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公开(公告)号：CN102549860B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
摘要： 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102474076B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080031731.2
申请日：2010-07-13
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3202
摘要： 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102187480B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980141389.9
申请日：2009-10-14
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供具有优良的光提取效率的氮化物基半导体发光元件。发光元件(11)包括支撑基体(13)和半导体层叠体(15)。半导体层叠体(15)包含n型GaN基半导体区域(17)、有源层(19)和p型GaN基半导体区域(21)。n型GaN基半导体区域(17)、有源层(19)和p型GaN基半导体区域(21)搭载在主面(13a)上，且沿着与主面(13a)正交的规定轴Ax的方向配置。支撑基体(13)的背面(13b)相对于与沿着支撑基体(13)的六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面而倾斜。向量VC表示c轴方向。背面(13b)的表面形态M具有朝 轴的方向突出的多个突起(23)。规定轴Ax的方向与基准轴的方向(向量VC的方向)不同。
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公开(公告)号：CN101882571B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010171268.3
申请日：2005-05-13
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L33/0075 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。
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公开(公告)号：CN102239574A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201080003506.8
申请日：2010-01-27
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造III-V族化合物半导体的发光元件的方法，所述III-V族化合物半导体具有包括In和N的量子阱结构，所述方法包括如下步骤：形成包括In和N的阱层(13a)；形成势垒层(13b)，所述势垒层(13b)具有的带隙比所述阱层(13a)的带隙宽；以及在形成所述阱层(13a)的步骤之后以及形成所述势垒层(13b)的步骤之前，供应包括N的气体并且中断外延生长。在中断外延生长的所述步骤中，供应具有的分解效率高于N2和NH3在900℃下分解为活性氮的分解效率的气体。另外，在中断外延生长的步骤中，供应与用作阱层(13a)的N源的气体不同的气体。
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公开(公告)号：CN101661986A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170459.5
申请日：2009-08-26
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01S2304/04
摘要： 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为T W 的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长In X Ga 1-X N阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度T W 下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。在步骤S108中，在生长所述阻挡层之前，将所述炉子的温度由温度T W 变化至T B 。在将所述炉子的温度保持为温度T B 的同时，在时刻t8和t9之间在所述保护层上生长由氮化镓基半导体构成的阻挡层。
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公开(公告)号：CN1787245A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510022816.5
申请日：2005-12-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , B60Q1/04 , F21S8/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L33/32 , F21S41/143 , F21S41/155 , F21Y2115/10 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/14 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 一种车辆的头灯装备有包含一个或多个发光器件(LED)的光源，以及基体部件(底座和后盖)，用以把光源紧固在车辆上。所述发光器件包括：GaN衬底1；在所述GaN衬底1的第一主表面一侧上的n－型AlxGa1－xN层3；位于比所述n－型AlxGa1－xN层3更远离GaN衬底1的p－型AlxGa1－xN层5；以及位于所述n－型AlxGa1－xN层3与p－型AlxGa1－xN层5之间的多量子阱4。在这种发光器件中，所述GaN衬底1的电阻率不大于0.5Ω·cm，朝下安装p－型AlxGa1－xN层5一侧，并从第二主表面1a放出光，所述第二主表面是一个与所述第一主表面相对的GaN衬底1的主表面。
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公开(公告)号：CN1624944A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN1610136A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410062177.0
申请日：2004-07-02
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/28 , H01L2224/48463
摘要： 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II－VI化合物半导体区和II－VI化合物半导体层。II－VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II－VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II－VI化合物半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN1599086A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410032570.5
申请日：2004-04-09
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n－型ZnMgSSe覆盖层(3)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p－型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。
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