-
公开(公告)号：CN108874577A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810400609.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1044 , G06F11/1048 , G06F13/4239 , G11C29/42
Abstract: 描述了一种编解码装置及用于编解码的方法。所述编解码装置可包括：第一编码器，使用基本数量的比特产生第一码；第二编码器，使用补充数量的比特产生第二码。第二码与第一码一起可比单独的第一码更健壮。存储在存储装置中的模式寄存器可指定针对第二编码器的开关是断开还是闭合：第一编码器始终被使用。
-
公开(公告)号：CN108694134A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810315719.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0877 , G06F12/0888
CPC classification number: G06F12/121 , G06F12/0868 , G06F12/127 , G06F13/16 , G06F2212/1024 , G06F2212/1041 , G06F2212/214 , G06F2212/6022 , G06F12/0877 , G06F12/0888
Abstract: 一种从前端存储器选择数据的多个高速缓存行中的高速缓存行用于逐出的方法，该方法包括：将基线替换分数分配给高速缓存的多个通道中的每一通道，所述通道分别存储高速缓存行；基于存储在每一通道中的高速缓存行的有效性程度将有效性分数分配给每个通道；基于通道的基线替换分数和通道的有效性分数的函数将逐出决定分数分配给每个通道；以及选择具有最高逐出决定分数的通道的高速缓存行作为要逐出的高速缓存行。
-
公开(公告)号：CN107885676A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710913938.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳·T·马拉丁 , 金钟民 , 郑宏忠
IPC: G06F13/16 , G06F12/0882
CPC classification number: G06F13/1657 , G06F12/0882
Abstract: 提供一种计算系统和用于操作计算系统的方法。一种伪主存储器系统，包括用于使用压缩、重复删除和/或纠错来执行存储器增强的存储器适配器电路。存储器适配器电路连接到存储器，并采用存储器增强方法来增大所述存储器的有效存储容量。存储器适配器电路还连接到存储器总线并实现用于连接存储器总线的NVDIMM-F接口或修改的NVDIMM-F接口。
-
公开(公告)号：CN107870873A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710651575.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0862
CPC classification number: G06F12/0862 , G06F12/0868 , G06F2212/214 , G06F2212/281 , G06F2212/313 , G06F2212/6022 , G06F2212/6026
Abstract: 一种基于按字节编址闪存的存储器模块和操作其的方法。一种将数据存储在存储器模块中的方法，所述存储器模块包括模块中预取器、模块中预取缓冲器、存储器和存储器控制器，所述方法包括：将地址信息从模块中预取器发送到存储器控制器和预取缓冲器；基于发送到存储器控制器的地址信息与发送到预取缓冲器的地址信息的比较，确定预取精度；基于预取精度，确定预取模式；基于预取模式，将数据存储在存储器中。
-
公开(公告)号：CN107481746A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710212112.7
申请日：2017-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F13/1673 , G06F3/0607 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F12/0868 , G06F12/0879 , G06F12/0891 , G06F13/1689 , G06F13/4068 , G06F2212/214 , G06F2212/60 , G06F2212/7203 , G11C5/04 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/005 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C2207/2245 , G11C7/1006 , G11C7/1072
Abstract: 提供了一种用于操作DDR可兼容异步存储器模块的系统和方法。所述方法包括：在主机存储器控制器和存储器模块之间提供DDR接口；在主机存储器控制器和存储器模块之间提供消息接口。存储器模块包括非易失性存储器和DRAM，其中，DRAM被配置为非易失性存储器的DRAM高速缓存。存储器模块的非易失性存储器中存储的数据可由存储器模块的非易失性存储器控制器异步地访问，并且DRAM高速缓存中存储的数据可由主机存储器控制器直接并同步地访问。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107092438A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710082951.1
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳·T·马拉丁 , 郑宏忠
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F15/17331 , G06F1/30 , G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/067 , G06F3/0685 , H04L67/1095 , H04L67/1097 , H04L69/16 , G06F3/064 , G06F3/0649 , G06F3/0656
Abstract: 公开一种存储器装置、存储器系统及用于复制数据的方法。一种存储器装置包括：多个易失性存储器，用于存储数据；非易失存性存储器缓冲器，被配置为存储与从主机计算机接收的工作负荷关联的数据；存储器控制器，被配置为将数据存储到所述多个易失性存储器和非易失性存储器缓冲器两者，并将数据复制到远程节点。非易失性存储器缓冲器被配置为在包括由远程节点置位的确认位的表中存储数据。
-
公开(公告)号：CN106814662A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610886006.2
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G06F3/0665 , G06F3/0613 , G06F3/0689 , G06F9/45558 , G06F12/0802 , G06F12/1009 , G06F2009/45583 , G06F2212/1024 , G06F2212/152 , G06F2212/621 , G05B19/0423 , G05B2219/25257
Abstract: 公开加速器控制器和控制加速器逻辑的方法。加速器控制器包括检测器和加载器。检测器检测应用程序或者虚拟机的运行时间特征，并识别与应用程序或者虚拟机关联的对应于检测到的运行时间特征的加速器逻辑。加载器将识别的加速器逻辑加载到至少一个动态随机存取存储器(DRAM)阵列。至少一个DRAM阵列基于识别的加速器逻辑被选择性地重配置为像查找表(LUT)一样运行或者像DRAM存储阵列一样运行，并且至少一个DRAM阵列位于操作系统环境的高速缓存一致地址空间中。加速器逻辑可包括查找表(LUT)。
-
公开(公告)号：CN110058805B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201811583661.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开一种能重复数据删除高速缓存及其方法。能重复数据删除高速缓存包括能重复数据删除读取高速缓存及不能重复数据删除写入缓冲器。能重复数据删除高速缓存包括重复数据删除引擎以管理从能重复数据删除读取高速缓存的读取以及写入，且返回指示写入是否成功的写入状态信号。能重复数据删除高速缓存包括高速缓存控制器，包括：确定是否能够在能重复数据删除读取高速缓存找到请求的地址的高速缓存命中/未中检查；当能在能重复数据删除读取高速缓存找到所请求的数据时管理数据存取的命中块；当不能在能重复数据删除读取高速缓存找到所请求的数据时管理数据存取的未中块；将与对数据存取有关的信息存储在能重复数据删除读取高速缓存的历史存储。
-
公开(公告)号：CN116594931B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310609420.9
申请日：2017-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳·T·马拉丁 , 金钟民 , 郑宏忠
IPC: G06F13/16 , G06F12/0882
Abstract: 提供一种计算系统和用于操作计算系统的方法。一种伪主存储器系统，包括用于使用压缩、重复删除和/或纠错来执行存储器增强的存储器适配器电路。存储器适配器电路连接到存储器，并采用存储器增强方法来增大所述存储器的有效存储容量。存储器适配器电路还连接到存储器总线并实现用于连接存储器总线的NVDIMM‑F接口或修改的NVDIMM‑F接口。
-
公开(公告)号：CN110058802B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811532772.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 谷芃 , 克里希纳·T·马拉迪 , 郑宏忠
Abstract: 本发明公开一种存储装置及一种控制存储器装置的方法。所述存储装置包括主机、逻辑裸片及包括存储裸片的高带宽存储器堆叠。在所述存储裸片的存储阵列上存储有计算查找表。所述主机发送命令来利用内核及多个输入特征图执行运算，所述运算包括找到所述内核的权重与多个输入特征图的值的乘积。所述计算查找表包括与所述内核的权重对应的行及与所述输入特征图的值对应的列。存储在与一行及一列对应的位置处的结果值是与所述行对应的权重和与所述列对应的值的乘积。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
142
records
(took 0.028 seconds)
