺中通入氧气为反应气体，与所述第一氧化层进一步反应，补充所述第一氧化层中的氧空缺，并通过所述退火工艺提供的能量进一步修复采用低压正硅酸乙酯工艺制备的所述第一氧化层晶体结构较差等较多的内部晶格缺陷，进而降低第一氧化层对电子的捕获能力，提高电子穿过其所需的能量，进而提高所述第一氧化层的致密性及绝缘性，避免所述栅极结构内的电子通过所述第一氧化层遂穿至外部，减少器件漏电，保证所述闪存器件的性能。

公开(公告)号：CN116206965A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310321929.3

申请日：2023-03-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H10B41/30

摘要： 本发明提供了一种侧墙结构及闪存器件的制备方法，应用于半导体制造领域中。由于本发明所提供的闪存器件的制造方法中，其形成ONO侧墙结构时，是利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的所述第一氧化物层，并进一步地对所述第一氧化物层进行RTO退火工艺，以通过所述RTO退火工艺提供的能量修复所述第一氧化物层的缺陷，从而利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的第一氧化物层之后，再次提高所述第一氧化物层的致密性及绝缘性，进而在保证形成的侧墙结构的膜厚和热度均不变的情况下，最终避免了存储结构内的电子通过位于其侧壁上的ONO侧墙结构中的第一氧化物层遂层穿至外部所造成的器件漏电的问题，即保证了闪存器件的性能。