光波导基板的制造方法
    102.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101535887B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200780041570.3

    申请日:2007-11-09

    Inventor: 吉野隆史

    CPC classification number: G02F1/3775 G02F1/3558 G02F2201/066 G02F2201/124

    Abstract: 通过在单畴化的铁电体单晶基板的一个主面上所设置的梳形电极和另一个主面上所设的均匀电极之间施加电压,从而形成周期极化反转构造(9),去除梳形电极。接着在基板(18)上形成光波导(20)。使光波导(20)的光强度中心(P1)离开梳形电极的前端位置(P0)。

    液晶显示器件及使用其的终端器件

    公开(公告)号:CN101916015B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201010254599.3

    申请日:2006-12-22

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F2201/124

    Abstract: 本发明涉及液晶显示器件及使用其的终端器件。在液晶显示器件中,在彼此面对设置的主基板和对向基板之间设置有液晶层,在面对对向基板的主基板表面上形成有共享电极和像素电极,其是以梳状形成的平行电极对。在主基板和对向基板的相对表面上还形成有取向膜。形成平行电极对的电极,使得它们的宽度小于液晶层的厚度。由此通过由平行电极对产生的电场改变电极之间的液晶分子的取向,且根据电极之间液晶分子的取向变化,设置于电极之上的液晶分子的取向在与电极之间的液晶分子相同的方向上变化。由此在面内切换液晶显示器件中通过简单的电极结构实现了高度的透射率。

    液晶显示器件及使用其的终端器件

    公开(公告)号:CN101055394B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200610130984.0

    申请日:2006-12-22

    CPC classification number: G02F1/134363 G02F2201/124

    Abstract: 在液晶显示器件中,在彼此面对设置的主基板和对向基板之间设置有液晶层,在面对对向基板的主基板表面上形成有共享电极和像素电极,其是以梳状形成的平行电极对。在主基板和对向基板的相对表面上还形成有取向膜。形成平行电极对的电极,使得它们的宽度小于液晶层的厚度。由此通过由平行电极对产生的电场改变电极之间的液晶分子的取向,且根据电极之间液晶分子的取向变化,设置于电极之上的液晶分子的取向在与电极之间的液晶分子相同的方向上变化。由此在面内切换液晶显示器件中通过简单的电极结构实现了高度的透射率。

    照明装置及显示装置
    109.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101846270A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010002114.1

    申请日:2010-01-05

    Applicant: 索尼公司

    Inventor: 奥山健太郎

    Abstract: 一种照明装置及显示装置。该照明装置包括:导光板;光源,设置在导光板的侧面;以及光调制元件,设置在导光板的表面上或内部,并连接到导光板。光调制元件具有:成对的透明基板,彼此分开并彼此相对地设置;电极,能够产生沿与透明基板的表面平行的方向的电场;以及光调制层,设置在成对的透明基板的间隙中,并且包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域对于电场的响应速度彼此不同,并且第一区域和第二区域中的至少之一具有光学各向异性。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101581861A

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200810185668.2

    申请日:2008-12-19

    Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。液晶显示装置包括:形成于衬底上的选通线;与选通线交叉以限定像素区域的数据线,选通线与数据线间设有栅绝缘膜;形成于选通线与数据线的交叉处的薄膜晶体管;连接到薄膜晶体管且位于像素区域内的像素电极;与像素电极形成水平电场的公共电极;连接到选通线的选通焊盘;连接到数据线的数据焊盘。选通焊盘和数据焊盘包括:与选通线由相同材料形成于同一层内的下焊盘;贯穿栅绝缘膜以暴露下焊盘而形成的下接触孔;与数据线由相同材料形成于同一层内的上焊盘,其通过下接触孔连接到下焊盘;贯穿用于保护薄膜晶体管的钝化膜以暴露上焊盘而形成的上接触孔。各薄膜晶体管的半导体层与栅极交叠,宽度小于栅极宽度。

Patent Agency Ranking