一种超分辨显微方法和装置

    公开(公告)号:CN102735617A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210227898.7

    申请日:2012-06-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种超分辨显微方法和装置,其中方法包括:将激光器发出的激光光束准直后转换为线偏振光;线偏振光经第一次相位调制后进行光路偏转;偏转后的光束经聚焦和准直后转换为圆偏振光投射到待测样品上,收集待测样品各扫描点发出的信号光,得到第一信号光强;切换调制函数,对线偏振光进行第二次相位调制后投射到待测样品上,收集待测样品各扫描点发出的信号光,得到第二信号光强;计算有效信号光强,并得到超分辨图像。本发明装置简单,操作方便;可以在较低的光功率条件下实现超衍射极限的分辨率;成像速度快,在每一帧图像的扫描点数为512×512的情况下,帧频可达到每秒15帧以上。

    半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

    公开(公告)号:CN102483378A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080033122.0

    申请日:2010-07-19

    CPC classification number: G01N21/6489 G01N2201/06113 G01N2201/10 H01L22/12

    Abstract: 分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量,使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量,使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中,通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除,所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得,或者在不同的激发波长下被产生。本方法特别适用与诸如硅块或硅锭的体样品,其中相比于薄的、表面受限的样品如硅晶片,信息可以在很大的体寿命值范围内被获得。本方法还可应用于太阳电池的生产中以改善硅块和硅锭的制造,以及为晶片提供切割导引。

    用于光学扫描表面的扫描设备

    公开(公告)号:CN1991435A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610064159.5

    申请日:2006-12-15

    Inventor: M·维德尔

    Abstract: 本发明涉及一种用于尤其光学扫描特别是不平的表面的扫描设备。所述扫描设备包括电磁初级辐射源、为偏转来自初级辐射源的初级辐射而设立的可控射束偏转设备、和探测器,所述探测器为探测通过初级辐射射到对象上而产生的二次辐射被设立。通过使用可控初级辐射,能够准确地照射对象的要成像的点。因此成像分辨率基本上由初级射线束的范围或者扩展确定。初级射线束同时也确定要成像的点的几何位置,使得可以去掉成像光学器件和像素化的二次辐射探测器。去掉成像光学器件极大地提高了景深清晰度,所述景深清晰度仅尚由初级辐射的扩展限制。由此可以在最大程度上可变地调整在扫描设备和要被扫描的对象之间的距离。

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