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公开(公告)号：CN100378255C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面 GaN 薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的 GaN 材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气 H2和或 N2， NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm； NH3气500-7000sccm； N 与 Ga 之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的 GaN 材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。本发明 GaN 薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN101140956A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710133450.8
申请日：2007-09-30
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L21/28 , H01G9/042 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01M4/02 , H01M4/04
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 染料敏化纳晶薄膜太阳能电池的高孔隙柔性碳对电极，所述高孔隙柔性碳对电极包括一个由一层具有三维多孔扩散微结构的碳纤维膜和一层聚四氟乙烯薄膜组成的复合膜；膜上设有二氧化钛半导体多孔薄膜为半导体工作电极。电极的制备方法是，对碳纤维膜石墨化和担载纳米铂黑处理，以该复合膜为染料敏化太阳电池的对电极，与基于刚性基底的半导体氧化物工作电极组成染料敏化太阳电池；并对碳纤维膜石墨化和担载纳米铂黑处理，处理后与一层聚四氟乙烯薄膜组成的复合膜；以该复合膜为染料敏化太阳电池的对电极，并与基于刚性基底的半导体氧化物工作电极组成染料敏化太阳电池。
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公开(公告)号：CN1885494A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610088287.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L33/00 , C30B29/40 , C30B25/02
Abstract: 高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1－80μm的高结晶的InxGa1－x(0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InxGa1－xN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050℃生长高质量InxGa1－xN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料In0..3Ga0.7N薄膜，电极采用MSM结构。
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公开(公告)号：CN1811018A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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公开(公告)号：CN1758456A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119967956A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510437285.3
申请日：2025-04-09
Applicant: 南京大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/815
Abstract: 本发明公开了一种具有量子阱梯度结构的长波长红光LED，自下而上依次包括重掺n型GaN层、n型GaN层、InGaN量子阱层、GaN势垒层、p型GaN层；InGaN量子阱层包括若干个n取值不同的InnGa1‑nN层，0
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公开(公告)号：CN119788270A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411962955.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Micro‑LED的高保密性密钥系统，包括：密钥生成系统；Micro‑LED显示阵列；环境检测模块；微小图形检测模块；其中密钥生成系统对数据进行加密计算后，输出控制Micro‑LED显示阵列发光的密钥图形数据；微小图形检测模块采用光电探测器检测Micro‑LED显示阵列的发光信号，并对密钥图案进行解码处理并验证；环境检测模块用于检测Micro‑LED显示阵列与微小图形检测模块的对准情况和距离，并决定是否启动微小图形检测模块。本发明的基于Micro‑LED的高保密性密钥系统，利用Micro‑LED技术的优势，确保生成的密钥在任何情况下都能保持高度保密性。通过将密钥转化为高分辨率的图案，并在Micro‑LED屏幕上显示，只有在非常近距离下才能辨认图案，从而保护了密钥的安全性。
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公开(公告)号：CN119277863A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411354665.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H10H20/813 , H10H20/812
Abstract: 本发明公开了一种非直流驱动的LED外延片结构，包括由多个PN结单元堆叠的周期性结构，每一个PN结单元包括P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层，两个相邻的PN结单元之间还设有一多量子阱层。本发明的LED外延片采用了多重串联的结构方式，包括多个多重串联的PN结，构成多个发光区域。在交流电驱动的条件下，每一个PN结交替正向导通发光和反向击穿，从而在施加正向电压和反向电压时均可以导通，提高发光效率，延长LED的使用寿命。本发明用于解决现有技术中采用交流驱动时发光效率过低，在反向击穿过程中不发光使得功率损耗较大的问题，同时设置了多个量子阱的发光区域，可以设置不同的发光波长，使得LED的发光波长具有更多选择。
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公开(公告)号：CN118326333A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452509.3
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，利用同质靶材与异质靶材本身的不同生长机制，可以同时获得表面平整的AlN薄薄膜，且具有较快的生长速度，可以很好地兼容大批量低成本制备工艺。同时，采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，有利于在后续高温退火中释放再结晶应力，可以实现低应力的AlN晶体薄膜。
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