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公开(公告)号：CN119304189A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411438569.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种层状可调金属基复合材料及制备方法，属于构型化金属基复合材料技术领域，所述金属基复合材料包括交替布置的陶瓷金属混合层和金属层，其中陶瓷金属混合层的单层厚度为100‑1000μm，金属层的单层厚度为100‑1000μm；所述陶瓷金属混合层由陶瓷基负热膨胀粉末与第一金属粉末混合而成，所述陶瓷基负热膨胀粉末在所述陶瓷金属混合层中的体积占比为20％‑70％，所述金属层通过第二金属粉末制成。将陶瓷基金属混合层与金属层进行交替叠置，陶瓷基负热膨胀粉末具有较宽的负热膨胀温区，提高了所制备产品的应用范围，且本申请所制备出的产品致密度更高，界面反应少，进一步提高了所制备产品的导热能力。
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公开(公告)号：CN118619664A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410681817.3
申请日：2024-05-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度和优异环境稳定性的钛酸铋钾基陶瓷及其制备方法，属于电介质储能陶瓷材料领域。所述陶瓷的化学式为：(1‑x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3‑0.5Bi0.5Na0.5TiO3)‑xNaTaO3，其中x为NaTaO3的掺杂系数，x=0.0001~0.4。当x=0.18时，弛豫铁电陶瓷的击穿场强为740 kV/cm，高于大多数铋基储能陶瓷，其储能密度为15.0 J/cm3。此外，该陶瓷还表现出优异的环境稳定性，在10‑200Hz测试条件，有效储能密度为10.90±0.09 J/cm3；在101‑108循环次数下，有效储能密度为9.30±0.13 J/cm3。
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公开(公告)号：CN115717213B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202211365733.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C38/02 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22F1/02 , C22F1/10 , C21D1/26 , C21D1/74 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C33/04
Abstract: 本发明提供一种超低膨胀因瓦合金材料及其制备方法，属于超低膨胀合金材料技术领域，所述超低热膨胀因瓦合金材料以Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Co或Fe‑Co‑Cr基因瓦合金中的一种为基体，以一种负热膨胀相作为析出相。通过析出负热膨胀相，对因瓦合金基体进行改性。一方面提高其强度，改善其断屑能力，提高切削加工性能，同时保留优异的塑韧性，提高其塑性加工性能；另一方面，析出一定比例的负热膨胀相作为析出相，可以降低因瓦合金的膨胀系数，使其满足在较宽温区保持稳定零热膨胀性能。
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公开(公告)号：CN118136901A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410271317.2
申请日：2024-03-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了钙钛矿基纳米复相离子导体薄膜材料及其制备方法；离子导体薄膜材料由钙钛矿基纳米复相结构组成，钙钛矿基纳米复相结构由钙钛矿纳米柱与岩盐结构纳米柱间隔、重复排列形成；所述钙钛矿纳米柱与所述岩盐结构纳米柱之间具有共格界面；钙钛矿纳米柱作为与离子导体薄膜材料表面垂直的面外离子传输通道；其中，钙钛矿纳米柱为钛酸铋钠钙钛矿基离子导体，或锆酸锶钙钛矿基离子导体；岩盐结构纳米柱为氧化镁或氧化镍；制备方法包括：S1、钙钛矿基纳米复相结构原料依照设定比例混合，制备陶瓷靶材；S2、以步骤S1获得的陶瓷靶材为原料，以Nb掺杂的钛酸锶为基底，利用脉冲激光法在基底上沉积钙钛矿基纳米复相离子导体薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117737615A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311773962.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种负热膨胀颗粒增强La基非晶复合材料及制备方法，属于复合材料技术领域，La基非晶合金将不同的负热膨胀相分隔，所述负热膨胀相为陶瓷增强相或金属增强相，所述La基非晶合金为La‑Al‑Cu、La‑Al‑Co、La‑Al‑Ni、La‑Al‑(Cu,Ni)或La‑Al‑(Cu,Ag)‑(Ni,Co)体系。通过调控增强体体积分数来降低非晶合金热膨胀系数的同时还保留非晶合金一定的高强度、耐磨性等特点，可以使其适应之前无法达到的低膨胀甚至零膨胀的应用环境。
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公开(公告)号：CN117651473A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311521568.3
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N30/853 , C04B35/491 , C04B35/622 , H10N30/097 , H10N30/20
Abstract: 本发明涉及温度不敏感型压电陶瓷技术领域，特别是指一种温度不敏感型压电陶瓷及其制备方法和应用，其化学组成为0.32PbTiO3‑xBi0.5K0.5TiO3‑(0.68‑x)PbZrO3(0.13≤x≤0.17)。本发明所述压电陶瓷的具有较高的居里温度点及较小的介电损耗，压电性能在宽温区内能得以保持，这极大地提高了在实际应用过程中的使用范围。
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公开(公告)号：CN115717213A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211365733.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C38/02 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22F1/02 , C22F1/10 , C21D1/26 , C21D1/74 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C33/04
Abstract: 本发明提供一种超低膨胀因瓦合金材料及其制备方法，属于超低膨胀合金材料技术领域，所述超低热膨胀因瓦合金材料以Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Co或Fe‑Co‑Cr基因瓦合金中的一种为基体，以一种负热膨胀相作为析出相。通过析出负热膨胀相，对因瓦合金基体进行改性。一方面提高其强度，改善其断屑能力，提高切削加工性能，同时保留优异的塑韧性，提高其塑性加工性能；另一方面，析出一定比例的负热膨胀相作为析出相，可以降低因瓦合金的膨胀系数，使其满足在较宽温区保持稳定零热膨胀性能。
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公开(公告)号：CN114804874A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210535921.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , H04R17/00
Abstract: 本发明涉及一种四元压电陶瓷及其制备方法和应用，属于功能陶瓷材料技术领域，所述的四元压电陶瓷含有用通式Pb1‑xSrx(Mn1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)0.2‑yZr0.8‑zTizO3+a wt.％CeO2+uwt.％MnO2表示且组成满足如下关系的主要组分：0≤x≤0.1，0＜y＜0.2，0.3≤z≤0.5，0.2≤a≤0.3，0≤u≤0.5。其陶瓷样品采用前驱体合成固相反应法制备而成。能够获得优异的综合性能，所述四元压电陶瓷具有很大的可调性，可应用于接收型换能器、发射型换能器和收发两用型换能器，可以很好的满足各种高端大功率换能器件的应用需求。
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公开(公告)号：CN114671681A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210373275.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种兼具高储能密度、高功率密度和高效率的钛酸钡基弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法，属于电介质储能陶瓷材料技术领域；其化学组成为BixBa1‑3x/2TiO3(0.08≤x≤0.18)。方法包括：在BaTiO3的A位引入Bi3+，然后采用固相反应法合成。本发明所制得的钛酸钡基弛豫铁电陶瓷材料的储能密度能够达到6.48J/cm3，储能效率可以稳定在92％以上，且在480kV/cm的电场下，储能效率可以达到94.6％。此外，其制备方法简单，成本低廉，对环境友好，可以大规模生产。
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