公开(公告)号：CN103797149B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280044893.9

申请日：2012-09-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 杉本重人 ,  梶山康一 ,  水村通伸 ,  工藤修二 ,  木村江梨子 ,  哈尼·马赫·阿齐兹 ,  梶山佳敬

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: B05B12/20 ,  B23K26/342 ,  B23K26/359 ,  B23K26/382 ,  C23C14/042 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/48 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5012 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明是用于在基板上蒸镀形成一定形状的薄膜图案的蒸镀掩膜，该蒸镀掩膜构成为具备透射可见光的树脂制的膜，该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案。

公开(公告)号：CN106536066A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038458.9

申请日：2015-07-03

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: B05D1/32 ,  B05B15/04 ,  B05C9/14 ,  H05B33/10 ,  H05K3/12

Abstract: 本发明的成膜方法进行：在使金属掩模(6)贴紧到显示面板(4)的显示面(4a)的状态下，一边加热金属掩模(6)，一边从金属掩模(6)侧对显示面板(4)的显示面(4a)涂敷液体的成膜材料膜材料(16)而形成薄膜图案的步骤。(16)的步骤；以及加热并烧制所涂敷的液体的成

公开(公告)号：CN103885247B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410070500.2

申请日：2009-04-02

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  桥本和重

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态，对所述液晶显示用基板照射规定波长的光，使得所述液晶的分子定向于规定方向，包括：将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤；和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。

公开(公告)号：CN105829572A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069390.6

申请日：2014-12-04

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04

CPC classification number: C23C14/042 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  C23C14/24 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供成膜掩膜的制造方法，向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4)，通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射，来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4)，其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18)，且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗(18)的至少一对边的侧方区域的透光率，随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减小。

公开(公告)号：CN105814232A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480067341.9

申请日：2014-12-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04

CPC classification number: B05C21/005 ,  B05B12/20 ,  C23C14/04 ,  C23C14/042

Abstract: 本发明是在基板具有多个细长状的开口的掩模，具备在上述基板的单面侧与上述开口的长边方向交叉地形成为桥梁状，且比上述基板的厚度薄的多个加强部、和在位于上述加强部的侧方侧的开口周边的区域沿上述长边方向设置台阶而形成的挖掘部。由此，不增加掩模本身的厚度而使机械强度提高，并能够维持与该强度对应的厚度。

公开(公告)号：CN105555991A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051077.X

申请日：2014-09-18

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  H01B5/14

CPC classification number: G06F3/041 ,  C23C14/042 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供成膜掩模以及触摸面板基板。本发明构成为具备树脂掩模(5)与磁性金属部件的金属掩模(11)，其中，所述树脂掩模(5)与成膜于基板上的薄膜图案相对应地形成有开口图案(4)，所述金属掩模(11)形成有尺寸为内包上述开口图案(4)的尺寸的贯通孔(13)，并以在与上述树脂掩模(5)之间设置缝隙(9)的方式设置于上述树脂掩模(5)的一面侧。

公开(公告)号：CN105518594A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049457.X

申请日：2014-09-09

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供触摸面板的制造方法。在包括金属膜、绝缘膜以及透明电极膜的触摸面板的制造方法中，金属膜以及绝缘膜的图形化包括使用印刷用掩膜印刷形成光致抗蚀剂的图案的工序(S4、S5、S10、S11)、以及将光致抗蚀剂的图案作为掩膜进行湿式蚀刻从而图形化的工序(S6、S12)，透明电极膜的形成包括使用具有与应形成的图案对应的开口图案的溅射用掩膜对被图案化的透明电极膜进行溅射成膜的工序。通过使用印刷用掩膜利用印刷形成光致抗蚀剂的图案，且使用溅射用掩膜对被图案化的膜进行成膜，从而能够排除光学加工，因此能够减少设备成本与运行成本。

公开(公告)号：CN105492215A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047941.9

申请日：2014-08-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: B41N1/24 ,  B41M1/12 ,  H05K3/12

CPC classification number: H05K3/1225 ,  B41N1/24

Abstract: 本发明提供一种印刷用掩膜以及使用该掩膜的印刷方法。印刷用掩膜具备：掩膜基材(4)，其具有形成于印刷面侧并与待印刷的图案相对应的印刷槽图案(4a)、与贯通于该印刷槽图案的底面且内径小于其底面宽度的贯通孔(4b)；以及保持部件(3)，其层叠于该掩膜基材并具有经由掩膜基材的贯通孔而与印刷槽图案内连通以填充转印材料的开口图案(3a)。而且，通过印刷槽图案在贯通孔以外的周边区域(4c)连接，能够抑制掩膜基材的图案的错位、变形。

公开(公告)号：CN103038862B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180026308.8

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  滨野邦幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及装置，该激光退火方法及装置能够对非晶硅膜进行激光退火，在形成低温多晶硅膜时，即使使用YAG激光器那样的低价的激光光源装置，也能够对非晶硅膜赋予充足的能量使其实现高效的相变。将来自YAG激光器光源（11）的基波用波长变换器（12、13）变换为2次谐波和3次谐波，对被照射体（18）照射3次谐波的激光，同时基波经由约3m的第3光学系统（21）及约6m的第4光学系统（22），延迟约10ns和约20ns后照射于被照射体（18）。借助于此，被3次谐波熔融的非晶硅膜的熔融部，被基波分割成的P波和S波照射，因此不被非晶硅膜吸收的YAG基波被熔融Si吸收，被有效地使用于其加热。

公开(公告)号：CN105209977A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480026926.6

申请日：2014-04-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/207 ,  G01B11/14 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70725 ,  G03F7/70275 ,  G03F9/703

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，该曝光装置(1)具备：支承部(2S、3S)，分别支承沿一轴方向厚度不均匀的基板(3)和掩模(2)；扫描曝光机构(10)，使配置于掩模(2)与基板(3)间的微透镜阵列(12)相对于基板(3)及掩模(2)进行相对移动，使掩模图的一部分成像于局部曝光区域(Ep)，并沿一轴方向扫描局部曝光区域(Ep)；掩模/基板间隔调整机构(20)，调整掩模(2)与基板(3)的间隔(s)；以及掩模/基板间隔测量机构(30)，在扫描局部曝光区域(Ep)之前，测量沿一轴方向的间隔(s)，所述曝光装置(1)根据掩模/基板间隔测量机构(30)的测量结果和扫描曝光机构(10)的扫描位置控制掩模/基板间隔调整机构(20)，使局部曝光区域(Ep)内的间隔(s)与微透镜阵列(12)的成像间隔相匹配。