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公开(公告)号：CN101557024B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910059359.5
申请日：2009-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/19
Abstract: 基于LTCC技术的带状线式铁氧体移相器，属于微波通讯器件技术领域。整个移相器由两层矩形旋磁铁氧体基片包夹两层矩形陶瓷介质基片形成，两层陶瓷介质基片之间夹有两条平行的磁化电流导线和一条移相用弯曲式微带线；铁氧体基片在宽度方向上超过陶瓷介质基片的两边相互连通，形成封闭的磁回路。器件工作时，铁氧体基片表面的环带形银电极接地，通过磁化电流导线施加脉冲磁化电流使旋磁铁氧体回路磁化，去掉磁化电流后使旋磁铁氧体基片工作于剩磁状态；在移相用弯曲式微带线的两个端电极之间连接微波信号，就会产生非互易的差相移。本发明与现有的铁氧体移相器相比，体积和质量都可以显著的缩小，更利于实现移相器与其它有源/无源器件和组件的集成。
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公开(公告)号：CN102280699A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110113518.2
申请日：2011-05-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种LTCC叠层耦合馈电圆极化微带贴片天线，属于天线技术领域。包括馈电层、辐射层介质基板；馈电层介质基板上表面是具有“十字”形镂空区域的接地金属层，下表面具有馈电电路以及与馈电电路绝缘的屏蔽金属层；馈电电路将引入的激励信号功分、移相成为四个幅度相等、相位依次相差90°的分支激励信号，并通过“十字”形镂空区域耦合到辐射金属层；接地金属层与屏蔽金属层之间通过平均分布的金属化通孔相互连通；辐射层介质基板其上表面的辐射金属层为一个分形图形结构，分形图形结构是在正方形金属贴片内部内接镂空圆，再在镂空圆内接正方形金属贴片，如此依次迭代而成。本发明具有兼顾低剖面、宽频带、圆极化以及小型化的优势。
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公开(公告)号：CN102074266A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010593268.2
申请日：2010-12-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明公开了一种稳定剩磁态的自旋阀存储单元，是在基片往上依次设置缓冲层、铁磁层F1、反铁磁层、隔离层、铁磁层F1和覆盖层，其特征在于，该单元为菱形单元，且长轴与短轴之比等于或大于2。本发明的有益效果：通过将常用的椭圆存储单元形状改为菱形，降低了对制备工艺的要求，且通过微磁学模拟，发现菱形单元在长轴L与短轴W之比大于等于2的条件下，其剩磁态呈现单畴态，满足信息稳定存储的要求。
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公开(公告)号：CN101943803A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010218977.2
申请日：2010-07-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。
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公开(公告)号：CN101913850A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010218528.8
申请日：2010-07-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高磁导率低烧Z型六角铁氧体材料的制备方法，属于电子材料领域，涉及Z型六角铁氧体材料的低温致密化烧结和高磁导率的获得。本发明通过在传统的铁氧体制备工艺过程中引入高效、节能的微波加热方式，借助于微波对烧结过程的活化，有效降低了六角铁氧体的合成温度，促进了烧结过程的致密化，从而达到改善微观结构提高磁导率的目的。采用本发明所述材料可制备各种基于LTCC技术的高频电感、滤波器、天线和微波吸收介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101895196A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010227239.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/24
Abstract: 次级电流采样的电流型多路输出DC-DC开关电源，属于电子技术领域。该开关电源主变压器T1次级侧至少包括两路输出电路，在对其中一路输出电路的输出电压进行电压采样的同时，在该输出电路的整流续流电路和与该输出电路相连的主变压器T1的次级绕组之间还串联了一个耦合变压器T2，在耦合变压器T2的次级通过电流采样电路对耦合电流进行采样。本发明电压采样电路和电流采样电路是针对同一路输出电路进行电压采样和电流采样，这样所得的电流采样信号完全不受其它路输出电流和变压器T1初级励磁电流的影响，实现了对同一输出电路输出电流的精确采样；同时采样耦合变压器T2还保证了电源的初次级相互隔离。
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公开(公告)号：CN101853920A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201019087050.7
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 一种双交换偏置场型自旋阀的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场作用下，制备双交换偏置场型自旋阀，其中交换偏置场大小不同，方向相同；然后通过振动样品磁场强度测试计测两个交换偏置场的大小；最后施加介于两个交换偏置场之间大小、方向相反的外磁场，同时在形成较小交换偏置场的铁磁层膜面沿交换偏置场方向施加脉冲电流；根据所施加的外磁场H和脉冲电流的大小的不同，即可改较小的偏置场的大小和方向，从而获得不同的双交换偏置场型自旋阀。本发明利用自旋转移效应来调制双交换偏置场型自旋阀中较小的交换偏置场的大小和方向，简化了制备步骤，增加了该种双交换偏置自旋阀应用的灵活性。
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公开(公告)号：CN101847433A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010146346.4
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法，属于磁性材料与元器件领域。所述CP构架的磁性随机存储器包括两个相同的CP构架的磁性随机存储器阵列和一个比较器，一个阵列为主磁性随机存储器阵列A1，另一个阵列为存储信息已知的参考磁性随机存储器阵列A2，A1的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的一个输入端；A2的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的另一个输入端。信息读取时，通过比较器输出电平的高低来判断主磁性随机存储器阵列A1中读取单元的信息是否与参考磁性随机存储器阵列A2中相应存储单元所存储的信息一致的方式来读取信息。本发明可在存储密度不变的前提下消除漏电流影响，保证存储单元信息读出的准确率。
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公开(公告)号：CN101840706A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010175197.4
申请日：2010-05-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法，其特征在于：在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料，所述反铁磁材料与磁记录颗粒之间通过界面磁矩耦合，使磁记录颗粒的磁矩沿同一方向排列。该方法能克服磁性颗粒纳米尺度下的热扰动，人为提高磁性颗粒的单轴各项异性能，解决超顺磁状态下记录不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN101510630A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910058735.9
申请日：2009-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种LTCC叠层微带贴片天线，属于天线技术领域，涉及低温共烧陶瓷(LTCC)技术，特别涉及一种用于无线电接收的低剖面微带贴片天线。包括三层LTCC基片：第一层基片上开有同轴馈电孔，其上表面是第一辐射金属贴片，下表面是反射底板；第二层基片上均匀开有气孔；第三层基片的上表面是第二层辐射金属贴片。还包括同轴馈电针，同轴馈电针从底部插入同轴馈电孔，与第一层基片第一层辐射贴片接触，且与反射底板之间绝缘。所述第一、二和三层LTCC基片按照从下往上第一、二和三的顺序通过LTCC叠层和等静压工艺后先形成一个整体，再经低温共烧后形成一个整体。本发明可以有效拓展微带天线的带宽；增强两层辐射贴片之间的耦合；提高天线的稳定性和可靠性。
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