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公开(公告)号：CN104143355A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310169071.X
申请日：2013-05-09
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明实施例提供一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置，以减小DRAM的刷新开销和减小芯片功耗。所述方法包括：内存控制器以第一刷新周期为周期向第一刷新地址计数器发送第一刷新命令，以第二刷新周期为周期向第二刷新地址计数器发送第二刷新命令；第一刷新地址计数器接收第一刷新命令后输出第一行地址，以使行地址多路选择器按照第一刷新周期对DRAM对应于第一行地址的存储单元进行刷新，第二刷新地址计数器接收第二刷新命令后输出中间地址，以使行地址多路选择器按照第二刷新周期对DRAM对应于第二行地址的存储单元进行刷新。本发明可以根据存储单元行的数据保持时间不同而采用不同的刷新周期，减小DRAM的刷新开销和芯片功耗。
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公开(公告)号：CN119440462A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310959998.7
申请日：2023-07-31
Abstract: 本申请实施例公开了一种存内计算模块，该存内计算模块包括计算阵列、数据写入单元和数据输入单元；数据写入单元用于将第一数据写入计算阵列，以使得计算阵列存储第一数据；数据输入单元用于将第二数据输入计算阵列；计算阵列用于存储第一数据，并在数据输入单元输入第二数据之后，根据第一数据和第二数据执行矩阵乘运算，获得计算结果。该方案中，存内计算模块中不需要额外设置数据读取单元，而是通过数据输入单元、数据写入单元以及计算阵列即可实现存内计算，从而可以减小存内计算模块的面积以及功耗开销。
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公开(公告)号：CN113760185B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110856426.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种内存块回收方法和装置，该方法包括：介质控制器接收内存控制器发送的释放命令，释放命令包括待回收的内存块的内存逻辑地址信息(S201)；介质控制器根据内存逻辑地址信息回收内存块；其中，回收后的内存块为可用内存块(S202)。所述介质控制器在接收到内存控制器发送的释放命令后，根据释放命令中包括的待回收的内存块的内存逻辑地址信息，释放对应的内存块，将内存块回收，提高了介质控制器的介质管理操作效果，进而提高了NVDIMM的存储性能并延长了NVDIMM的寿命。
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公开(公告)号：CN118193936A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310078971.7
申请日：2023-01-17
Applicant: 国家石油天然气管网集团有限公司 , 国家管网集团北京管道有限公司 , 华为技术有限公司
IPC: G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/25 , G06F18/214 , G06F18/24 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明实施例提供一种施工类型识别模型的训练方法、施工类型识别方法及装置，属于能源传输技术领域。训练方法包括获取输入的仿真振动信号及仿真振动信号对应的仿真施工类型，基于特征提取算法对仿真振动信号进行特征提取，得到特征数据，对特征数据进行滤波处理，得到滤波数据，确定预设神经网络模型的深度学习架构，基于深度学习架构对滤波数据的数据结构进行转换，将转换后的滤波数据进行多通道数据融合，得到二维的图像数据，基于图像数据和仿真施工类型构建样本集，提取样本集中的训练集对预设神经网络模型进行训练，得到施工类型识别模型。基于二维的图像数据进行确定样本集，在提升对施工类型识别的准确性和识别速度。
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公开(公告)号：CN109952565B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201680090713.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F12/0811 , G06F12/0877
Abstract: 一种内存访问技术，应用于包括第一级存储器、第二级存储器和内存控制器的计算机系统中。第一级存储器用于缓存所述第二级存储器中的数据。所述内存访问技术中，对于访问与第一级存储器中的第一缓存行具有映射关系的不同内存块的多个访问请求，内存控制器可以将该多个访问请求的标签集中在一起与所述第一缓存行的标签进行比较，以判断所述多个访问请求是否命中所述第一级存储器。在处理所述多个访问请求的过程中，内存控制器只需要从所述第一级存储器中读取一次所述第一缓存行的标签，从而减少了从所述第一级存储器中读取所述第一缓存行的标签的次数，缩短了内存访问延时，提高了内存访问效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108021514B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201610974156.9
申请日：2016-10-28
IPC: G06F12/0868
Abstract: 本发明实施例提供一种缓存替换的方法和设备，涉及数据处理技术领域，用以提高缓存命中率，从而降低系统平均访存时延。该方法可以应用于包括处理器、缓存控制器、缓存和内存的系统中。其中，缓存包括保护区间和优化区间，保护区间内的数据不被替换方法。该方法包括：缓存控制器接收处理器发送的包括待访问数据的地址的访问指令；根据待访问数据的地址确定缓存中未存储有待访问数据；缓存控制器从内存中读取待访问数据；缓存控制器在优化区间中确定待替换缓存块；将待替换缓存块中的数据替换为待访问数据。
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公开(公告)号：CN107209712B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580001233.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F11/30
Abstract: 本申请揭示了一种存储系统存储设备及硬盘调度方法。所述存储系统包括M个硬盘组、供电系统和控制器，M为不小于3的自然数。所述M个硬盘组中的每个硬盘组包括至少一个用于存储数据的硬盘，每个硬盘包括非激活状态、启动状态以及工作状态。所述供电系统为所述存储系统提供的电力支持所述M个硬盘组中的一个硬盘组处于工作状态以及另一个硬盘组处于启动状态。所述控制器连接所述M个硬盘组并用于控制所述M个硬盘组中的第一硬盘组中的硬盘处于工作状态以处理第一组业务请求，并在所述第一硬盘组中的硬盘处于工作状态时，控制所述M个硬盘组中的第二硬盘组中的硬盘从非激活状态转换到启动状态，第二硬盘组用于处理第二组业务请求。
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公开(公告)号：CN109729730B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201780035353.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种写入信息的方法(200)，应用于NVDIMM，该NVDIMM包括NVDIMM控制器和NVM，该方法(200)包括：NVDIMM控制器从主机接收清除命令，清除命令用于命令NVDIMM控制器以第一写模式清除NVM中的数据，第一写模式为至少两种在NVM上写入信息的模式中的一种(S201)；NVDIMM控制器根据所述清除命令在所述NVM中写入信息(S202)。可以减小在对NVDIMM中的持久性数据进行清除操作时的耗电量。
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公开(公告)号：CN108027765B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201680004227.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F12/06
Abstract: 一种内存访问方法，用于降低内存访问延时，该方法包括：内存控制器获取访问队列中的第二访问请求(408)，其中，所述访问队列中至少包括第一访问请求以及所述第二访问请求，所述第二访问请求中包括第二行地址以及第二列地址；所述内存控制器确定所述第二行地址命中第二地址范围(409)，其中，所述第二地址范围中的第三行地址指向的行处于激活状态，所述第二行地址与所述第三行地址不同；所述内存控制器根据所述第二访问请求向所述控制电路发送第二访问指令(410)，所述第二访问指令中包含有所述第二列地址以及第二行偏移，其中，所述第二行偏移为所述第二行地址与所述第三行地址的偏移量。
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公开(公告)号：CN106326135B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201510376718.5
申请日：2015-06-30
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供了一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。本发明还公开了一种平移非易失性存储器NVM的数据的装置。采用本发明，可减少NVM中存储数据的行地址的擦写次数，提高NVM的寿命。
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