半导体器件及其制造方法
    111.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106057869B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201610108652.6

    申请日:2016-02-26

    Inventor: 李东勋 朴善钦

    Abstract: 一种半导体器件及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成硬掩模层和牺牲层;在牺牲层上形成包括沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔开的第一至第三上子心轴的上心轴,第一上子心轴的宽度小于第二和第三上子心轴的宽度;在每个上子心轴的侧壁上形成第一间隔件;去除上心轴;以第一间隔件为蚀刻掩模蚀刻牺牲层,以形成包括多个子心轴的下心轴;在下子心轴的侧壁上形成第二间隔件;去除下心轴;以第二间隔件为蚀刻掩模图案化硬掩模层和衬底,以形成彼此并排沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔开的第一至第十鳍;去除第一、第二、第五和第八鳍;形成与第三、第四、第六和第七鳍交叉的第一栅电极和与第六、第七、第九和第十鳍交叉的第二栅电极。

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