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公开(公告)号：CN113711371A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080030846.3
申请日：2020-03-05
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/09 , B41J2/14
Abstract: 喷墨打印头(1)包括：压力室(5)；包含划分出压力室(5)的顶面部的可动膜(10A)的可动膜形成层(10)；和压电元件(6)，其形成为与可动膜(10A)的与压力室(5)相反侧的表面接触，具有在俯视时比可动膜(10A)更靠压力室(5)的内方的周边缘。压电元件(6)包括：形成于可动膜形成层(10)的与压力室(5)相反侧的表面的下部电极(7)；配置于下部电极(7)的与可动膜形成层(10)相反侧的上部电极(9)；和设置于上部电极(9)与下部电极(7)之间的压电体膜(8)，上部电极(9)在周边缘部的至少一部分具有薄壁部(92)。
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公开(公告)号：CN101393371B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810215198.X
申请日：2006-01-19
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 提供一种改善了光利用效率的反射型光控制装置。光控制装置(8)具备在基板(30)上配列成平面状的多个像素(10)。基板(30)上形成有第一反射层(32)。在第一反射层(32)的上面设置有光调制膜(34)。作为该光调制膜(34)的材料选择的是折射率根据施加的电场而变化的PLZT等光电材料。在光调制膜(34)的上面设置有透明电极(36)。在透明电极(36)的上面形成有第二反射层(40)。该第二反射层(40)是由电介质多层膜所形成，是把折射率不同的第一电介质膜(42)和第二电介质膜(44)交替层合而成。第一反射层(32)、光调制膜(34)和第二反射层(40)构成谐振器。透明电极(36)和第一反射层(32)形成电极对，通过向光调制膜(34)施加的电场来控制光控制装置(8)的反射率。
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公开(公告)号：CN101393371A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810215198.X
申请日：2006-01-19
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 提供一种改善了光利用效率的反射型光控制装置。光控制装置(8)具备在基板(30)上配列成平面状的多个像素(10)。基板(30)上形成有第一反射层(32)。在第一反射层(32)的上面设置有光调制膜(34)。作为该光调制膜(34)的材料选择的是折射率根据施加的电场而变化的PLZT等光电材料。在光调制膜(34)的上面设置有透明电极(36)。在透明电极(36)的上面形成有第二反射层(40)。该第二反射层(40)是由电介质多层膜所形成，是把折射率不同的第一电介质膜(42)和第二电介质膜(44)交替层合而成。第一反射层(32)、光调制膜(34)和第二反射层(40)构成谐振器。透明电极(36)和第一反射层(32)形成电极对，通过向光调制膜(34)施加的电场来控制光控制装置(8)的反射率。
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公开(公告)号：CN1326425A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99813501.1
申请日：1999-11-22
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: C01G1/00
CPC classification number: H01L21/02318 , C01G1/02 , C01G25/006 , C01G35/006 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C23C18/14 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31691
Abstract: 用含有金属元素的有机化合物材料,通过比较低温的热处理形成良好的无机化合物固体(铁电体膜等)的方法。在形成铁电体膜时,含有金属元素的有机化合物材料的溶液被涂抹在半导体基板上(S41)。使此溶液干燥(S42)并预烧成此溶液(S43)。在达到规定的膜厚之前反复进行此工序(S44),然后进行有机物去除处理(S45)。有机物去除处理比如是通过在减压氛围气体中(大约50Torr)的加热处理(大约550℃)进行的。对由有机物去除处理得到的无机化合物材料进行正式烧成(S46)。正式烧成比如是在大约550℃的温度下进行的,由此使无机化合物材料结晶化。
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公开(公告)号：CN116547231A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180081004.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明提供一种换能器(10A)，包括含有硅的基板(20)、配置在基板(20)上的压电元件(30)。基板(20)包括：膜体部(21)，其具有在厚度方向上相互面向相反方向的第一面(21a)和第二面(21b)；和从厚度方向看膜体部(21)时包围膜体部(21)的框体部(22)。压电元件(30)配置在膜体部(21)的第一面(21a)上。从厚度方向看时的膜体部(21)的外边缘(21c)的一部分形成与框体部(22)连接的连接部(21d)，连接部(21d)以外的外边缘(21c)的其余部分与框体部(22)分离。基板(20)具有从第二面(21b)之中的包含外边缘(21c)的其余部分的至少一部分的区域向厚度方向突出的突出部(24)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809408A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108653.4
