公开(公告)号：CN102099935A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201080001806.2

申请日：2010-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: 提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板(5)；设置于基板(5)的主面(S1)的n型氮化镓类半导体区域(7)；设置于该n型氮化镓类半导体区域(7)上的单一量子阱结构的发光层(11)；及设置于发光层(11)上的p型氮化镓类半导体区域(19)。发光层(11)设置于n型氮化镓类半导体区域(7)与p型氮化镓类半导体区域(19)之间，发光层(11)包含阱层(15)与势垒层(13)及势垒层(17)，阱层(15)为InGaN，主面(S1)沿着从与六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面(S5)延伸。

公开(公告)号：CN101330123B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810128693.7

申请日：2008-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  京野孝史 ,  善积祐介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物系半导体发光元件(11)，其中，p型AlYGa1-YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19比p型AlXGa1-XN层(15)的p型掺杂剂浓度Np15大，因此，p型掺杂剂从p型AlYGa1-YN层(19)向p型AlXGa1-XN层(15)扩散，且到达p型AlXGa1-XN层(15)和活性层(17)的界面附近。p型AlXGa1-XN层(15)和活性层(17)的界面附近的p型AlXGa1-XN层(15)中，p型掺杂剂的浓度分布曲线PF1Mg变得陡峭。另外，p型AlZGa1-ZN层(21)的p型掺杂剂浓度与p型AlYGa1-YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19被独立地规定。

公开(公告)号：CN101567518A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910137023.6

申请日：2009-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  京野孝史

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S2302/00 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法。在工序S110中向生长炉供给TMG、TMIn及NH3，在温度T1下进行膜厚DW1(DW1＜DW0)的InGaN薄膜的堆积。该薄膜厚度为1nm。在工序S111中向生长炉供给TMIn及NH3，并且将温度从温度T1变更为T2(T1＜T2)。在工序S112中向生长炉供给TMIn及NH3并且将温度保持为温度T2。在工序S113中向生长炉供给TMIn及NH3并且将温度从T2变更为T1。通过工序S111～S113对堆积的InGaN薄膜改性，提高了改性后的InGaN薄膜的组成的均匀性。阱层由改性后的3层1nm的InGaN薄膜构成。

公开(公告)号：CN100407527C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510009454.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III-V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。

公开(公告)号：CN1993841A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000584.6

申请日：2006-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1－X1－Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1－X1－Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1－X2－Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10－20J以上、4.8×10－20J以下。

公开(公告)号：CN104576869B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201410578598.2

申请日：2014-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 嵯峨宣弘 ,  德山慎司 ,  住吉和英 ,  京野孝史 ,  片山浩二 ,  滨口达史 ,  梁岛克典

IPC: H01L33/32

Abstract: 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm‑3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。

公开(公告)号：CN104160521A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380008509.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 索尼公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之 ,  簗岛克典 ,  盐谷阳平 ,  熊野哲弥 ,  京野孝史

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。

公开(公告)号：CN102422495B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201080020691.1

申请日：2010-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15包含有源层21及载流子阻挡层23。第一覆盖区域17包含n型AlGaN覆盖层25及n型InAlGaN覆盖层26。n型InAlGaN覆盖层26设置于n型AlGaN覆盖层25与有源层21之间。界面27b处的错配位错密度大于界面27a处的错配位错密度。AlGaN覆盖层25相对于GaN支撑基体13产生晶格弛豫，InAlGaN覆盖层26相对于AlGaN覆盖层25产生晶格弛豫。

公开(公告)号：CN102460866B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080026837.3

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  德山慎司 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  片山浩二 ,  池上隆俊 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2004 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2302/00

Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。

公开(公告)号：CN102150287B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201080002548.X

申请日：2010-09-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种可使多个波长的光稳定地发光的结构较简易的发光器件。发光器件(1)具备：复合衬底(3)以及设置于复合衬底(3)上且具有发光层(9)的氮化镓系半导体层(5)。复合衬底(3)具有基体(19)与氮化镓层；氮化镓系半导体层(5)设置于氮化镓层的主面上；氮化镓层的c轴方向与氮化镓层的主面(S1)的法线(N1)的方向所成的角度(θ)处于50度以上、且130度以下的范围内；发光层(9)发出偏光度的绝对值处于0.2以上的范围内的光；基体(19)包含通过自发光层(9)发出的光而发光的萤光材料。根据这种结构，可发出由自发光层(9)发出的蓝色光和通过使自发光层(9)发出的蓝色光入射至基体(19)而发出的黄色光所合成的白色光。