基于中性面标定的机翼结构变形重构方法及系统

    公开(公告)号:CN117387507A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311324495.9

    申请日:2023-10-12

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: G01B11/16 G01B11/24 B64F5/60

    摘要: 本公开提供了基于中性面标定的机翼结构变形重构方法及系统,涉及光纤光栅应变监测技术领域,包括获取机翼结构,并对机翼结构进行光纤传感器网络布局;对机翼结构表面进行载荷加载,获取光纤传感器中心波长偏移量以及各光纤传感器测点的位移值;用各光纤传感器测点的位移值计算得到各测点相对于上一个测点的位移增量,从第一个测点开始通过位移增量和曲率信息依次递推计算出所有测点处的中性面位置;通过光纤光栅应变测量原理,利用中心波长偏移量计算得到各光纤传感器测点的应变值,根据各测点的中性面位置,利用曲率转换原理,将各测点的应变值转换为曲率,基于三维曲线的坐标转换方程,递推重构出变形曲线,实现机翼结构的曲面重构。

    一种B掺杂AlN单晶及制备方法
    112.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117385468A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311530332.6

    申请日:2023-11-16

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C30B29/38 C30B23/00

    摘要: 本发明属于氮化铝单晶生长技术领域,具体涉及一种B掺杂AlN单晶及制备方法。所述B掺杂AlN单晶的制备方法为:设计坩埚内部的温区分隔套筒;使得分隔套筒将坩埚底部划分为低温区和高温区;在分隔套筒内部低温区内放入氮化硼多晶颗粒料,分隔套筒外部高温区填充氮化铝原料,然后进行B掺杂AlN单晶的生长。采用本发明的方法,能够实现掺杂的B源与AlN原料同时进行升华,而不存在分层现象,从而使得B元素能够在AlN单晶内均匀分布,而不存在偏析或者掺杂元素富集现象,使得元素掺杂更加均匀,并且不会对单晶生长产生附加难度,通过控制B元素与Al元素的掺杂比获得了结晶质量高、掺杂均匀的B掺杂AlN单晶。

    基于延迟因子的概率乘累加结构损伤成像定位方法及系统

    公开(公告)号:CN116343966B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310326576.6

    申请日:2023-03-27

    申请人: 山东大学

    摘要: 本公开提供了一种基于延迟因子的概率乘累加结构损伤成像定位方法及系统,包括:基于复合材料的数值仿真,获取最佳激励频率及群速度理论修正函数;基于最佳激励频率,分别获取复合材料健康和有损状态下的超声导波响应信号及用于信号采集的传感器坐标;基于获得的超声导波响应信号,进行有效路径筛选;基于健康状态下超声导波响应信号获得的实测群速度拟合得到群速度修正函数,基于获得的有效路径、群速度修正函数以及传感器坐标,计算得到实际延迟时间;基于实际延迟时间和参考延迟时间,获得损伤延迟因子;基于所述损伤延迟因子形成路径概率分布,通过路径概率的乘累加运算,获得结构损伤成像;基于成像结果的峰值点坐标获得结构损伤的定位结果。

    一种高精度大尺寸氮化镓单晶衬底的加工方法

    公开(公告)号:CN116949577A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310824734.0

    申请日:2023-07-06

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及一种高精度大尺寸氮化镓单晶衬底的加工方法,包括以下步骤:首先对生长后的GaN单晶进行两次高温退火,然后采用一种特殊的粘蜡方式将晶片粘附在与晶片表面凹凸度相适配的石英板或陶瓷板表面,进行研磨,把面形参数降至最低;最后进行化学机械抛光。所得到的GaN衬底的厚度小于500μm,弯曲度bow值不大于±20μm,TTV值不大于20μm,Warp值不大于40μm。本发明提供了更薄的高精度衬底,采用硬度大的研磨盘和碳化硼粉代替金刚石液为外延生长或器件加工提供低厚度衬底;同时外形翘曲变化可以满足要求,不仅降低了耗材成本,也极大降低器件环节的减薄成本。

    一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114464462B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202210167128.1

    申请日:2022-02-23

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法,它包括正极、负极、隔膜和电解液,正极、负极为多孔宽禁带半导体单晶,正极、负极叠加在一起,正极、负极之间设置有隔膜隔,电容器内部填充电解液,为对称型超级电容器。本发明的大功率超级电容器同时具有优异的高温稳定性和出色的功率密度,更优的比电容量和高温容量保持率,能够在150℃高温下稳定服役,远高于目前大多数超级电容器使用温度,同时兼具高的能量‑功率密度(测试基于多孔N掺杂4H‑SiC单晶片超级电容器在高温环境下的储能性能,结果显示在150℃的高温下,器件的最大能量密度达到4.63μWh cm‑2,最大功率密度达到67.5mW cm‑2)。

