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公开(公告)号：CN117976754A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410044015.1
申请日：2024-01-11
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/065 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种四结太阳电池及其制备方法和应用，本发明的四结太阳电池依次包括Ge衬底、GaAs缓冲层、二维导电材料层、AlGaInAs/GaAsP超晶格结构层、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池。本发明的四结太阳电池降低失配结构四结太阳电池中高In组分目标材料层的穿透位错密度，最终减少各子电池内部的非辐照复合概率，提升四结电池的开路电压和填充因子FF。
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公开(公告)号：CN116760382A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310658269.8
申请日：2023-06-05
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种可重构SAW谐振器结构及制备方法，涉及新一代信息技术，针对现有技术中厚度高、载流子浓度低、直流偏置电压高以及漏电流大的问题提出本方案。SAW谐振器结构主要包括ε相氧化镓压电薄膜上端部通过注入负离子得到的导电层；在导电层上设置介电层和成对的叉指电极；一叉指电极分别连接直流偏置电压和RF信号，另一叉指电极接地。方法主要是对ε相氧化镓压电薄膜表面注入负离子，使ε相氧化镓压电薄膜上端部形成导电层。其优点在于，载流子浓度提高之余还不用被厚度限制，设计和制作会更加灵活和简单。高浓度的二维电子气对直流偏置电压的变化更加灵敏，只需较低的电压即可调节。引入绝缘的介电层后不存在漏电流，避免发热量大的问题。
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公开(公告)号：CN110488751B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810993735.7
申请日：2018-08-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： G05B19/402
摘要： 本发明提供了一种自动化工艺线的石墨料盘视觉定位系统，包括机械手臂、机台和石墨料盘放料位，所述机械手臂上设置有抓取工具和手臂相机，所述机台设置有料盒和机台相机，所述视觉定位系统还包括控制系统，所述机械手臂与控制系统通过通信连接形成无间隙上下料的高自动化单元，其特征在于：所述控制系统包括，视觉定位程序，晶片模板，石墨料盘模板，相机坐标系，机械手臂坐标系和石墨料盘放料位，所述石墨料盘放料位的坐标与所述石墨料盘模板坐标一致。用以解决现有技术中机械手臂抓取和放置不够灵活、准确的缺陷。
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公开(公告)号：CN114203556A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111517362.4
申请日：2021-12-08
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L21/383 , H01L21/425
摘要： 本发明公开了一种用于调控氧化镓半导体表层电导的方法及半导体晶圆，涉及半导体电导调控技术。针对现有技术中表面电导控制困难的问题提出本方案，利用氟基离子对氧化镓晶圆的表层进行处理。优点在于，可以实现对氧化镓晶圆的表层电导有效调控，大幅度降低了氧化镓晶圆生长和器件制备过程中电导调控的工艺难度。使得在氧化镓晶圆上便于实现选区电导特性的调控，从而制备出有效的半导体器件。氟基气体安全性高，相对使用SiH4等危险气体的处理安全性极大提升。无论氧化镓晶圆在外延生长中是高阻态还是低阻态均能适用。可以在表面处理过程中使用掩膜遮挡的方式，从而解决了以往无法在水平方向上进行选区调控的限制。
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公开(公告)号：CN114005868A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111249277.4
申请日：2021-10-26
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构及制备方法，该结构包括：包括衬底、n型氧化镓沟道层、源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层，所述衬底与n型氧化镓沟道层连接，所述源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层设于氧化镓沟道层上且远离衬底的一侧，所述p型氧化物半导体层设于源极和漏极之间且靠近漏极一侧。该方法包括用于制备上述一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构的步骤。通过使用本发明，能够在提高器件耐压特性的同时不影响器件的正向比导通电阻。本发明可广泛应用于半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN113895031A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111153983.9
