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公开(公告)号：CN119050076B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519126.X
申请日：2024-10-29
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN119028936B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN119050110A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050090A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411509866.5
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件，互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；界面互连段，与主体段连接，界面互连段的下表面为互连面；拱形连接段，包括相连接的第一弧形段和第二弧形段，第一弧形段与主体段连接，第二弧形段与界面互连段连接，第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线，第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2，预设曲线满足以下公式：#imgabs0#；x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值；h为预设曲线的最高点至X轴的距离，a为预设曲线至Y轴的最大距离，#imgabs1#为预设常数；在预设曲线的最高点处，预设曲线满足#imgabs2#；R2≥0.8。通过本方案，能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。
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公开(公告)号：CN119050076A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411519126.X
申请日：2024-10-29
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118981999A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411012796.2
申请日：2024-07-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 一种基于热扩散角的多芯片并联功率模块热网络模型修正方法，其步骤包括：建立热网络模型，并求解计算结温；通过差值比较法计算结温偏差，当结温偏差超出阈值时，对过温芯片的有效对流换热面积进行等效替换，并以最小结温差值对应的二次计算结温为修正结果。本发明通过筛选过温芯片，并对其有效对流换热面积进行等效替换，不需要进行迭代计算，减少了迭代计算的步骤，相应修正值为相邻芯片先前计算得到的有效对流换热面积，计算相对简单且耗时短，解决有效对流换热面积因受散热基板尺寸限制导致的结温误差较大的问题，从而可更准确获得结温分布情况，便于评估功率模块内部并联芯片的结温分布，指导功率模块的热设计。
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公开(公告)号：CN114548013B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC: G06F30/367
Abstract: 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN114865801B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210544205.0
申请日：2022-05-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种用于三芯电缆的高能量密度磁场能量收集装置及系统，属于空间电磁场能量收集领域，六段铁芯构成一个完整的圆环环绕三芯电缆，在三芯电缆的切向磁感应强度沿着圆周方向的3个极值点对应位置的三段铁芯上沿三芯电缆的轴向方向分别缠绕感应线圈，在三芯电缆的径向磁感应强度沿着圆周方向的3个极值点对应位置的三段铁芯上沿三芯电缆的半径方向分别缠绕感应线圈，通过分析电缆周围磁场分布的基础上，设计取能线圈的布置，最大程度上利用了电缆周围的磁场能量，实现在三芯电缆宽工作范围内的有效能量收集，并满足供给电缆的各种传感器的能量供给。
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公开(公告)号：CN116896262A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310865088.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02M1/38 , H02M1/088 , H02M7/5387 , G01R31/26
Abstract: 用碳化硅交流功率循环电路拓扑控制系统及方法，包括电压源、电容、测试桥臂、负载桥臂、电感；电压源与电容并联后再与测试桥臂、负载桥臂并联；测试桥臂、负载桥臂分别为两个碳化硅MOSFET功率器件的串联支路；测试桥臂、负载桥臂二者桥臂中点通过电感连接；测试桥臂采用开环控制，使桥臂上下器件的输出周期性循环；负载桥臂采用电流闭环控制，根据反馈的负载电流与参考电流的差值实时调控负载桥臂上下器件的输出，使负载电流达到所要求的电流水平。本发明采用开环加闭环的控制方式，对开环控制桥臂上的器件施加重复的循环应力，易复现实验且被测器件的运行符合实际工况；增设了死区补偿，增加了系统的快速性与稳定性。
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公开(公告)号：CN115547976A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211308919.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供一种母排装置及多芯片功率器件的均流系统，属于功率器件领域，母排装置用于为多芯片功率器件提供电流，母排装置包括：集电极母排和发射极母排；多芯片功率器件位于集电极母排与发射极母排之间；集电极母排的一端为电流输入部，另一端为第一定位部；发射极母排的一端为电流输出部，另一端为第二定位部；电流输入部及电流输出部均与母线连接；多芯片功率器件位于第一定位部与第二定位部之间，并与第一定位部及第二定位部固定连接；第一定位部靠近电流输入部的位置开设有挖槽；第二定位部靠近电流输出部的位置开设有挖槽，有效改善多芯片功率器件内部并联芯片的均流问题，进而提高了多芯片功率器件的安全性及使用寿命。
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