一种散热装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111627876B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN201910974369.5

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 本发明提供一种散热装置,该散热装置包括分别与用于容纳第一介质的介质容器相连的第一回路和第二回路,所述第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通;其中,所述第二回路用于调节所述介质容器中的第一介质的温度,所述第一回路用于调节对目标器件散热所需的第一介质的流量和压力。由于第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通,因此,在采用第二回路调节第一介质的温度和采用第一回路调节第一介质的流量和压力时,第一回路和第二回路能够独立调节互不干扰,因而能够保证第一介质的温度、第一介质的流量和第一介质的压力保持恒定。

    一种IGBT功率模块
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109585432B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201710898035.5

    申请日:2017-09-28

    Abstract: 本发明提出了一种IGBT功率模块,该IGBT功率模块包括上端板;下端板;设置在上端板和下端板之间的IGBT组件,IGBT组件具有偶数个串联的IGBT子单元、接触式设置在相邻的IGBT子单元之间第一电气连接件、接触式设置在最上端的IGBT子单元的上表面的第二电气连接件和接触式设置在最下端的IGBT子单元的下表面的第三电气连接件;设置在上端板和第二电气连接件之间的上绝缘板;设置在下端板和第三电气连接件之间的下绝缘板;用于连接上端板和下端板的连接杆,该IGBT功率模块采用压装设计,其具有较高的耐压及通流能力。

    一种功率模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN107293495A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201610194446.1

    申请日:2016-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制造方法,属于电子器件技术领域,解决了的传统的功率模块集成度低,应用开发难度较高的技术问题。该制造方法包括:形成设置有功率芯片、栅极电阻以及温敏电阻的芯片单元;将多个芯片单元设置在散热底板上,并在芯片单元上连接导电件;在散热底板上环绕芯片单元设置铜排结构和电流传感器,铜排结构具有正极端部,负极端部和交流极端部,电流传感器套设在交流极端部上;进行芯片单元内部、芯片单元之间以及铜排结构和芯片单元之间的电位连接,使得多个芯片单元构成半桥电路;在铜排结构上设置隔板,隔板具有镂空图案,导电件穿过所述镂空图案;在隔板上设置驱动电路板并连接导电件和驱动电路板。

    一种散热装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111627876A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201910974369.5

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 本发明提供一种散热装置,该散热装置包括分别与用于容纳第一介质的介质容器相连的第一回路和第二回路,所述第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通;其中,所述第二回路用于调节所述介质容器中的第一介质的温度,所述第一回路用于调节对目标器件散热所需的第一介质的流量和压力。由于第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通,因此,在采用第二回路调节第一介质的温度和采用第一回路调节第一介质的流量和压力时,第一回路和第二回路能够独立调节互不干扰,因而能够保证第一介质的温度、第一介质的流量和第一介质的压力保持恒定。

    一种功率组件故障记录诊断系统及方法

    公开(公告)号:CN108614167B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201611130144.4

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种功率组件故障记录诊断系统及方法,系统包括:功率组件和控制电路。主控单元通过采样单元实时获取电压、温度和电流传感器采集的信号。控制电路包括主控单元,以及与主控单元相连的采样、接口和故障存储单元。当主控单元检测到功率组件发生故障,将故障发生前后功率模块的电压、温度和电流数据及故障状态信息、输入PWM脉冲数据保存至故障存储单元。外部的上位机通过接口单元、主控单元访问故障存储单元,读出故障发生前后的电压、温度、电流信号波形,以及故障状态信息、输入PWM脉冲数据,以分析、定位和排除功率组件故障。本发明能够解决变流器功率组件发生故障时,无法复现故障时刻的条件,并准确定位故障原因的技术问题。

    功率半导体模块
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108010891A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201610943436.3

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:冷却构件、壳体、基底、功率半导体器件,以及两个以上的负载连接件。负载连接件以弹性触通方式压接于壳体与冷却构件之间,基底布置在冷却构件上。基底包括在其面向功率半导体模块内部形成的导电带,以及布置于导电带与冷却构件之间的绝缘层。至少两个负载连接件构成为具有压力传递区段和自压力传递区段伸出引脚的金属成型体,至少一个负载连接件的引脚上具有导电的弹性触指。通过壳体向负载连接件的压力传递使弹性触指变形而与基底上的导电带接触导通。本发明能够解决现有功率半导体模块引脚与导电带之间压力大小的可控性差,不同位置的引脚与导电带之间压力的一致性差的技术问题的技术问题。

    一种基于IGBT的系统级芯片

    公开(公告)号:CN111106105A

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201811249415.7

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于IGBT的系统级芯片,其包括印刷电路板,其具有功率区、驱动区、隔离区和控制区;多个功率组件,其设置于所述功率区内;多个驱动器,其设置于所述驱动区内;隔离组件,其设置于所述隔离区内;以及控制区内的控制器,所述控制器经由所述隔离组件控制各个驱动器,以使各个驱动器分别对应地驱动各个功率组件工作,驱动器的输出端的端面与对应的功率组件的控制端的端面接触,以实现该驱动器的输出端与对应的功率组件的控制端的电连接。本发明通过网状互联和缩短栅极连接距离能保证IGBT同时开启和关断,大大提高了IGBT元胞导通率和关断率。

    一种功率模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN107293495B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201610194446.1

    申请日:2016-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制造方法,属于电子器件技术领域,解决了的传统的功率模块集成度低,应用开发难度较高的技术问题。该制造方法包括:形成设置有功率芯片、栅极电阻以及温敏电阻的芯片单元;将多个芯片单元设置在散热底板上,并在芯片单元上连接导电件;在散热底板上环绕芯片单元设置铜排结构和电流传感器,铜排结构具有正极端部,负极端部和交流极端部,电流传感器套设在交流极端部上;进行芯片单元内部、芯片单元之间以及铜排结构和芯片单元之间的电位连接,使得多个芯片单元构成半桥电路;在铜排结构上设置隔板,隔板具有镂空图案,导电件穿过所述镂空图案;在隔板上设置驱动电路板并连接导电件和驱动电路板。

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