一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法

    公开(公告)号:CN110006776A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910298067.0

    申请日:2019-04-12

    Abstract: 一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法,本发明涉及陶瓷材料抗溅射性能的评价方法。解决现有缺少对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的筛选与评价方法的问题。方法:一、将霍尔电推进器通道所用的陶瓷材料加工,得到试样;二、将试样置于靶台上,设定离子束流与试样法向夹角、离子源与试样的距离及靶台转速;三、抽真空,通入气体工质,调整气体工质;四、启动离子源,依次设定离子能量、阳极电压及加速电压,设定离子束流及电子束流,进行溅射试验,得到溅射后的试样;五、计算溅射速率v及溅射产额Y,分析溅射后的试样表面粗糙度、价键组成、元素含量及表面形貌。本发明用于针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价。

    一种金属表面抗腐蚀/散热/电磁屏蔽复合涂层制备方法

    公开(公告)号:CN106400012B

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201610898740.0

    申请日:2016-10-14

    Abstract: 本发明提供了一种金属表面抗腐蚀/散热/电磁屏蔽复合涂层制备方法,首先采用nano‑Al2O3改性微弧氧化技术在功率元器件金属壳体表面制备一层耐腐蚀、高导热底层;将改进Hummers法制备的氧化石墨烯分散液涂覆于微弧氧化底层上,获得氧化石墨烯预置层;再用维生素C将微弧氧化底层上预置的氧化石墨烯层进行室温还原,制得功率元器件金属壳体表面微弧氧化/石墨烯复合涂层。该方法制备的复合涂层具有优异的性能:耐盐雾腐蚀大于1500h,热导率高,发射率大于0.8,散热降温效果达10~20%,静态接触角大于120°,电磁屏蔽效果大于50dB。本发明解决了海洋气候环境中使用的功率元器件金属(铝、镁、钛合金及其复合材料)壳体在服役过程中抗腐蚀性能差,散热效率低的问题。

    一种制备带有抗菌耐蚀石墨烯/磷灰石复合涂层的可降解镁笼植入体的方法

    公开(公告)号:CN105506586B

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201511028119.0

    申请日:2015-12-30

    Abstract: 一种制备带有抗菌耐蚀石墨烯/磷灰石复合涂层的可降解镁笼植入体的方法,本发明涉及可降解镁笼植入体。本发明是要解决现有技术镁金属的腐蚀电位低,在体液环境下具有很高的腐蚀速率,力学完整性损失过快以及磷灰石具有膜基结合强度差,易磨损缺点的问题,而提出的一种制备带有抗菌耐蚀石墨烯/磷灰石复合涂层的可降解镁笼植入体的方法。该方法是通过一、将镁金属加工成笼状物,除油,得到笼状植入体;二、将笼状植入体加入反应釜中进行水热反应表面改性,得到含有石墨烯、磷灰石的水热复合涂层;三、使用去离子水洗涤、干燥,即得到了一种制备带有抗菌耐蚀石墨烯/磷灰石复合涂层的可降解镁笼植入体的方法等步骤实现的。本发明应用于可降解镁笼植入体领域。

    多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105503236B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201510968230.1

    申请日:2015-12-21

    Abstract: 多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法,本发明涉及陶瓷材料的制备方法。本发明要解决现有多孔氮化铝陶瓷材料制备工艺复杂及成本高的问题。方法:一、制备活性铝硅酸盐原材料;二、制备球磨混合物;三、制备碱激发溶液;四、制备无机聚合物配合料;五、制备胚料;六、高温处理,即完成多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法。本发明用于多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法。

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