公开(公告)号：CN108055030B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201711393752.9

申请日：2017-12-21

申请人： 上海艾为电子技术股份有限公司

发明人： 罗旭程 ,  胡建伟 ,  程剑涛

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H03K17/081

摘要： 本申请提供一种负载开关集成电路，包括：第一引脚和第二引脚；连接在第一引脚和第二引脚之间的第一开关管；第一开关管的第一端与第一引脚相连，第一开关管的第二端与第二引脚相连，第一开关管的控制端接受栅极控制电路的控制；第一二极管，第一二极管的正极连接至地，第一二极管的负极连接至第一开关管的控制端；一个静电释放保护单元，静电释放保护单元的一端连接至地，另一端连接第一引脚或第二引脚；其中，第一开关管的过电流能力大于或等于静电释放保护单元的过电流能力。通过改变负载开关内部连接，并增加二极管，从而减少了一个引脚的ESD保护单元的使用，从而大大减小了负载开关集成电路的占用面积。

公开(公告)号：CN113839653A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111153240.1

申请日：2021-09-29

申请人： 陕西省地方电力(集团)有限公司 ,  陕西能源研究院有限公司 ,  陕西省地方电力(集团)有限公司榆林电力分公司

发明人： 张华 ,  范斌涛 ,  王婷 ,  魏春燕 ,  陈相吾 ,  刘锋 ,  马岩浩 ,  王璞

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/687

摘要： 本发明公开一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，涉及保护电路领域，包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路，所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接，且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入，所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接，通过在SiC MOSFET的源极串接电阻检测电流,将电流信号转为电压信号，使用LM211比较器与预定值进行比较，将比较信号经过光耦隔离输出后，直接接入SiC MOSFET驱动芯片的使能端，直接在SiC MOSFET驱动芯片侧进行保护，同时使用另一个光耦隔离输出接入主控模块的硬件保护中断引脚，双重保护。

公开(公告)号：CN113517804A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110790674.6

申请日：2021-07-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 翟小社

IPC分类号： H02M1/088 ,  H02M1/092 ,  H02M1/34 ,  H03K17/081 ,  H03K17/567

摘要： 本发明公开了一种IGBT串联条件下的同步性能监测电路，缓冲电路包括缓冲电路导体、缓冲电阻元件及缓冲电容元件，其中，缓冲电路导体、缓冲电阻元件及缓冲电容元件串联于IGBT的集电极与发射极之间，缓冲电路导体位于PCB型磁场传感器与聚磁体之间，PCB型磁场传感器与信号输入整流桥的交流电压输入侧相连接，信号输入整流桥输出侧的正极经输入电阻与输入保持电容的一端及信号处理电路的输入端相连接，输入保持电容的另一端与信号输入整流桥输出侧的负极相连接，信号处理电路的输出端与控制系统相连接，该电路能够实现对IGBT串联条件下的同步触发性能进行监测。

公开(公告)号：CN113381743A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110841062.5

申请日：2021-07-23

申请人： 成都氮矽科技有限公司

发明人： 李鑫 ,  葛征良 ,  罗鹏

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/687

摘要： 本申请公开一种驱动保护电路，该驱动保护电路包括电连接的至少两个驱动保护模块，每个所述驱动保护模块包括驱动模块、下拉电阻、反相电路、第一开关管和第二开关管，所述驱动模块的第一输出端与所述第二开关管的第一端连接，所述驱动模块的第一输出端通过所述反相电路与所述第一开关管的第一端连接，所述驱动模块的第二输出端与所述第一开关管的第三端连接，所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接，所述下拉电阻与所述第一开关管并联，所述第二开关管的第二端与相邻的前一个驱动保护模块中的第二开关管的第三端连接。本申请的驱动保护电路可有效抑制振铃、EMI、EMC，避免出现驱动串扰及开关管误开启引起炸管。

公开(公告)号：CN110661417B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201810695495.2

申请日：2018-06-29

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 郑世程 ,  付丽银 ,  刘飞 ,  霍宗亮 ,  叶甜春

IPC分类号： H02M3/155 ,  H02M1/32 ,  H03K17/081

摘要： 本发明公开了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，电压传输电路包括：主传输MOS管及防击穿保护器件；防击穿保护器件的输入端接入输入电压，防击穿保护器件的输出端连接主传输MOS管的第一端，主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及主传输MOS管的第二端外接负载，其中，防击穿保护器件用于将输入电压钳位预设电压后输出至主传输MOS管的第一端，预设电压小于输入电压。在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN113037260A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911251900.2