申请日：2008-09-25
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: G01C19/56 , G01P9/04 , H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5656
Abstract: 本发明提供角速度检测装置和角速度检测装置的制造方法，上述角速度检测装置具备半导体基板(2)、形成于半导体基板(2)上的振子(3)、形成于半导体基板(2)上的控制振子(3)的控制电路(4)。
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公开(公告)号：CN101061418A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200680001231.8
申请日：2006-04-07
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 藤森敬和
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/21 , G02F1/0311 , G02F1/0316 , G02F2001/213 , G02F2201/124 , G02F2201/305
Abstract: 提供一种改善了光的利用效率的光调制装置。光调制装置(10)具备：发光部(22)、法布里珀罗型的谐振器(16)和向谐振器(16)施加控制电压的控制部(12)。谐振器(16)具备：折射率根据施加电场变化的光调制膜(34)和向光调制膜(34)施加电场的梳形电极(35)、(36)。从发光部(22)发出的光实质上与向光调制膜(34)施加的电场方向垂直，且从光射入面的法线方向倾斜而向光射入面射入。
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公开(公告)号：CN1748199A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003727.X
申请日：2004-02-02
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: G06F7/00
CPC classification number: G11C15/046 , G06F7/4824 , G06F7/5332 , G06F2207/3884
Abstract: 提供一种可以用非易失性存储元件，存储数据和进行高可靠性并且高速的数据逻辑运算的逻辑运算电路等。以让用于负载的强电介质电容器(Cs′)的残留极化状态(s′)与用于存储的强电介质电容器(Cs)的残留极化状态(s)相反的方式，积极变更强电介质电容器(Cs′)的残留极化状态。在运算动作中，当基准电位c＝0时，即便将第二被运算数据x＝1赋予残留极化状态s(第一被运算数据)＝0的强电介质电容器(Cs)，强电介质电容器(Cs)也不发生极化反相。即便进行s＝0、x＝1以外的组合，强电介质电容器(Cs)也不发生极化反相。又，当将x＝1赋予s＝0的强电介质电容器(Cs)时耦合节点表示的电位VA＝VA(0)，与当将x＝1赋予s＝1的强电介质电容器(Cs)时耦合节点表示的电位VA＝VA(1)之差大。
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公开(公告)号：CN101414092B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200810215199.4
申请日：2006-01-19
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有光调制膜的光控制装置，其改善了光利用效率。光控制装置具备在基板上配列成平面状的多个像素。基板上形成有第一反射层。在第一反射层的上面设置有光调制膜。作为该光调制膜的材料选择的是折射率根据施加的电场而变化的PLZT等光电材料。在光调制膜的上面设置有透明电极。在透明电极的上面形成有第二反射层。该第二反射层是由电介质多层膜所形成，是把折射率不同的第一电介质膜和第二电介质膜交替层合而成。第一反射层、光调制膜和第二反射层构成谐振器。透明电极和第一反射层形成电极对，通过向光调制膜施加的电场来控制光控制装置的反射率。
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公开(公告)号：CN101960531A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106654.X
申请日：2009-01-08
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22 , G11C7/12 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种铁电存储器装置。通过按DRAM模式和FRAM模式分别设定BL上的电容，使DRAM模式下的BL电容减小化导致的高速化，和在FRAM模式下的BL电容确保兼顾并存。铁电存储器装置包括：在列方向配置的多个位线BL；在行方向配置的多个字线WL；多个极板线PL和位线电容控制线BLC；配置于多个位线BL与多个字线WL以及多个极板线PL的交叉部、且由铁电电容器CF和存储器单元晶体管QM构成的铁电存储器单元(32)；配置于多个位线BL和位线电容控制线BLC的交叉部、且由负载电容CL和负载电容调节晶体管QL构成的负载电容调节单元(34)。
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