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公开(公告)号：CN1641811A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410021666.1
申请日：2004-01-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种n层磁芯的I型薄膜变压器阵列及其制备方法，它是由多个I型n层磁芯的薄膜变压器制作在同一基片上，构成本发明的I型薄膜变压器阵列；其制备方法采用高精度的薄膜制造技术，以物理或化学气相沉积的方法，在基片上制作多层厚度为纳米级或微米级的金属、金属氧化物薄膜，形成磁芯和绕组。本发明的n层磁芯的I型薄膜变压器阵列具有品质高、电感量大、损耗小、体积小、频带宽、绝缘性能好、与半导体集成电路制造工艺兼容等特点，可应用于通信、计算机、消费类电子系统。
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公开(公告)号：CN120089949A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510426227.0
申请日：2025-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种太赫兹多层全介质吸波超表面及制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述吸波超表面包括铜衬底，贴合于铜衬底之上的PDMS介质薄膜，填充于PDMS介质薄膜之中的介质超表面结构层，介质超表面结构层由多个方块单元组成，每个方块单元包括2个大方块和2个小方块按照2×2排列的下层方块和位于介质超表面结构中心的上层方块。本发明不需要多次光刻和沉积，极大减小了制备复杂度；并且可以将平面组合式吸波超表面和层叠式谐振吸波方案叠加起来，各层结构均可以有较大的平面复杂度，然后通过层叠式方案进行宽频的吸波叠加。
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公开(公告)号：CN118944653A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411064777.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽带高隔离射频开关，属于射频微波技术领域。所述射频开关包括两个射频开关控制器和一个宽带180°移相器，两个射频开关控制器为第一射频开关控制器和第二射频开关控制器，一个宽带180°移相器包括并联电感、电容、第一开路枝节加载线、第二开路枝节加载线、第一电感、第二电感和移相参考微带线。本发明提供的一种宽带高隔离射频开关，在传统串联型射频开关的基础上，通过并联一个截止的射频开关控制器和宽带180°移相器，可以有效拓宽射频开关高隔离度带宽，得到的射频开关具有高隔离度带宽、低插入损耗、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN118725508A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410306996.2
申请日：2024-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，涉及电磁波吸收材料，具体提供一种基于稀疏型大颗粒磁电协同机制的宽频高吸收材料，用以解决现有技术吸收性能差、带宽窄、损耗机理单一等问题。本发明将广泛用于微波段吸波材料的羟基铁粉微米级颗粒与具有微米级大面积的MXene二维材料作为吸收介质，利用羟基铁粉微米颗粒和MXene二维材料的高分散性以及两者同处于微米数量级的特性，将其与环氧树脂聚合物复合，形成了大颗粒稀疏分散状三维结构；同时，进一步结合CNC工艺加工形成金字塔阵列型结构，在0.2～1.2THz的频率范围中可以实现RL≥40dB、RLmax≈‑58dB的吸收效果，为解决现有宽口径太赫兹黑体源发射率低、带宽小、性能受吸波涂层制约等问题提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN118518908A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410663436.2
申请日：2024-05-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R1/04
Abstract: 一种用于微带结环行器测试的射频夹具，属于射频微波铁氧体器件领域。所述射频夹具包括SMA金属穿墙式射频连接器、测试基板、第一活动支架和第二活动支架；测试基板为底部镂空的长方体，其顶部设置凸起的载物台，用于放置待测微带结环形器；在测试基板的三个侧面、靠近底部的位置设置镂空孔隙；在镂空孔隙的两端安装两个第一活动支架，第一活动支架的滑槽上安装第二活动支架，SMA金属穿墙式射频连接器两侧与两个第二活动支架的滑槽固定，通过对射频连接器在镂空孔隙长边方向、第一活动支架的滑槽方向和第二活动支架的滑槽方向上的调节，实现射频连接器的金属插针与环行器基板上的微带线良好的对准接触。