申请日：2019-12-09

申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司

发明人： 张利地 ,  周健

IPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/081 ,  H02M1/08

摘要： 本发明公开了一种信号开关管的驱动电路以及信号传输电路，驱动电路包括栅极控制电路、电荷泵电路以及预充电电路。栅极控制电路用于根据使能信号形成时钟信号，并根据所述时钟信号形成驱动信号来驱动信号开关管的栅极，预充电电路用于根据所述时钟信号向信号开关管的栅极电容提供预充电电流，将信号开关管的栅极电压预充电至一定电压，然后通过栅极控制电路将信号开关管的栅极电压充电至信号开关管的导通阈值。由于预充电电路的充电电路为低阻抗通路，因此可以大大减小信号开关管的导通时间，从而可在提高信号开关管的导通和关断速度的同时又不增加电路功耗和电路成本，而且不会降低电路稳定性。

公开(公告)号：CN108768359B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201810290470.4

申请日：2018-04-03

申请人： 李晓明

发明人： 李晓明

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/72 ,  H03K17/00

摘要： 本发明公开了一种有载分接开关及其方法，包含主开关、晶闸管辅助电路、选择开关；各个主开关分别通过至少一个分接头串联在调压变压器的调压线圈的不同回路中；所有主开关中的任何一个闭合，调压线圈即能构成电流流通路径；不同主开关闭合时，调压变压器输出不同电压；任何一个主开关通过选择开关并联某一个晶闸管辅助电路时，与其临近的另一个主开关能够通过选择开关并联另一个晶闸管辅助电路；形成两路分别并联有晶闸管辅助电路的主开关的切换器；有载分接开关内部不包含共用的切换器；各开关顺序操作，实现负载电流从原本闭合的主开关有载切换到将要闭合的主开关。

公开(公告)号：CN112838855A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110209632.9

申请日：2021-02-24

申请人： 上海坤振集成电路有限公司

发明人： 李明峰

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K17/081

摘要： 本发明公开了一种自切换阱开关电路，包括第一高压PMOS管，第一高压PMOS管与ISW信号接口串联，第一高压PMOS管与第二高压PMOS管和第三高压PMOS管并联，第二高压PMOS管与INP信号接口串联。本发明仅使用了一个开关管即可实现高侧开关的开启，相较于普通电流开启的高侧开关，达到相同的导通电阻仅需1/4的开关管面积，同时开关可以自动完成阱电位的切换，即阱电位可以跟随输入/输出中较高的电压，没有关断漏电流，且该电路可以通过实现电流控制型开关的VGS等比例开启，提高各路电流控制型开关的通道匹配性以及温度特性，结构简单，降低制造成本。

公开(公告)号：CN112751322A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201911056421.5

申请日：2019-10-31

申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司

发明人： 余伟 ,  罗海辉 ,  袁涛 ,  邓江辉 ,  周望君 ,  江普生 ,  肖艳艳 ,  刘凯 ,  杨越 ,  姚尧 ,  刘敏安 ,  凌浪波

IPC分类号： H02H7/20 ,  H02H9/04 ,  H03K17/081

摘要： 本发明公开了一种IGBT管保护电路、方法、IGBT电路及设备，涉及电路技术领域，该IGBT管保护电路，短路保护单元，其连接在所述IGBT管的栅极与主发射极之间，用于当所述IGBT管的栅极与主发射极之间的电压超过预设阈值时，降低所述IGBT管的栅极电压。本发明的有益效果是：可以在IGBT管发生短路时降低IGBT管的栅极电压，从而起到抑制IGBT管栅极电压的升高，以较大幅度的地降低短路电流的作用，特别是适用于IGBT管的二类与三类短路工况，而且整个电路设计简单实用，易于实现。

公开(公告)号：CN112260683B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011515026.1

申请日：2020-12-21

申请人： 芯天下技术股份有限公司

发明人： 吴彤彤 ,  王小光 ,  刘梦

IPC分类号： H03L7/00 ,  H02M1/32 ,  H03K17/081

摘要： 本发明公开了一种复用振荡器频率调整模块和基准模块的电路及芯片，通过设置频率调整模块和基准模块，当有较大频率输出的要求时，启动频率调整模块，充电电流增大，振荡器输出频率增加；当有更大频率输出的要求时，通过基准模块降低比较器的基准电压Vref，使得比较器提前翻转，从而达到增大频率的目的；本电路在高振荡器输出频率的要求下，不需要进一步增加电路中mos管的充电电流，而是通过降低比较器的基准电压Vref就可以实现振荡器输出频率增加，避免瞬间充电电流过大损坏mos管，保护电路中mos管的使用寿命，保证振荡器电路的正常运行。