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公开(公告)号：CN103562258B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280023426.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C08G59/42 , C08G18/65 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J175/04
CPC classification number: C08G18/58 , C08G18/0823 , C08G18/44 , C08G18/6659 , C08K3/013 , C08K3/38 , C08K2003/385
Abstract: 本发明涉及一种固化性散热组合物，其含有：(A)使(a)多异氰酸酯化合物、(b)聚碳酸酯二醇化合物、(c)具有羧基的二羟基化合物反应而得的具有羧基的聚氨酯树脂；(B)环氧树脂；和(C)无机填料(其中，不包括硫酸钡和氧化钛)，无机填料(C)的含有率为50～96质量%。作为无机填料(C)，优选并用扁平状的氮化硼与粒子状的氧化铝、氮化铝或氮化硼。本发明的固化性散热树脂组合物兼具高热导率和柔软性、相对于金属的良好的粘接性，在包含功率半导体、光半导体的半导体元件、半导体装置、电路用金属板、由上述金属板形成的电路、电路基板、混合集成电路领域等中极其有用。
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公开(公告)号：CN105658745A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480058103.1
申请日：2014-10-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种薄膜印刷容易且通过光照射而可以容易地提高导电性的薄膜印刷用导电性组合物及薄膜导电图案形成方法。解决手段是一种导电性组合物，其含有金属粒子、粘合剂树脂及溶剂，溶剂中含有5～98质量％具有带有桥环骨架的烃基和羟基的有机化合物。金属粒子含有率为15～60质量％，且含有20质量％以上的扁平金属粒子，相对于金属粒子100质量份，含有0.5～10质量份的粘合剂树脂。另外，所述组合物在25℃下的粘度为1.0×103～2×105mPa·s。在将该导电性组合物以任一形状的图案丝网印刷于基板上之后，对图案进行300℃以下的加热烧成和/或对图案照射脉冲光，由此形成导电图案。
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公开(公告)号：CN104160457B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201380013196.1
申请日：2013-03-08
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01B13/003 , H01B13/0026 , H05K1/0306 , H05K1/097 , H05K3/10 , H05K3/106 , H05K2201/0108 , H05K2201/026
Abstract: 提供一种通过脉冲光照射而使导电性提高了的透明导电图案的制造方法。通过在基板上涂布分散有金属纳米丝的分散液并干燥、沉积，向沉积于所述基板上的金属纳米丝照射脉冲宽度为20微秒～50毫秒的脉冲光，将所述金属纳米丝的交点接合，来制造透明导电图案。
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公开(公告)号：CN103154090B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180039044.X
申请日：2011-08-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/0812 , C07F7/1804 , C08G59/306 , C08G77/14 , C08L83/06 , G02B1/04 , G02B1/041 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , C08L83/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够得到透明性、耐热性、气体阻挡性优异的固化物的带环氧基的硅氧烷缩合物。本发明提供了一种环氧硅氧烷缩合物、含有该缩合物的固化性组合物和其固化物，所述环氧硅氧烷缩合物是以下通式(1)所示的带环氧基的烷氧基硅烷化合物和下述通式(2)所示的烷氧基硅烷化合物之间的水解缩合生成物，在将上述带环氧基的烷氧基硅烷化合物(1)的摩尔数设为x、将烷氧基硅烷化合物(2)的摩尔数设为y时，满足0.2≤my/nx≤0.7的范围。si(oR12)mR134-m(2)。
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公开(公告)号：CN104160457A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380013196.1
申请日：2013-03-08
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01B13/003 , H01B13/0026 , H05K1/0306 , H05K1/097 , H05K3/10 , H05K3/106 , H05K2201/0108 , H05K2201/026
Abstract: 提供一种通过脉冲光照射而使导电性提高了的透明导电图案的制造方法。通过在基板上涂布分散有金属纳米丝的分散液并干燥、沉积，向沉积于所述基板上的金属纳米丝照射脉冲宽度为20微秒～50毫秒的脉冲光，将所述金属纳米丝的交点接合，来制造透明导电图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103947303A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280057765.8