申请日：2021-09-29
申请人： 中山大学
发明人： 王钢
IPC分类号： B29C64/129 , B33Y10/00 , B28B1/00
摘要： 本发明公开了一种以绿光为光固化光源的3D打印光敏材料，至少包括绿光光引发体系，其中，所述绿光光引发体系为在绿光波长范围内具有光吸收引发能力的Norr i sh I型和Norr i sh I I型光敏剂，包括姜黄素类化合物/鎓盐体系、二氟硼类姜黄素化合物/鎓盐体系、含二茂铁共轭茚二酮化合物/鎓盐/氮甲基吡咯烷酮体系、亚苄基酮类化合物/鎓盐体系、亚苄基酮类化合物/胺体系。本发明有益效果在于，一方面，通过波长越长光折射率越低，以及波长越长光穿透能力越强的原理，可以显著提高3D打印材料的固化深度，避免层间开裂问题，尤其是高折射率的3D打印材料，如3D打印光敏陶瓷浆料等；另一方面，通过波长越长光折射率越低的原理，可以显著降低3D打印材料的固化宽度，提高固化和打印精度，尤其是高折射率的3D打印材料，如3D打印光敏陶瓷浆料等。
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公开(公告)号：CN110148625B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910417286.6
申请日：2019-05-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/80 , H01L21/337
摘要： 本发明公开了一种氧化镓垂直结型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓的p型掺杂困难，以及栅介质制备难度大和栅控特性差等不足的问题提出本方案。在三维鳍式沟道结构两侧填充p型氧化物半导体层形成异质PN结，巧妙的规避了氧化镓材料的p型掺杂难题，保证良好的栅控特性，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN107478977B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710571427.0
申请日：2017-07-13
申请人： 中山大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，属于半导体器件技术领域。一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，其中包括半导体和栅绝缘层界面陷阱态的提取以及半导体体内陷阱态的提取。本发明主要包括以下步骤：1）给氧化物半导体薄膜晶体管施加不同时长的正向偏压应力，测试相应的转移特性曲线；2）基于转移特性的变化规律，分析阈值电压漂移机制，确定阈值电压漂移随时间的变化关系式；3）如果阈值电压漂移与所加应力时间满足扩展指数模型，提取半导体体内陷阱态的特征温度；4）利用亚阈值摆幅和陷阱态的关系，提取半导体和栅绝缘层界面态密度以及半导体体内陷阱态密度。本发明提供的陷阱态密度提取方法能同时提取薄膜晶体管界面陷阱态及体内陷阱态，计算过程较已有的方法更简单，限制条件少，适用范围广。
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公开(公告)号：CN110488751A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810993735.7
申请日：2018-08-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： G05B19/402
摘要： 本发明提供了一种自动化工艺线的石墨料盘视觉定位系统，包括机械手臂、机台和石墨料盘放料位，所述机械手臂上设置有抓取工具和手臂相机，所述机台设置有料盒和机台相机，所述视觉定位系统还包括控制系统，所述机械手臂与控制系统通过通信连接形成无间隙上下料的高自动化单元，其特征在于：所述控制系统包括，视觉定位程序，晶片模板，石墨料盘模板，相机坐标系，机械手臂坐标系和石墨料盘放料位，所述石墨料盘放料位的坐标与所述石墨料盘模板坐标一致。用以解决现有技术中机械手臂抓取和放置不够灵活、准确的缺陷。
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公开(公告)号：CN110085681A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910421034.0
申请日：2019-05-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/267 , H01L29/06 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种氧化镓基异质PN结二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓基的二极管存在反向漏电流大、击穿电压低和可靠性差等不足的问题，提出在n型掺杂氧化镓耐压层和阳极电极之间设置p型氧化物半导体层。通过采用非晶或多晶的p型氧化物半导体层与单晶的n型掺杂氧化镓耐压层形成异质PN结，在充分发挥单晶氧化镓材料高耐压优势的同时，利用了非晶或多晶的p型氧化物半导体层空穴浓度高的优点，巧妙的规避了氧化镓材料的p型掺杂难题。实现的二极管器件具有反向漏电流低、耐压高和性能稳定的优点，且制备工艺简单。
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