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公开(公告)号：CN102593718B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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公开(公告)号：CN101976696B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010292223.1
申请日：2010-09-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN102151367B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110118258.8
申请日：2011-05-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： A61N5/06
摘要： 本发明涉及一种微型宽脉冲双波长光感基因刺激装置，包括小规模集成电路、半导体发光器件和开关型驱动电路，所述的小规模集成电路分别与2个大范围独立调节脉冲参数的可调电阻，切换开关和电接口相连，所述的电接口用于监控脉冲波形和参数，所述的切换开关的两端分别连有开关型驱动电路，所述的两个开关型驱动电路分别连有一个半导体发光器件，驱动半导体发光器件发出的两种波长的光脉冲分别经由光纤耦合至光输出接口输出或直接由光纤输出，所述的小规模集成电路通过微型稳压模块与电源相连。本发明既适用于发光二极管LED，也适用于激光二极管LD，还可应用于激光二极管泵浦的固体或光纤激光器，具有很好的普适性和通用性，可以用相当灵活的方式实现。
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公开(公告)号：CN102645443A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210086690.8
申请日：2012-03-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N23/22
摘要： 本发明涉及一种光伏探测材料缺陷与器件性能关联性的系统表征方法，包括以下步骤：根据光伏探测材料的种类和特性设计测试芯片和进行制样封装构成测试样品；对所述测试样品的光电特性进行测量表征；在同一测试样品上用电子束感生电流/扫描电镜或阴极荧光/扫描电镜组合的方法进行性能相关缺陷的测量表征和统计分析；根据上述步骤得到的直接相关的测试表征结果，据此对材料缺陷与器件性能关联性进行系统表征。本发明可以避免材料制成器件后的性能与测得的材料缺陷之间的关联性存在的不确定性和随机性的问题。
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公开(公告)号：CN102226295A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110126889.4
申请日：2011-05-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种四元化合物分子束外延组分控制参数设计的方法，包括：(1)利用标定生长试验获得四元化合物材料组分与束源束流强度的关系式；(2)根据组分与束源束流强度的关系来设计生长所需组分材料的生长参数。本发明为分子束外延生长四元化合物半导体的组分调节提供了依据，方便地设计生长参数，实现对包含三种同族元素的四元化合物半导体组分的精确控制，提高新组分外延材料生长的效率。本发明适合于不同的材料体系，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN101936903A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010262884.X
申请日：2010-08-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种采用双调制方案提高光荧光测试灵敏度的测试系统，引入了第二重调制，包括激光器、光路部件、傅立叶变换光谱仪、锁相放大器。光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜，构成测试光路；激光器具有内部调制功能，其激发的调制激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦照射在被测样品上，被测样品产生的光荧光通过抛物面镜收集转向准直后以宽光束形式送至傅立叶变换光谱仪。锁相放大器的信号输入端与傅立叶变换仪中的前置放大器相连，信号参考输入端与激光器的脉冲发生器相连，输出端与傅立叶变换光谱仪中的电子学系统相连。本发明选择合适的光激发激光器并对其进行调制，同时在信号检测中增加锁相放大和解调，以此提高光荧光测试的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101814429A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910198257.1
申请日：2009-11-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 本发明涉及一种包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备，在组分渐变缓冲层中插入n层无应变的超晶格隔离层材料，n为自然数，1≤n≤5；其制备过程为：首先确定生长温度、束源炉温度等参数；然后采用分子束外延方法依次在衬底上交替生长应变量逐渐增大的缓冲层和无应变超晶格隔离层材料，直至完成达到预期应变量的缓冲层的生长。本发明的材料包含了超晶格隔离层，能使大晶格失配外延材料在缓冲层中快速有效地发生弛豫而释放应力，从而减少缓冲层上外延材料的位错密度；并且采用常规的分子束外延方法进行材料的不间断生长，具有操作易控制，成本低，对环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN101811659A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010128365.4
申请日：2010-03-19
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于数字合金的非矩形量子结构及实现方法，其特征在于通过选择异质外延材料体系和组合设计，采用数字合金的方法实现非矩形的量子结构；所述的数字合金为两种二元或多元合金材料构成。本发明的实现方法可有效地在量子尺度上控制材料组分按设计要求精确变化，从而克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变的矩形量子结构的单一性问题，为量子结构和功能的设计和实现引入更大的自由度，并在量子结构的应变及界面控制方面带来好处。本发明既适合于需要采用非矩形量子阱的特殊半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN100492670C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710041778.7
申请日：2007-06-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位错且适合于背面进光的透明梯度渐变缓冲层结构以及适合正面进光并可减小表面复合和提高量子效率的透明窗口层结构。本发明的宽禁带缓冲层及窗口层结构既适合于采用背面进光及倒扣封装结构的单元或阵列器件，也适合于采用常规正面进光结构的单元或阵列器件，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN1330005C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510023173.6
申请日：2005-01-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层，以达到紫外增强光吸收效果并消除其对红外光的响应，并采用合适的掺杂方式在其中构成PN结。外延材料采用特定的选择刻蚀工艺制作出台面结构，经钝化保护后制作出接触电极，并选用相应的抗反射增透膜进一步提高其短波响应。此种光电探测器可应用于火焰探测、紫外和可见光波段光度测量、尾焰跟踪、生物及化学气体检测、紫外线防护等方面，并可与红外波段的光电探测器进行单片或混合集成构成双色探测器。
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