一种电子标签电路
    106.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106529647B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610957754.5

    申请日:2016-10-27

    IPC分类号: G06K19/07

    摘要: 本发明公开了一种电子标签电路,包括:整流调整电路、限压泄放电路、电源检测电路和稳压电容;整流调整电路的第一输入端用于接收第一天线信号,第二输入端用于接收第二天线信号,整流调整电路的输出端与限压泄放电路的输入端相连;限压泄放电路的第一控制端用于接收第一天线信号,第二控制端用于接收第二天线信号,限压泄放电路的输出端与稳压电容的第一端相连,稳压电容的第二端接地;电源检测电路的输入端与稳压电容的第一端相连,电源检测电路的输出端与限压泄放电路的反馈端相连,限压泄放电路用于根据反馈信号、第一天线信号和第二天线信号对输出电压进行降压处理。该电路的结构简单且稳定,消除了电路竞争。

    仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法

    公开(公告)号:CN108846171A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810523411.7

    申请日:2018-05-28

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法,包括以下步骤:分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线,其中第一温度是-40度以下,第二温度是125度以上;根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型;在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型;根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果,调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。

    一种主控芯片的运算协处理模块

    公开(公告)号:CN107644003A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201710905589.3

    申请日:2017-09-29

    IPC分类号: G06F15/78

    摘要: 本发明涉及一种主控芯片的运算协处理模块,包括:模数转换电路、运算模块以及控制器;所述模数转换电路与传感器相连接,用于采集所述传感器的信号,将采集后的信号进行模数转换,并发送所述转换后的数据;所述运算模块分别与所述模数转换电路以及所述控制器相连接,所述运算模块用于在接收到的待运算的数据之后,对所述接收的待运算的数据进行预设的运算,并将运算后的数据发送给控制器;所述控制器用于将接收到的数据写入主控芯片的存储器中。本发明提供的主控芯片的运算协处理模块,可以极大提高运算效率并且节约成本。