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公开(公告)号：CN103137805B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310077631.9
申请日：2013-03-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法，采用不同铝组分的多量子阱结构作为有源区。本发明在结构中设计了AlGaN/AlN超晶格缓冲层，实现由蓝宝石衬底到n型AlGaN势垒层的应力释放，为材料的质量提供保障。因为在较低铝组分的AlGaN中才能形成良好的p型欧姆接触，所以有源层的结构也是采取先生长高铝组分的AlGaN层，再依次生长低铝组分的AlGaN层。p型Ni/Au欧姆电极大面积覆盖p型GaN欧姆接触层来实现电流的均匀传输。本发明提供的紫外发光二极管结构，其有源层的多个量子阱由不同铝组分的AlGaN材料构成，从而可以提高其光谱宽度，实现连续波段的紫外光源。
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公开(公告)号：CN104807768A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510249888.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种水体硝基苯含量测量装置，流通池固定在遮光箱中，两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源正下方的遮光箱内表面，超声振子放置于流通池内，蠕动泵固定在遮光箱内，将流通池内的水排出至遮光箱外，电磁阀固定在遮光箱内，连接流通池和遮光箱外界空气，水箱设置于遮光箱外，三通电磁阀连接水箱、流通池和待测水样；所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水体硝基苯含量的测量方法。本发明可以准确测量大范围、高浓度的水体硝基苯含量，测量浓度范围扩展到0-300000ppm，且可以循环自动在线测量，超声振子可以消除难溶于水的硝基苯的挂壁效应。
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公开(公告)号：CN104540265A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410676425.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低成本全方位全兼容驱动装置，电压监测单元用于检测开关K103上端电压并输送给高频恒流控制IC；高频恒流控制IC根据电压监测单元输出的电压值和检测到的开关K103的电流值判断是否使K103进入高频BUCK PWM或者进入限流运行模式；电流限制恒流单元用于通过监测电阻R的峰值电流并且通过开关K103进入限流恒流的模式；智能控制单元：通过电压监测单元、电阻R上电流及电流限制恒流单元提供的信号通过delta时延法实现对K101的时序控制。本发明能够在既不损坏灯管，亦不损坏镇流器的情况下兼容既实现电感式、耦合电子式、普通电子式、预热电子式等四类型的兼容以及对市电直接输入的全兼容。
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公开(公告)号：CN104507207A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410677234.X
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种高性能电流式多切LED控制器，包括输入整流单元、电压采样单元、逻辑控制单元、电流采样单元、恒流控制单元、开关阵列、电容、电阻和LED灯串；逻辑控制单元根据电压采集单元和电流采样单元采集的电压、电流信号发出控制信号给开关阵列控制LED灯串实现三切或四切的串转并的转换，并且发出控制信号调节恒流控制单元的电流值。本发明无纹波、低EMI、高效率、实现单电压输入范围、较高PF值、小型化、集成化和低成本，串联电容分压法极大的扩展了对输入电压变化的自适应并提高了系统效率，而且为LED提供了强大的滤波、供电；创新的电流监测自锁开关，极大的提高了系统的效率并减小了系统尺寸、降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN103022257B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210580045.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p-i-n结InGaN太阳电池制造方法，步骤为：清洗衬底；在衬底上生长GaN层；再生长全应变弛豫高In组分InGaN层；继续生长高In组分InGaN/GaN结构的InGaN超晶格层、高In组分n-InGaN层、高In组分i-InGaN层、高In组分p-InGaN层；升温生长p-GaN层；在p-GaN层刻蚀出电池台面；在p-GaN层上蒸镀栅形欧姆电极；在高In组分n-InGaN层台面上蒸镀欧姆电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，晶格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103400912A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310367196.3
申请日：2013-08-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为d2的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N-Alx2Iny2Ga1-x2-y2N组分渐变层、厚度为d3的Alx3In1-x3N层和厚度为d4的Alx4Ga1-x4N层组成。本发明中In组分的加入可以减小各层之间的晶格失配度，同时，组分渐变层有利于AlInN层的外延生长，Al0.5Ga0.5N模板层的应用也有利于组分渐变层的外延生长，解决由于晶格失配累积的应变所导致的缺陷或者开裂问题。
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公开(公告)号：CN103022257A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580045.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p-i-n结InGaN太阳电池制造方法，步骤为：清洗衬底；在衬底上生长GaN层；再生长全应变弛豫高In组分InGaN层；继续生长高In组分InGaN/GaN结构的InGaN超晶格层、高In组分n-InGaN层、高In组分i-InGaN层、高In组分p-InGaN层；升温生长p-GaN层；在p-GaN层刻蚀出电池台面；在p-GaN层上蒸镀栅形欧姆电极；在高In组分n-InGaN层台面上蒸镀欧姆电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，晶格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN119486239A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411668146.3
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超高K介质包裹凹槽栅的增强型MOSHEMT器件，其结构依次包括：衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的两侧分别设有源极和漏极，在势垒层中间靠近源极的部位设有一凹槽，在势垒层除源极和漏极以外的区域设有钝化层，在钝化层上设有超高K栅介质层，在超高K栅介质层对应势垒层凹槽的上方设有凹槽栅极，还设有超高K介质层覆盖凹槽栅极。还公开了其制备方法。本发明引入高质量超高K介质并利用其产生的极化电荷协助栅下2DEG的耗尽和积累，实现具有高阈值电压和高跨导的增强型HEMT器件；栅金属沉积后二次覆盖超高K介质层形成包裹凹槽栅，利用栅边缘靠近漏端区域的极化电荷可有效降低尖峰电场，实现高击穿电压。
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公开(公告)号：CN118326333A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452509.3
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，利用同质靶材与异质靶材本身的不同生长机制，可以同时获得表面平整的AlN薄薄膜，且具有较快的生长速度，可以很好地兼容大批量低成本制备工艺。同时，采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，有利于在后续高温退火中释放再结晶应力，可以实现低应力的AlN晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN118156304A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410355361.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种引入p‑NiO RESURF和场板结构的硅基HEMT器件及其制备方法，引入较低浓度的p‑NiO RESURF和场板混合的终端结构，其与p‑NiO栅电连接，这种新结构可以实现高击穿电压和低特定导通电阻。通过选择性面积再生，可以采用无刻蚀工艺沉积p‑NiO RESURF结构，避免了干法刻蚀引起的界面损伤。通常p‑NiO RESURF层的引入会耗尽底层的2DEG，导致输出电流降低。我们将p‑NiO RESURF层连接到栅极上，利用栅极正电压产生的场效应来恢复电子浓度从而增加输出电流。当栅极施加负电压时，在RESURF中形成耗尽区，从而实现高击穿电压。
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