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公开(公告)号：CN105978520A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610311205.0
申请日：2016-05-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02574
Abstract: 本发明涉及声表波器件制造领域，特别涉及一种多层结构的SAW器件及其制备方法。该多层结构的SAW器件，从上至下依次包括叉指换能器、压电单晶薄片和Diamond薄膜。压电单晶薄片厚度1‑10nm粗糙度1‑10nm，其上制备有叉指换能器。叉指换能器厚度1‑10nm。Diamond薄膜厚度1‑10μm，粗糙度5‑10nm，制备于硅基上。本发明通过降低压电晶体的厚度，使其只是激发和接收声表面波，而声表面波的传播在金刚石内，在相同的叉指换能器指宽的情况下，能够显著提高器件的工作频率。可满足高频、高机电耦合系数、小体积的声表面波的器件应用领域的需求。
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公开(公告)号：CN105509891A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510846774.0
申请日：2015-11-27
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G01J5/0025 , G01J5/10 , G01J2005/106
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，涉及基于柔性基板的以复合膜为敏感单元的大视场阵(线)列红外探测器，用于克服现有探测器视场小的缺点。本发明大视场阵列红外探测器，包括：封装底座、穿过底座设置的引脚、安装在封装底座上的PCB板、PCB板上连接设置的敏感电路、以及封装冒，其特征在于，所述封装冒为球形封装冒，球形封装冒开设曲面窗口、曲面窗口内镶嵌球面滤光片；所述敏感电路为曲面敏感电路，所述曲面敏感电路呈与曲面窗口对应的曲面状。本发明提供大视场阵(线)列红外探测器能够实现阵列红外探测器的大视场，且探测器红外视场可调节；同时，本发明红外探测器性能优越、结构简单，生产成本低、应用范围广。
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公开(公告)号：CN102901565A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210235653.9
申请日：2012-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 非制冷红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VOx1，或非晶硅，或钛酸锶钡(Bax2Sr1-x2)TiO3，或锆钛酸铅Pb(Zrx3Ti1-x3)O3，或掺镧锆钛酸铅(Pby1La1-y1)(Zrx4Ti1-x4)O3，或钽钪酸铅Pb(Tax5Sc1-x5)O3;其中，1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527314A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910058648.3
申请日：2009-03-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: ABO3/MgO/GaN异质结构及其制备方法，涉及微电子材料领域。本发明的ABO3/MgO/GaN异质结构包括衬底基片和ABO3，衬底基片和ABO3之间，有一个MgO纳米缓冲层薄膜，所述衬底基片为GaN外延片，ABO3为钙态矿结构的氧化物薄膜材料。本发明的MgO薄膜热稳定性良好，与氧结合稳定，是减小氧原子向半导体衬底扩散的有效阻挡层；同时MgO具有立方对称的晶体结构，晶格常数与大多数铁电氧化物接近，纳米厚度的MgO薄膜使得后续生长的ABO3结构的铁电薄膜能够在GaN上取向生长。采用本发明方法制备的ABO3/MgO/GaN异质结构各层界面清晰，为实现氧化物/半导体集成器件提供了一种可行的材料设计和生长方法。
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公开(公告)号：CN100477114C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510020584.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/316
Abstract: 通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，涉及电子材料，特别涉及铁电薄膜的制备技术。本发明提供一种铁电薄膜的制备方法，以实现铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为。为此，本发明提供一种通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，其过程包括在基片上沉积BTO薄膜，薄膜沉积达到预定厚度时，升高沉积温度再进行沉积，达到下一预定厚度时，再升高沉积温度进行沉积，如此循环。本发明实现了铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为，在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的铁电薄膜，实现了铁电薄膜的良好生长。
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公开(公告)号：CN1697143A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510020584.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/316
Abstract: 通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，涉及电子材料，特别涉及铁电薄膜的制备技术。本发明提供一种铁电薄膜的制备方法，以实现铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为。为此，本发明提供一种通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，其过程包括在基片上沉积BTO薄膜，沉积温度随薄膜厚度增加而变化。本发明实现了铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为，在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的铁电薄膜，实现了铁电薄膜的良好生长。
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公开(公告)号：CN117833863A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410019052.7
申请日：2024-01-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声表面波滤波器，具体涉及一种利用导线寄生参数的声表面波滤波器。本发明使用特殊图形化的寄生金属导线连接声表面波滤波器的结构组件(声表面波谐振器、金属电极)，在声表面波滤波器工作时，由于寄生金属导线产生的寄生所构成的寄生电容、寄生电感，满足优化声表面波滤波器的参数，因此等效于将电感和电容与结构组件(声表面波谐振器、金属电极)连接，从而在不增加芯片体积的情况下优化改变声表面波滤波器性能，利于集成。相对于现有技术在声表面波滤波器原有结构中额外加入匹配元器件的方法，具有更好的灵活性，提高了设计的自由度。
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公开(公告)号：CN114639635B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210266884.X
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/78 , H01L21/265 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本申请提供一种单晶薄膜的剥离方法、单晶薄膜以及电子元器件，用于解决现有技术中剥离时裂片的技术问题。其中的一种单晶薄膜剥离方法，包括：获取支撑衬底；获取离子注入后的薄膜晶圆，所述离子注入后的薄膜晶圆包括薄膜层、离子注入层以及余质层；对所述支撑衬底和所述离子注入后的薄膜晶圆进行处理，得到经处理的键合体；其中，所述经处理的键合体具有磁致伸缩特性；对所述经处理的键合体进行热处理，得到经热处理的键合体；其中，所述热处理的温度低于所述离子注入层完全气化并使所述离子注入后的薄膜晶圆剥离的临界温度；对所述经热处理的键合体施加磁场，使得所述经热处理的键合体产生应力，以使所述余质层从所述薄膜层剥离。
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