申请日：2012-11-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内田博
CPC classification number: H05K3/105 , H05K3/12 , H05K3/281 , H05K3/386 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明提供了能够改进导电图案的导电性的导电图案形成方法。通过在基底10的表面上印刷含有金属氧化物粒子和还原剂和/或金属粒子的组合物(印糊)，形成印糊层12，通过光照射或微波辐射而加热印糊层12，以在被加热的部分上表现出导电性并将印糊层12转化成导电层14。在光照射或微波辐射过程中金属粒子和/或金属氧化物粒子在短时间内快速加热并生成气泡，并在导电层14内生成空隙，由此通过适当的压机16对导电层14施加压力以压碎空隙，从而改进导电层14的导电性，然后获得导电图案18。在对导电层14施加压力时，可以同时在形成导电层14的基底表面上压力加封绝缘保护膜20。
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公开(公告)号：CN101977919B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN200980110402.4
申请日：2009-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07F7/21
CPC classification number: C07F7/21
Abstract: 本发明的目的在于提供固化速度快且抗蚀刻性和选择性优异、在室温下为液体的环氧化合物及其制造方法。本发明的环氧化合物以式(I)表示；(YSiO3/2)n···(I)(式(I)中，n个Y中的p个(p是n以下的自然数)表示下述式(1a)～(5a)的任一个所表示的基团，(n-p)个Y表示氢原子或-OSiR12H，n表示2～500的整数。R1各自独立地表示烷基，R2～12各自独立地表示氢原子或烷基等，X表示单键等，＊表示与(I)所示的Si结合的部分)。
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公开(公告)号：CN101848915B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200880114939.3
申请日：2008-11-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G59/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , C07F7/0838 , C07F7/21 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G59/42 , G03F7/0002 , G03F7/0757
Abstract: 本发明的目的在于一种转印材料用固化性组合物，其适合用于可以以高生产量形成微细图案的工艺即紫外纳米压印法；并且有时适合用于热纳米压印法；而且可以形成氟类气体和氧气气体的蚀刻速度选择性高的微细图案。本发明的转印材料用固化性组合物，其特征在于，含有具有Si-H基的硅化合物(A)与具有固化性官能团和除该固化性官能团以外的其它碳碳双键的化合物(B)加成进行硅氢化反应所得化合物的固化性硅化合物。
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公开(公告)号：CN103154090A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180039044.X
申请日：2011-08-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07F7/0812 , C07F7/1804 , C08G59/306 , C08G77/14 , C08L83/06 , G02B1/04 , G02B1/041 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , C08L83/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够得到透明性、耐热性、气体阻挡性优异的固化物的带环氧基的硅氧烷缩合物。本发明提供了一种环氧硅氧烷缩合物、含有该缩合物的固化性组合物和其固化物，所述环氧硅氧烷缩合物是以下通式(1)所示的带环氧基的烷氧基硅烷化合物和下述通式(2)所示的烷氧基硅烷化合物之间的水解缩合生成物，在将上述带环氧基的烷氧基硅烷化合物(1)的摩尔数设为x、将烷氧基硅烷化合物(2)的摩尔数设为y时，满足0.2≤my/nx≤0.7的范围。(1) si(oR12)mR134-m (2)
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公开(公告)号：CN101978420B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980109283.0
申请日：2009-03-10
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84 , C09D183/04 , G11B5/65
CPC classification number: G11B5/855 , C09D183/06 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供了一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上至少具有记录层和保护膜的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：在基板上形成连续的记录层的工序，形成图案化的抗蚀剂层的工序，依照该抗蚀剂图案部分性地除去上述记录层的工序，在上述记录层和已除去记录层的部位上涂布具有活性能量线固化性官能团的有机硅化合物的工序，通过活性能量线使上述有机硅化合物固化的工序，对上述有机硅化合物进行蚀刻，使磁性层在表面露出的工序，以及形成保护膜的工序。
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