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公开(公告)号：CN118939103A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410891649.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
IPC: G06F1/3287 , G06F9/4401 , G06F15/78 , G11C16/04 , G11C16/06
Abstract: 本发明提供了一种实现模拟存算一体SRAM低功耗工作的电路，包括：SRAM存储单元；动态模拟乘积累加运算单元，与SRAM存储单元存储数位的端口连接，并包括特征数据输入端口和运算使能信号输入端口；特征数据输入端口用于接收来自外部输入或前级处理的二值化特征数据；运算使能信号输入端口控制该单动态比特乘法运算是否执行的动态信号接口；动态模拟乘积累加运算单元被配置为在存储模式下关闭，在计算模式下将二值化特征数据与从SRAM存储单元中获得的存储数位做乘法运算并将结果输出。本发明通过一种采用单元内电流隔离机制的存算一体11T SRAM单元和SRAM阵列的可编程区块休眠策略，实现低功耗的模拟存算一体SRAM。本发明设计一个存算一体SRAM单元，用于降低存算一体SRAM进行存内计算工作时的功耗，并实现可编程的SRAM区块休眠，达到更高的能效比，进而提高芯片效率。
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公开(公告)号：CN118688897A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310291361.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明公开了一种硅光器件结构及其制备方法，硅光器件结构自下而上包括：衬底、第一介质层、功能层和第二介质层；所述功能层形成有光电器件结构，所述第二介质层的上表面上形成有连通并覆盖在所述光电器件结构正面上的第一空腔，所述第一空腔中填充有气体介质；利用所述光电器件结构与所述气体介质之间的材料折射率对比差，提高对光场的束缚能力，使入射进入所述光电器件结构的光信号被限制在位于所述第一空腔以内的所述光电器件结构中传输。本发明能减少光在波导等光电器件中传输时的损耗，提升相关硅光器件的性能。
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公开(公告)号：CN118632618A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310194777.5
申请日：2023-03-01
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法，通过PS‑b‑PMMA嵌段共聚物薄膜自组装和金属氧化物的连续循环渗透沉积制造，并在PS‑r‑PMMA无规共聚物作为分子刷的作用下，实现含金属氧化物的PMMA纳米柱的形成，并且其方向沿厚度方向延伸，实现导电细丝的定向生长与断裂，从而提高器件的一致性和稳定性，在神经形态系统设计与实现方面具有巨大的应用潜力；另外，该制备方法兼容CMOS工艺，能够高效、低成本制造大规模忆阻器阵列，利于产业化批量生产；再者，在每一个忆阻器阵列交叉点上集成多个阻变层，通过外部电信号的调控，同时导通多个阻变层，从而减少忆阻器阵列制备难度，提高忆阻器阵列的鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118534586A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310159349.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请公开一种光栅耦合器的制备方法以及光栅耦合器。该光栅耦合器的制备方法包括：通过压印，在硅片的纳米压印胶上形成第一预设图形；其中，所述第一预设图形包括与多个光栅结构单元对应的子图形；通过刻蚀工艺在所述硅片上、对应于所述第一预设图形的区域制备出光栅结构单元的刻蚀部分，使得至少部分光栅结构单元的刻蚀部分的深度不同，和/或至少部分光栅结构单元的占空比不同。通过纳米压印工艺，实现从刻蚀深度和占空比两个维度上改变光栅结构单元，通过一次压印就能得到不同刻蚀深度和占空比的光栅结构单元，这样就能制备与待耦合光纤匹配度高的变迹光栅耦合器，从而提高耦合效率、降低耦合损耗、增强光栅耦合器的性能。
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公开(公告)号：CN118328914A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310914756.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G01B15/00 , G21K1/08 , G21K1/04 , G01N23/201 , G01N23/20016
Abstract: 本发明提供一种基于多光束入射的小角X射线散射量测装置及方法，该装置包括：X射线源(1)；聚焦镜(2)；光阑组(3)，包括具有多个孔径光阑(311)的光束选择器(310)，聚焦后的X射线束通过多个孔径光阑而选择性地得到多束入射光束，多个孔径光阑分别用于调整多束入射光束的发散角；样品台(4)，用于载放样品，多束入射光束相对于样品的法线方向以不同的入射角照射到样品表面的规定位置；探测器(5)，接收多束入射光束被样品散射后并从样品射出的多束检测光束，以获取多束检测光束的散射光强空间分布；以及数据处理系统(6)，基于散射光强空间分布及多束入射光束各自的入射角，确定样品的三维结构信息。
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公开(公告)号：CN118281129A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211653477.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供了发光器件及其制造方法。所述发光器件包括衬底、增益层和分布式反馈谐振腔。所述增益层包括光增益层，所述光增益层的组成材料包括硅氯酸铒纳米晶和硅纳米晶，硅纳米晶作为敏化剂能够将吸收的能量传递给硅氯酸铒纳米晶实现敏化发光，且由于硅氯酸铒材料的发光波长为1.5微米左右，能够对应于硅基光电集成中波导的最低损耗窗口，可以作为通信波段的硅基发光材料来制备光源，从而满足通讯波段的应用。
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公开(公告)号：CN118226578A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211648381.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供了一种硅光器件及其制造方法，所述硅光器件包括依次设置的衬底、第一埋氧层、绝缘介质层、互连结构、前道硅化物波导、后道硅化物波导和绝缘连接层。所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导分别设置于所述绝缘介质层底部和顶部内，所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导中的一个靠近所述互连结构设置，另一个远离所述互连结构设置，所述绝缘连接层分别与所述后道硅化物波导和所述前道硅化物波导相接触且折射率大于所述绝缘介质层的折射率且小于等于所述前道硅化物波导和所述后道硅化物波导中折射率最小的硅化物波导，使得无需衬底掏空工艺或使用小模场透镜光纤就能够将光从后道硅化物波导进入前道硅化物波导中，有利于简化加工工艺。
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公开(公告)号：CN118173498A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211589427.0
申请日：2022-12-09
Applicant: 张江国家实验室
Inventor： 请求不公布姓名
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种用于在半导体结构中形成通孔的方法及系统。该方法包括以下步骤：提供半导体结构；利用第一图案化工艺在所述半导体结构上形成第一材料层，所述第一材料层具有第一图案；利用第二图案化工艺在所述半导体结构上形成第二材料层，所述第二材料层具有第二图案，其中所述第一材料层和所述第二材料层交叠以限定所述半导体结构的多个独立的暴露区域；以及将所述第一材料层和所述第二材料层作为抗刻蚀掩膜对暴露的半导体结构进行刻蚀，以在所述半导体结构中形成多个通孔。
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