本发明通过调节SMA金属穿墙式射频连接器相对于待测环行器的位置，可以实现连接器的信号插针与微带线形成紧密的接触，从而实现电磁波信号的低损耗传输，为高频段环行器的测试提供了一种更为可靠的方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118315185A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410205633.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁复合材料制备技术领域，具体提供一种用于DC–DC变换器的软磁复合材料的制备方法，用以制备得到高饱和磁通密度、高磁导率、高工作频率、高热稳定性、高强度、低矫顽力、低磁损耗及高可靠性的软磁复合材料，进而满足高频DC–DC变换器的应用需求。本发明首先在粒径细小的球形铁基纳米晶磁粉表面包覆Na2SiO3，然后混合预定量的硅酮树脂和环氧树脂，并通过温和的热压工艺获得软磁复合材料胚体，最后经退火处理制备得到软磁复合材料。本发明中包覆工艺、热压成型工艺简单高效，获得的软磁复合材料具有较高的可靠性和热稳定性，且具有较高的密度、较高的饱和磁化强度、较高的磁导率及低的磁电损耗。
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公开(公告)号：CN114335328B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111432783.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述巨自旋霍尔角材料为生长于基片之上的金属‑钛氧化物复合薄膜；所述金属‑钛氧化物复合薄膜中，钛氧化物的摩尔百分比为1mol％～20mol％，金属的摩尔百分比为80mol％～99mol％。本发明提供的金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料及制备方法和应用，方法简单易行，制备得到的金属‑钛氧化物复合薄膜相对于纯的金属薄膜，其室温下的自旋霍尔角度显著增加(铂‑氧化钛薄膜的室温自旋霍尔角度可达1.6，比纯铂的自旋霍尔角0.15提高了一个数量级)，室温自旋扩散长度减小。
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公开(公告)号：CN111916917B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010778633.0
申请日：2020-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种基于MXene的太赫兹波宽带超强吸收泡沫，属于电磁功能材料技术领域。包括聚合物多孔泡沫，以及附着于聚合物多孔泡沫之上的MXene纳米片，其中，MXene纳米片以包覆形态、成膜形态和悬挂形态附着于多孔聚合物泡沫上，多孔聚合物泡沫的平均孔径≥500μm，多孔聚合物泡沫的厚度≤10mm，MXene纳米片填充质量小于吸收泡沫质量的50％。本发明利用MXene二维纳米片的超高导电性和在水溶液中的高分散性，通过与表面功能化的聚合物多孔泡沫复合，形成了兼顾大孔径和大吸收面积的三维网络结构，实现了0.3～1.65THz范围内高达99.99％以上的超高吸收率和低至0.00003％的极低反射率。
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公开(公告)号：CN116435736A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310298524.2
申请日：2023-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于铁氧体铁磁共振线宽测试的快拆式波导结构，属于微波毫米波段磁性材料参数测试领域。所述快拆式波导结构包括主波导管和快拆式谐振腔，主波导管包括第一矩形波导、第二矩形波导、连接桥、波导法兰盘和定位销。本发明提供的一种用于铁氧体铁磁共振线宽测试的快拆式波导结构，将矩形波导、波导法兰盘、连接桥和谐振腔的耦合片一体化连接形成主波导管，快拆式谐振腔放置于连接桥形成的空隙内，实现了谐振腔的快捷拆装；采用“腔内填充介质，通过介质片装载样品”的样品加载方法，解决了30GHz以上毫米波段铁氧体FMR测试样品的加载问题。
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公开(公告)号：CN116411348A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310407615.5
申请日：2023-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料技术领域，具体提供一种低温条件下制备M型钡铁氧体单晶薄膜的方法；本发明通过液相原料的创新设计以及液相外延工艺参数的严格设计，实现在830～850℃的低温条件下利用液相外延方法于SGGG(111)衬底上直接生长出性能优异的M型钡铁氧体单晶薄膜，不仅工艺简单、成本低廉，而且所制备出的单晶薄膜结晶质量较高，无杂质和缺陷。本发明制备得M型钡铁氧体单晶薄膜为单晶材料，薄膜厚度高达150μm，饱和磁化强度约为4500Oe，剩磁约为1000Oe，易磁化轴(c轴)垂直于薄膜表面取向，具有较高的单轴磁晶各向异性场，非常有利于实现器件的自偏置设计。
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