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公开(公告)号：CN111206282A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911044439.3
申请日：2019-10-30
申请人： 德清晶辉光电科技股份有限公司 , 杭州雨晶电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法，包括如下步骤：（1）多晶原料的制备：将碳酸锂和氧化铌原料混合烧结后压块破碎，得到多晶原料；（2）晶体的生长：将多晶原料放入位于多层温场中的铂金坩埚内，采用提拉法进行晶体生长，经过引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱后得到多畴晶体；（3）晶体的退火和极化：将多畴晶体埋入多晶原料中，进行退火和极化，得到所述8英寸铌酸锂晶体。本发明晶体生长过程中采用多层温场，保证温场均匀无突变，避免晶体多晶和开裂，晶体生长更容易控制；采用埋粉法退火极化，晶体不易开裂；制备多晶原料时进行多次混合烧料，可以确保晶体居里温度稳定。
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公开(公告)号：CN110945164A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880044923.3
申请日：2018-06-11
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明提供一种石英玻璃坩埚，其能够兼顾提高单晶硅的制造成品率与抑制单晶中产生气孔。石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的直体部(1a)、弯曲的底部(1b)及设置于直体部(1a)与底部(1b)之间的拐角部(1c)，从直体部(1a)的上部(1a1)中的内表面至深度0.5mm为止的内侧表层部的气泡含有率为0.2％以上且2％以下，直体部(1a)的下部(1a2)中的内侧表层部的气泡含有率大于0.1％且为直体部(1a)的上部(1a1)的气泡含有率的下限值的1.3倍以下，拐角部(1c)中的内侧表层部的气泡含有率大于0.1％且为0.5％以下，底部(1b)中的内侧表层部的气泡含有率为0.1％以下。
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公开(公告)号：CN110722709A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910866742.5
申请日：2019-09-12
申请人： 保山隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明实提供了一种碳碳预制体及其制备方法，包括：基于缓冲层，将第一碳布层、连续纤维层和第一网胎层之间固定连接，得到间断层；基于间断层，将多层第二碳布层和多层第二网胎层之间固定连接，得到连续层；将多层间断层和多层连续层固定在缓冲层的表面；去除缓冲层，得到碳碳预制体；其中，第一碳布层与缓冲层接触，一层连续层设置在相邻两层间断层之间，且连续层中的第二碳布层与间断层中的第一网胎层接触。本发明中，通过将多层间断层和连续层交替设置在模具上的缓冲层上，从而制备得到碳碳预制体，减少了碳纤维布和碳纤维网胎的接头，提高了碳碳预制体的力学性能，同时，使连续层中的张紧力得到释放，进一步提高了碳碳预制体的力学性能。
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公开(公告)号：CN110709539A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880029870.8
申请日：2018-04-02
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明提供一种能够经受多次提拉等极长时间的单晶提拉工序的石英玻璃坩埚及其制造方法。石英玻璃坩埚(1)具备：有底圆筒状的坩埚主体(10)，由石英玻璃制成；以及含有结晶化促进剂的涂膜(13A、13B)，以通过基于提拉法进行的单晶硅的提拉工序中的加热在坩埚主体(10)的表面附近形成结晶化促进剂浓缩层的方式形成于所述坩埚主体(10)的表面。
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公开(公告)号：CN110629280A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911036220.9
申请日：2019-10-29
申请人： 合肥科晶材料技术有限公司
摘要： 本发明提供一种单晶生长悬浮提拉炉，包括水冷铜坩埚、不锈钢腔室、感应射频电源、整体电路控制装置、水冷机、抽真空组件、提拉机构和坩埚升降机构；水冷铜坩埚设在不锈钢腔室内部并与其滑动连接，不锈钢腔室底部设有坩埚升降机构，坩埚升降机构锈钢腔室密封连接，坩埚升降机构上端与水冷铜坩埚连接，不锈钢腔室外侧与抽真空组件连接，抽真空组件安装在支架上，本发明相对于以往的晶体生长炉结构小，各方面功能可以精确控制，适合用研究所和各大院校针对金属晶体的研究，各个控制部分采用模块化，可自由进行选择，为金属单晶生长的研究提供了更大的可能性。
