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公开(公告)号：CN101447376B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810246837.9
申请日：2008-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明材料由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。本发明制成稀土-钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极以及含铈阴极。
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公开(公告)号：CN101787480A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010033830.6
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Y2O3-La2O3体系复合压制钡钨阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域，其特征在于：阴极中含有氧化钇、氧化镧、三元硝酸盐和钨。其中Y2O3∶La2O质量比为3∶1，占阴极材料总量的5-20％wt，三元硝酸盐占阴极材料总重量的5-15％wt，其余为钨。制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、硝酸镧、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为450-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-3t/cm2下压制，烧结温度为1450-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。本发明的阴极材料发射性能均匀，提高了抗离子轰击能力，次级发射系数明显高于钡钨阴极，且热发射电流密度在1100℃b时可达到17.52A/cm2。
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公开(公告)号：CN101698909A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910236796.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域。本发明通过如下步骤制备钼铜合金：1)将硝酸铜溶液和络合剂柠檬酸溶液加入到钼酸铵溶液中，并调节pH＝1-2后，于70-95℃加热形成溶胶，于100-150℃干燥形成凝胶，空气中于500-600℃加热分解形成钼铜复合氧化物粉末；2)将钼铜复合氧化物粉末在氢气中于500℃保温时间90min后，于700℃保温时间90min；3)将钼铜复合粉体在石墨磨具中压实后，在放电等离子体烧结装置中，于1100-1200℃和30-50MPa下保温0-5min。本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、无需粉末预成型、节能环保，所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀，杂质少。
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公开(公告)号：CN101597162A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1－xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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公开(公告)号：CN101447376A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810246837.9
申请日：2008-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Y2O3－Lu2O3体系复合稀土－钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明材料由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。本发明制成稀土－钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极以及含铈阴极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100467158C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099090.4
申请日：2007-05-11
Abstract: 多元复合稀土钨电子发射材料的旋锻加工方法，属于难熔金属加工技术领域。针对目前多元复合稀土钨电子发射材料因加工性能差未有工业生产的丝杆产品进入市场，阻碍了该产品替代具有放射性钍钨进程的现状，本专利适应多元复合稀土钨电子发射材料的力学性能变化规律，采用在旋锻温度为1625-1675℃进行B203旋锻，旋锻后将坯条经2150-2250℃快速退火后，再在1425-1475℃进行B202旋锻，最后在1325-1375℃进行B201旋锻，按上述方法可以加工制备Φ3.0-Φ12.0多种规格的稀土钨杆。该方法耗能小，产品成品率高。
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公开(公告)号：CN100433225C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610089745.5
申请日：2006-07-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。含钪扩散阴极是一种具有低温大发射特性的热阴极材料，但是氧化钪价格昂贵，导致阴极成本过高，因此没有获得实际应用。本发明一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极，含有稀土氧化物Y2O3和Sc2O3的复合组分或者稀土氧化物Eu2O3和Sc2O3的复合组分，其中所述稀土氧化物的复合组分占最终得到的掺杂钨粉总质量的3-10%。本发明制备的一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极的电流密度电流密度高达近40A/cm2，远高于同温度下钡钨阴极的电流密度，达到了器件对阴极电流密度的要求，并大大降低了原料成本，具有显著的经济效益。
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公开(公告)号：CN100395076C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510105684.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9%～99.99%；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10-3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20%，总变形量为92%～97%；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7-δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。
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公开(公告)号：CN100365745C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510087114.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属磁性材料领域。目前永磁材料多为薄带或者粉末，传统烧结工艺制备块体材料会造成晶粒长大，从而显著降低磁性能。本发明步骤：将成分为RxFeyBz的合金，其中R为稀土Nd或Pr元素，其中x：4-10，y：78-88，z：6-18在合金真空中频感应炉中熔炼母合金，之后用熔体快淬法制得非晶态、纳米晶态或者非晶和纳米晶混合态的淬态合金，熔体快淬的线速度为10-50米/秒；在惰性气体保护下研磨至粒度小于80目的合金粉末；装入模具并预压成型，压力范围10-1000MPa；进行放电等离子烧结技术处理，烧结温度550℃-700℃，压力30-1000MPa，升温速率50-500℃/min，保温0-10min，降温速率50-200℃/min。本发明获得高致密度、晶粒小于100纳米以及高磁性能和高使用温度材料。
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公开(公告)号：CN101075515A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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