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公开(公告)号：CN105892241B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410199498.9
申请日：2014-05-12
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
摘要： 本发明提出一种高效光刻机大面积静态调焦调平装置，包括：投影物镜、硅片、工件台和调焦调平装置，所述投影物镜将掩膜图形曝光到硅片上；所述调焦调平装置包括光源、照明镜组、投影狭缝、投影镜组、探测镜组和探测器，所述光源经过所述照明镜组和所述投影镜组将所述投影狭缝成像在被测物上，经被测物反射后通过所述探测镜组将投影狭缝的像成像在所述探测器上；其特征在于，所述投影狭缝的测量光斑可以覆盖多个曝光场，每个曝光场包括多个测量光斑。本发明提出的一种高效大面积静态调焦调平装置和方法，可同时对多个曝光场进行测量。场切换时直接到达最佳焦面，减少了测量及逐场调平时间，提高整机效率。
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公开(公告)号：CN105467781B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410456314.2
申请日：2014-09-09
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
CPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明公开了一种具有调焦及倾斜校正设计的标记及对准方法，所述标记包括对准标记和至少一对调焦标记，所述对准标记的中心位于所述任一对调焦标记连线的中点上，任一对所述调焦标记中心对称于所述对准标记的两侧，所述对准标记为十字型标记或者米字型标记，所述调焦标记为方块型调焦标记或光栅型调焦标记，所述对准标记的线宽大于离散化粒度，所述对准标记的线宽大于两倍PSF宽度，本发明还提供了应用于所述标记的对准方法，实现了对准标记的高精度调焦调平。与现有技术相比，本发明提供的标记在调焦的同时消除了倾斜对标记的影响，提高了测量复现性；此外，分析了畸变对测量复现性的影响机理，并给出了对标记宽度的限定条件，进一步地提高了测量复现性。
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公开(公告)号：CN105209977B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201480026926.6
申请日：2014-04-23
申请人： 株式会社V技术
发明人： 水村通伸
IPC分类号： G03F7/207 , G01B11/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70725 , G03F7/70275 , G03F9/703
摘要： 本发明提供一种曝光装置，该曝光装置(1)具备：支承部(2S、3S)，分别支承沿一轴方向厚度不均匀的基板(3)和掩模(2)；扫描曝光机构(10)，使配置于掩模(2)与基板(3)间的微透镜阵列(12)相对于基板(3)及掩模(2)进行相对移动，使掩模图的一部分成像于局部曝光区域(Ep)，并沿一轴方向扫描局部曝光区域(Ep)；掩模/基板间隔调整机构(20)，调整掩模(2)与基板(3)的间隔(s)；以及掩模/基板间隔测量机构(30)，在扫描局部曝光区域(Ep)之前，测量沿一轴方向的间隔(s)，所述曝光装置(1)根据掩模/基板间隔测量机构(30)的测量结果和扫描曝光机构(10)的扫描位置控制掩模/基板间隔调整机构(20)，使局部曝光区域(Ep)内的间隔(s)与微透镜阵列(12)的成像间隔相匹配。
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公开(公告)号：CN105892241A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410199498.9
申请日：2014-05-12
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提出一种高效光刻机大面积静态调焦调平装置，包括：投影物镜、硅片、工件台和调焦调平装置，所述投影物镜将掩膜图形曝光到硅片上；所述调焦调平装置包括光源、照明镜组、投影狭缝、投影镜组、探测镜组和探测器，所述光源经过所述照明镜组和所述投影镜组将所述投影狭缝成像在被测物上，经被测物反射后通过所述探测镜组将投影狭缝的像成像在所述探测器上；其特征在于，所述投影狭缝的测量光斑可以覆盖多个曝光场，每个曝光场包括多个测量光斑。本发明提出的一种高效大面积静态调焦调平装置和方法，可同时对多个曝光场进行测量。场切换时直接到达最佳焦面，减少了测量及逐场调平时间，提高整机效率。
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公开(公告)号：CN103631098B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310716930.2
申请日：2013-12-23
申请人： 成都虹博宇光电科技有限公司
IPC分类号： G03F7/207
摘要： 本发明公开了一种非接触式光刻机调平调焦系统，包括至少三个光谱共焦位移传感器，用于采集光刻机的掩膜版下表面与位于光刻机上的样片表面的光刻胶层的上表面之间的间隙距离数据；信号处理电路，用于根据所述光谱共焦位移传感器采集的所述间隙距离数据计算处理，输出控制信号到光刻机的承片机构和升降机构，实现对样片的调平与调焦控制，使样片表面的光刻胶层的上表面与所述掩膜版的下表面之间的间隙距离保持在预定工作距离内。本发明同时公开了非接触式光刻机调平调焦方法以及具有所述调平调焦系统的光刻机。本发明取代了现有非接触式调焦调平装置中复杂的光学结构部件，降低了复杂性，容易实现。