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公开(公告)号：CN110592663A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910966325.8
申请日：2019-10-12
申请人： 内蒙古中环光伏材料有限公司
摘要： 本发明提供一种满足拉制多颗单晶的石英坩埚使用工艺，在直拉单晶的取段复投过程中，添加一定量的氢氧化铝；以及，随着拉制单晶颗数的增加，进行氢氧化铝的补掺，进行已经脱落的析晶层补充，促使石英坩埚向稳定的α-方石英结构转变。本发明的有益效果是添加氢氧化铝，加快石英坩埚向稳定的α-方石英结构转变，补充已经脱落的析晶层，减少硅溶液对石英坩埚腐蚀，提高石英坩埚使用寿命，做到降本增效。
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公开(公告)号：CN110541192A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910959337.8
申请日：2019-10-10
申请人： 晶科能源有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种石英坩埚及其制备方法，石英坩埚包括坩埚主体以及依次设置在坩埚主体内壁的气泡层、透明层，透明层包括位于尾棒加料液位线上方的上透明分部以及设置在尾棒加料液位线下方的下透明分部，气泡层、透明层在坩埚主体的水平线以上的部分的总厚度处处相等，上透明分部在尾棒加料液位线处与下透明分部连接，且上透明分部的厚度大于下透明分部的厚度。由于液位线处的硅溶液与坩埚壁反应剧烈，通过相对加厚液位线处透明层的厚度，减少了透明层在硅熔液长时期处于高温区时，被腐蚀破损的可能，避免了硅溶液进入气泡层，避免了气泡层的杂质进入硅溶液之中，使得拉晶过程中的晶棒整棒率提升，品质提升，降低了单晶制备成本。
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公开(公告)号：CN106868583B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510909607.6
申请日：2015-12-10
申请人： 有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种石英坩埚。该石英坩埚的坩埚壁包括坩埚底壁、弧度过渡区及圆柱周壁三个部分，从坩埚内表面侧至外表面侧具有透明石英层和不透明石英层，其中，透明石英层的气泡含有率小于0.3％，不透明石英层的气泡含有率为0.6％以上。本发明的石英坩埚的弧度过渡区的透明层厚度是圆柱周壁处的透明层厚度的1.2‑1.6倍。本发明通过石英坩埚的弧度过渡区的热传导特性抑制石英坩埚中弧度过渡区的硅熔体的流动能力，硅单晶的氧含量均匀性得到改善。采用本发明的石英坩埚，从坩埚外侧进行加热时，可抑制石英坩埚底部熔融硅的温度偏差，减少石英坩埚底部硅熔体浮力，抑制硅熔体的向单晶生长界面的热对流，获得氧含量均匀的硅单晶。
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公开(公告)号：CN109811413A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910162020.1
申请日：2019-03-05
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种管状梯度浓度掺杂钇铝石榴石激光晶体及其制备方法，所述激光晶体由n(n为≥2的整数)层同轴心不同掺杂浓度钇铝石榴石晶体圆管组成；制备步骤包括根据激光晶体中钇铝石榴石晶体圆管的层数n和尺寸，设计制作相匹配的坩埚、模具和盖板；制备生长原料、制作籽晶、装炉和生长晶体。本发明优点在于能够实现掺杂浓度沿管壁厚度方向上的按需调控，可以提高吸收功率密度、产生热耗和温度分布的均匀性，大幅降低晶体热效应，实现更高光束质量的激光输出，可为高功率高光束质量固体激光的发展提供优良的激光工作物质。
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公开(公告)号：CN109650749A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811470987.8
申请日：2018-12-04
申请人： 有研光电新材料有限责任公司
摘要： 本发明实施例公开了一种石英舟表面处理的方法，包括以下步骤：将镓液体倒入石英管内，加热到35℃-40℃，去除镓液体表面上的氧化膜；将若干个喷砂打毛处理后的石英舟浸没于镓液内；抽真空2-5分钟；将保护气体充入所述石英管内，将镓液升温至1230℃-1260℃，恒温保持2-3小时，即得内壁形成α-方石英球晶体的石英舟。经过表面处理后的石英舟在拉制砷化镓单晶的过程中，能有效避免砷化镓与石英舟内表面、上表面生长过程中浸润的问题，使得砷化镓单晶背面具有与正面相同的镜面光泽，有效避免石英舟与砷化镓单晶的粘结现象，避免了粘结对砷化镓单晶生长的影响。
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