一种场终止型IGBT器件的制造方法

    公开(公告)号:CN103594356B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201310385233.3

    申请日:2013-08-30

    CPC classification number: H01L29/66333 H01L29/36 H01L29/7395

    Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法,具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤:选择N型掺杂FZ单晶硅片,厚度根据电压等级确定;从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火,形成厚度15~70um和掺杂浓度2×1013~2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层;腐蚀掉背面保护层,采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛,形成吸杂源;去除正面保护层,在硅片正面进行IGBT元胞区的制作;从硅片背面研磨5~30um厚度的硅衬底,背面再腐蚀~2um厚度,留下厚度10~65um的N型缓冲层作为场终止区;完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10~65um的场终止区,适合1700~6500V场终止型IGBT器件制造。

    一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN103531620B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201310527108.1

    申请日:2013-10-30

    Abstract: 本发明涉及半导体器件技术,具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区,在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层;所述N型注入层在有源区包括以下设置方式:所述N型注入层包围P-基区;所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法,本发明中在IGBT设计时引入N型注入层,优化了终端区的设计,降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压,提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下,通过引入N型注入层,优化IGBT芯片各功能区域的比例,提高了IGBT芯片的电流能力。

    一种智能社区能源系统实时优化控制方法

    公开(公告)号:CN103545830B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310365146.1

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种智能社区能源系统实时优化控制方法,该方法包括:控制模块实时获得发电模块的出力信息和当前电力负荷信息,并判断发电模块的出力总数是否大于负荷,若是,则发电模块向储能模块充电,并将冗余电能输出至主网,若否,则控制模块检测蓄电池的当前荷电状态,若蓄电池满足放电条件,则控制蓄电池增加放电出力,判断当前系统能量是否平衡,若是,判断当前系统是否处于峰荷期,若是,则控制蓄电池的放电出力持续增加,若否,判断燃料电池成本是否大于购电成本,若是,控制模块向主网发送购电请求,主网向系统输入电能,若否,控制模块控制燃料电池出力增加。与现有技术相比,本发明提高各能源的利用效率,同时提高系统的稳定性和经济性。

    一种智能家居系统
    120.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103592921B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310594880.5

    申请日:2013-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种智能家居系统,包括数据采集器、无线网络、智能交换终端、交换机和主服务器,所述数据采集器连接智能电表,用于采集智能电表的实时数据信息;所述智能交换终端通过无线通讯网络与数据采集器通信连接,并通过无线通讯网络连接照明控制开关,用于实现家居中智能开关、智能插座的数据采集和信息交互,并且能够实现对智能开关、智能插座的控制功能;所述智能交互终端通过交换机连接主服务器,用于将采集到的家居信息传送到主服务器;所述主服务器用于通过网络将接收到信息传送到能量管理系统,实现对能量的控制和管理。解决了现有智能家居系统功能不全、通讯质量差、布线工作量大和成本高的问题。

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