    集主被动监测于一体的数字式自诊断传感智能层及方法

    公开(公告)号:CN116520029A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310332011.9

    申请日:2023-03-28

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: G01R27/26 G01R23/10

    摘要: 本发明公开一种集主被动监测于一体的数字式自诊断传感智能层及方法,包括:容值测试单元用于通过生成阶跃信号为待测压电片充电,采用比较器确定跳变时刻,以得到待测压电片的自由电容值;频率测试单元用于通过生成不同频率的正弦波信号为待测压电片充电,采用比较器根据比较结果中高低电平的跳变时刻所对应的正弦波信号的频率检测谐振频率;主被动监测模块用于获取主动模式和被动模式下的模拟响应信号,并转换成数字响应信号进行传输;主控模块用于将自诊断结果和数字响应信号传输至导波主机。将压电片的响应信号通过数字信号与导波主机连接,在压电传感智能层上集主动损伤扫查与被动冲击损伤监测于一体,同时还实现对压电片状态的自诊断。

    一种基于双向GRU的滚动轴承剩余寿命预测方法及系统

    公开(公告)号:CN114720129B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202210300479.5

    申请日:2022-03-25

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明提供了一种基于双向GRU的滚动轴承剩余寿命预测方法及系统,获取滚动轴承的振动信号;根据获取的振动信号和预设卷积神经网络模型,得到滚动轴承的退化指标估计值;根据退化指标估计值和预设第一BiGRU模型,得到退化指标预测值;根据退化指标估计值和预设第二BiGRU模型,得到剩余使用寿命预测值;根据得到的退化指标预测值和剩余使用寿命预测值进行滚动轴承的状态评估;本发明从轴承原始状态信号中自动提取退化趋势,并有效捕捉时间序列信号之间隐藏的长期相关性,实现了轴承剩余寿命准确预测。

    碳纤维复合材料层合板冲击损伤识别方法及装置

    公开(公告)号:CN116230117A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211455136.2

    申请日:2022-11-21

    摘要: 本发明属于层合板损伤识别技术领域,提供了一种层合板冲击响应数据库构建方法、损伤识别方法及装置。其中,种层合板冲击响应数据库构建方法包括获取层合板在多种冲击能量下的实际冲击响应信号及有限元仿真冲击响应信号;采用集合经验模态—欧式距离相似性判别联合算法提取实际冲击响应信号和有限元仿真冲击响应信号的特征向量;基于实际响应冲击信号和有限元仿真冲击响应信号的特征向量及极限学习机回归预测方法,建立特征向量与损伤类型及位置间的非线性关系;基于特征向量与损伤类型及位置间的非线性关系,确定出层合板结构的损伤识别模型,构建出层合板冲击响应数据库。

    不平衡小样本数据的滚动轴承故障诊断方法及系统

    公开(公告)号:CN114993677B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202210509748.9

    申请日:2022-05-11

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明公开了一种不平衡小样本数据的滚动轴承故障诊断方法及系统,包括:获取滚动轴承的声纹信号数据;对采集到的数据进行降维、位置编码和填充处理;基于预训练的故障诊断模型以及所述滚动轴承的声纹信号数据,进行故障诊断,得到滚动轴承的故障类型;其中,所述故障诊断模型由预训练好的基于多头自注意力机制的自“编码‑解码”模型中的编码部分与多头自注意力机制分类器搭建。本发明通过基于多头自注意力机制的自“编码‑解码”模型实现了模型预训练,解决了将多头自注意力机制应用到多模态任务数据需求问题,并有效提升了模型训练效率与故障诊断准确率。

    一种大功率超级电容器用氮化镓电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115881444A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202111141822.8

    申请日:2021-09-28

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及一种大功率超级电容器用氮化镓电极材料的制备方法,该方法方法先是得到了比表面积大的氮化镓纳米晶材料(二维单晶片和纳米单晶颗粒等),然后将GaN纳米晶制备得到能量‑功率密度优异的超级电容器电极材料。本发明GaN纳米晶电极材料的制备方法,在保证了块状GaN单晶优异的特性外,通过增加比表面积,有利于该电极材料与电解液充分接触,减少了离子/电子的传输路径,增加了该电极材料的比容量。经电化学测试,该电极材料具有良好的循环稳定性,优异的功率密度‑能量密度,适合应用于超级电容器,以为大功率器件供能。