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公开(公告)号：CN105093860A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510568711.3
申请日：2015-09-09
申请人： 合肥芯碁微电子装备有限公司
发明人： 曹常瑜
摘要： 本发明提供一种用于无掩膜光刻直写系统的调焦装置，包括设置在光刻物镜与承印材料之间的连续调焦组和固定调焦组，所述连续调焦组包括第一直线驱动电机、第一直角楔形棱镜和第二直角楔形棱镜，所述固定调焦组包括第二直线驱动电机和台阶棱镜。本发明还提供一种用于无掩膜光刻直写系统的调焦装置的调焦方法。本发明综合连续调焦组与固定调焦组的特点，将两者混合使用，可以实现大范围内的连续调焦，设计合理，方便快捷，易于实现，可以大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103744271B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410042111.9
申请日：2014-01-28
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
摘要： 一种激光直写系统与光刻方法，包括焦距测量系统和曝光系统，所述焦距测量系统采用离线的方式测量整个待刻物体表面的三维形貌信息之后，将所述三维形貌信息转化为调焦信息并发送给所述曝光系统，所述曝光系统根据所述调焦信息，在对所述待刻物体表面进行光刻过程中，调节焦距以适合所述待刻物体表面的凹凸程度，使曝光点始终聚焦于所述光刻物体的表面。
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公开(公告)号：CN104597718A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510010341.1
申请日：2015-01-09
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种高速旋转激光直写任意图形的方法，主要用于快速生产制造各种具有中心对称和非中心对称的具有任意分布的微纳图形器件。本发明首先构建一套极坐标激光直写系统，然后将待刻写的任意图形在极坐标下，以螺旋线轨迹等线间距分解为一组图像数据，最后在实际刻写过程中，通过反馈控制算法，动态调节相邻两刻写点数据发出之间的时间间隔，使得待刻写的某点的理论设计位置与其实际位置之间的差别趋近于0。本发明具有实现方法简单，刻写点位置分布精度高，刻写图形类型多样，实用性广的特点，在微纳图形器件制造等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104238285A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410456304.9
申请日：2014-09-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十五研究所
摘要： 本发明提出了一种可动态调焦的激光直写式光刻系统，包括：用于产生激光光束的紫外激光器、沿激光光束传输方向依次设置的扩束整形单元、大范围调焦单元、动态调焦单元、X/Y振镜反射单元及f-theta透镜组单元，所述大范围调焦单元包括沿Z向相对设置的第一反射镜及第二反射镜，所述与第二反射镜可沿Z向相对移动，所述动态调焦单元包括沿X向相对设置的前镜组、后镜组以及电机。本发明实现了X/Y振镜±5.5°范围与工作面X、Y方向上±50mm范围内位置的精确线性对应关系，以及透镜组一定范围内间距改变与激光束焦点Z向±5mm范围的精确对应关系，满足了激光直写式光刻工艺的精度要求。
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公开(公告)号：CN103034062B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110295452.3
申请日：2011-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC分类号： G02B7/32 , G02B7/36 , G03F7/2028
摘要： 本发明公开了一种用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统。所述光学模块包括光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件。光源用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光。掩模板位于光源和曝光光学器件之间，从光源发射的光经过掩模板后到达曝光光学器件。曝光光学器件用于将掩模板的孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成聚焦的光斑。光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件的位置以及孔的尺寸被设置为使得入射光的光轴垂直于晶片表面，并且使得光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖晶片边缘。由此，可以更精确地去除晶片边缘上的光致抗蚀剂。
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